新产品
VS-5EWL06FN-M3
威世半导体
超低V
F
超快整流器， 5 A FRED铂
特点
2, 4
超快恢复时间，极低的V
F
和
软恢复
175°C最高工作结温
对于DCM PFC操作
低漏电流
符合RoHS指令2002/95 / EC
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
D- PAK （ TO- 252AA ）
1
N / C
3
阳极
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
（典型值）。
T
J
马克斯。
二极管的变化
D- PAK （ TO- 252AA ）
5A
600 V
1.20 V
59纳秒
175 °C
单芯片
说明/应用
设计与艺术超快恢复二极管的状态
的正向压降的优化性能，超快
恢复时间，和软恢复。
平面结构和铂掺杂寿命时间
控制保证了最佳的整体性能，耐用性
和可靠性的特点。
这些设备被设计用于在PFC升压阶段，在
开关电源转换器或作为续流二极管的交流/直流部分。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低
过度耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
T
C
= 159 °C
T
J
= 25 °C
T
C
= 159 ° C，F = 20 kHz时， D = 50 ％
测试条件
值
600
5
80
10
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 5 A
I
F
= 5 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.97
0.85
-
-
3.5
8
马克斯。
-
1.20
1.0
5
125
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
文档编号： 93250
修订： 31 -MAR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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新产品
VS-5EWL06FN-M3
威世半导体
超低V
F
超快整流器， 5 A FRED铂
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 50 A / μs的，V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 5 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
59
75
145
203
12.6
14.7
931
1480
马克斯。
70
-
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻，
结每腿区分
大约重量
打标设备
机箱样式D- PAK （ TO- 252AA ）
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
测试条件
分钟。
- 65
-
典型值。
-
-
0.3
0.01
5EWL06FN
马克斯。
175
3
单位
°C
° C / W
g
盎司
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2
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VS-5EWL06FN-M3
超低V
F
超快整流器， 5 A FRED铂
威世半导体
I
F
- 正向电流（A ）
100
100
I
R
- 反向电流（ μA ）
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 175 °C
1
T
J
= 125 °C
0.1
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
93250_02
0
100
200
300
400
500
600
93250_01
V
F
- 正向压降（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
图。 1 - 典型正向压降特性
100
C
T
- 结电容（pF ）
10
1
0
93250_03
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
单身
脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
93250_04
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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威世半导体
180
超低V
F
超快整流器， 5 A FRED铂
允许外壳温度（ ℃）
300
250
170
DC
200
5 A，T
J
= 125 °C
160
t
rr
（纳秒）
150
5 A，T
J
= 25 °C
100
50
0
100
150
方
波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
SEE
注（1）
140
0
93250_05
1
2
3
4
5
6
7
8
93250_07
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
7
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
1600
5 A，T
J
= 125 °C
平均功耗（ W）
6
1400
5
4
3
2
DC
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
600
100
93250_08
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
Q
rr
（ NC ）
RMS限制
1200
1000
5 A，T
J
= 25 °C
800
1000
93250_06
I
F（ AV ）
-
平均正向电流（ A）
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
图。 6 - 正向功率损耗特性
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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威世半导体
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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