【泽尔 - 华智V53C8128H超高性能，128K ×8位EDO页模式CMOS动态RAM3535纳秒】,IC型号V53C8128H50,V53C8128H50 PDF资料,V53C8128H50经销商,ic,电子元器件-51电子网

泽尔 - 华智

V53C8128H

超高性能，

128K ×8位EDO页模式

CMOS动态RAM

35

35纳秒

18纳秒

14纳秒

70纳秒

V53C8128H

初步

高性能

马克斯。

RAS

访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。快速页模式随着EDO周期时间，（T

PC

)

分钟。读/写周期时间，（T

RC

)

40

40纳秒

20纳秒

15纳秒

75纳秒

45

45纳秒

22纳秒

17纳秒

80纳秒

50

50纳秒

24纳秒

19纳秒

90纳秒

特点

s

128K ×8位的组织

s

RAS

访问时间：35， 40 ，45， 50纳秒

s

EDO页模式支持持续的I / O数据

率高达71.5 MHz的

s

低功耗

V53C8128H -50

- 工作电流 - 最大135毫安

- TTL待机电流 - 最大2.0毫安

s

CMOS的低待机电流

V53C8128H - 1.0 mA（最大值）

s

读 - 修改 - 写，

RAS-只

刷新，

CAS先于RAS

刷新功能

s

刷新间隔

V53C8128H - 512次/ 8毫秒

s

可在26/24引脚300密耳SOJ包装

描述

该V53C8128H是高速131072 ×8位

CMOS动态随机存取存储器。该

V53C8128H提供的特征的组合： EDO

页高数据带宽模式下，可以使用快

速度， CMOS待机电流。

所有的输入和输出为TTL兼容。输入

输出电容显著降低到

使系统性能提高。页面模式

与扩展数据输出操作允许随机

多达256个列的（x8）比特的行内访问

与周期时间尽可能短， 14纳秒。由于静态

电路中，

CAS

时钟是不是在临界定时

路径。流过的列地址锁存器

允许地址流水线，同时放松许多关键

系统的时序要求快速可用的速度。

这些特性使得V53C8128H非常适合

为图形，数字信号处理及高

性能外设。

设备使用图

操作

温度

范围

0 ° C至70

°C

包装外形

K

35

访问时间（纳秒）

40

45

50

动力

标准。

温度

标志

空白

1

V53C8128H 1.1修订版1997年11月

泽尔 - 华智

V

5

3

C

8

1

2

8

H

V53C8128H

家庭

设备

PKG

速度

( t

RAC

)

温度。

PWR 。

空（ 0 ° C至70 ° C）

BLANK （ NORMAL）

K（ SOJ ）

35

40

45

50

描述

SOJ

PKG 。

K

引脚数

26/24

（ 35纳秒）

（ 40纳秒）

（ 45纳秒）

（ 50纳秒）

3838 01

26/24引脚SOJ

引脚配置

顶视图

VSS

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

WE

RAS

A0

A1

A2

A3

VCC

1

2

3

4

5

6

8

9

10

11

12

13

26

25

24

23

22

21

19

18

17

16

15

14

V SS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

CAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

3838 02

引脚名称

A

0

–A

8

RAS

CAS

WE

OE

I / O

1

-I / O

8

V

CC

V

SS

地址输入（A

8

：行

只解决）

行地址选通

列地址选通

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入，输出

+ 5V电源

0V供应

绝对最大额定值*

电容*

环境温度

在偏置............................. -10 ° C至+ 80°C

存储温度（塑料） .... -55 ° C至+ 125°C

电压相对于V

SS ....................

-1.0 V至7.0 V

数据输出电流.................................... 50毫安

功耗.........................................为1.0W

*注：以上操作绝对最大额定值可以

器件的可靠性产生不利影响。

300 MIL

T

A

= 25 ° C，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0 V

符号

C

IN1

C

IN2

C

OUT

参数

地址输入

RAS ， CAS，WE ， OE

数据输入/输出

典型值。马克斯。

3

4

5

4

5

7

单位

pF

*注：电容进行采样，而不是100 ％测试

V53C8128H 1.1修订版1997年11月

2

泽尔 - 华智

框图

128K ×8

OE

WE

CAS

RAS

V53C8128H

RAS时钟

发电机

CAS时钟

发电机

WE时钟

发电机

OE时钟

发电机

VCC

VSS

数据I / O总线

列解码器

Y0–Y7

I / O 1

I/O2

I/O3

I / O

卜FF器

I/O4

I / O 5

I/O6

I/O7

I/O8

感测放大器

刷新

计数器

256 x 8

9

A0

A1

地址缓冲器

与预解码

X0–X8

ROW

解码器

512

A7

A8

内存

ARRAY

3838 03

V53C8128H 1.1修订版1997年11月

3

泽尔 - 华智

DC和工作特性

(1-2)

T

A

= 0℃至70℃ ，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0V时，除非另有规定。

符号

参数

V53C8128H

ACCESS

时间最小。典型值。马克斯。

–10

10

V53C8128H

单位

A

测试条件

V

SS

≤

V

IN

≤

V

CC

笔记

I

LI

输入漏电流

（任何输入引脚）

输出漏电流

（为高阻态）

35

I

LO

–10

10

A

V

SS

≤

V

OUT

≤

V

CC

RAS ， CAS

在V

IH

160

150

145

135

RAS ， CAS

在V

IH

其他投入

≥

V

SS

mA

t

RC

= t

RC

（分）

1, 2

I

CC1

V

CC

电源电流，

操作

40

45

50

I

CC2

V

CC

电源电流，

TTL待机

V

CC

电源电流，

35

40

45

50

4

160

150

145

135

95

90

85

80

2

mA

I

CC3

RAS-只

刷新

mA

t

RC

= t

RC

（分）

2

I

CC4

V

CC

电源电流，

EDO页模式

手术

35

40

45

50

mA

最小周期

1, 2

I

CC5

V

CC

电源电流，

待机状态下，输出启用

V

CC

电源电流，

CMOS待机

mA

RAS = V

IH

,

CAS = V

IL

其他投入

≥

V

SS

RAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

CAS

≥

V

CC

– 0.2 V,

所有其它输入

≥

V

SS

1

I

CC6

1

mA

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

–1

2.4

0.8

V

CC

+1

0.4

V

I

OL

= 4.2毫安

I

OH

= -5毫安

3

2.4

V53C8128H 1.1修订版1997年11月

4

泽尔 - 华智

AC特性

T

A

= 0℃至70℃ ，V

CC

= 5 V

±10%,

V

SS

= 0V ，除非另有说明

AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V

JEDEC

符号

t

RL1RH1

t

RL2RL2

t

RH2RL2

t

RL1CH1

t

CL1CH1

t

RL1CL1

t

WH2CL2

t

AVRL2

t

RL1AX

t

AVCL2

t

CL1AX

35

符号

t

RAS

t

RC

t

RP

t

CSH

t

CAS

t

RCD

t

RCS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

参数

RAS

脉冲宽度

读或写周期时间

RAS

预充电时间

CAS

保持时间

CAS

脉冲宽度

RAS

to

CAS

延迟

READ命令设置时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

RAS

保持时间（读周期）

CAS

to

RAS

预充电时间

读命令保持时间

参考

CAS

15

t

RH2WX

t

RRH

读命令保持时间

参考

RAS

16

t

OEL1RH2

t

ROH

RAS

保持时间

参考

OE

访问时间从

OE

访问时间从

CAS

（ EDO ）

访问时间从

RAS

从列存取时间

地址

CAS

以低Z输出

输出缓冲关断延迟时间

列地址保持时间

从

RAS

到列地址

延迟时间

25

t

CL1RH1(W)

t

RSH （W）的

RAS

or

CAS

保持时间

在写周期

写命令

CAS

交货时间

12

13

14

0

28

6

8

9

10

0

40

45

50

V53C8128H

#

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位

35

70

25

35

7

16

0

6

0

4

14

5

0

23

75K

40

75

25

40

8

17

0

7

0

5

14

5

0

28

75K

45

80

25

45

9

18

0

8

0

6

15

5

0

32

75K

50

90

30

50

9

19

0

9

0

7

15

5

0

36

75K

ns

笔记

4

t

CL1RH1(R)

t

RSH （R）的

t

CH2RL2

t

CH2WX

t

CRP

t

RCH

5

ns

5

ns

17

18

19

20

t

GL1QV

t

CL1QV

t

RL1QV

t

AVQV

t

OAC

t

CAC

t

RAC

t

CAA

12

35

18

12

40

20

13

45

22

14

50

24

ns

6, 7

6, 8, 9

6, 7, 10

21

22

23

t

CL1QX

t

CH2QZ

t

RL1AX

t

LZ

t

HZ

t

AR

0

30

6

0

35

7

0

40

8

ns

16

24

t

RL1AV

t

拉德

11

17

12

20

13

23

14

26

ns

11

ns

26

t

WL1CH1

t

CWL

12

13

14

ns

V53C8128H 1.1修订版1997年11月

5