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VS-10MQ100NPbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 2.1
特点
??小脚印,表面贴装
低正向压降
??高频工作
阴极
阳极
??保护环,增强耐用性和长期
可靠性
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
SMA
产品概述
I
F( AV )
V
R
2.1 A
100 V
描述
在VS- 10MQ100NPbF表面贴装肖特基整流器
已设计用于要求低正向应用
下降和印刷电路板非常小的脚印。典型
应用是在磁盘驱动器,开关电源,
转换器,续流二极管,电池充电,并
电池反接保护。
主要额定值及特点
符号
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
1.5 APK ,T
J
= 125 °C
范围
DC
特征
2.1
100
120
0.68
- 55 150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-10MQ100NPbF
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流,T
J
= 25 °C
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F( AV )
测试条件
50%的占空比在T
L
= 126 ° C,方波
在PC板9毫米
2
(0.013毫米厚的铜层的面积)
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 0.5 A , L = 8毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
1.5
120
A
30
1.0
0.5
mJ
A
单位
A
文档编号: 94119
修订: 03 - 10
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
1
VS-10MQ100NPbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 2.1
电气规格
参数
符号
1A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频(1)
1.5 A
1A
1.5 A
最大反向漏电流
SEE图。 2
阈值电压
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
(1)
脉冲宽度< 300微秒,占空比< 2 %
I
RM ( 1 )
V
F( TO)
r
t
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
最大
V
R
= 10 V
DC
, T
J
= 25 ℃,测试信号= 1 MHz的
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
0.78
0.85
0.63
0.68
0.1
1
0.52
78.4
38
2.0
10 000
mA
V
pF
nH
V / μs的
V
单位
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻,
结到环境
大约重量
打标设备
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJA
直流操作
测试条件
- 55 150
80
0.07
0.002
单位
°C
° C / W
g
盎司
V1J
机箱样式SMA (类似于D- 64 )
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
文档编号: 94119
修订: 03 - 10
VS-10MQ100NPbF
肖特基整流器, 2.1
日前,Vishay高功率产品
允许外壳温度( ℃)
10
150
140
130
120
110
100
90
DC
I
F
- 正向
电流(A )
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
方波( D = 0.50 )
80 %为V
R
应用的
见注( 1 )
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
2.0
2.4
V
FM
- 正向压降( V)
图。 1 - 最大正向压降特性
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 4 - 最大平均正向电流与
允许焊接温度
1.6
1
T
J
= 150 °C
I
R
- 反向电流(mA )
0.1
平均功耗( W)
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
1.4
1.2
1.0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
0.01
T
J
= 75 °C
0.001
T
J
= 50 °C
0.0001
T
J
= 25 °C
0
0
20
40
60
80
100
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
DC
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向峰值电流与
反向电压
100
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大正向平均功耗对比
平均正向电流
I
FSM
- 不重复浪涌电流(A )
100
C
T
- 结电容(pF )
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
10
在任何额定负载条件和
额定V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
1
0
20
40
60
80
100
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
t
p
- 方波脉冲持续时间(微秒)
图。 6 - 最大峰值浪涌正向电流与
脉冲持续时间
(1)
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。钯
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
= 80 %额定V
R
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
3
文档编号: 94119
修订: 03 - 10
VS-10MQ100NPbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 2.1
订购信息表
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
10
2
M
3
Q
4
100
5
N
6
TR
7
PBF
8
HPP产品后缀
额定电流
M = SMA
Q =肖特基“ Q”系列
额定电压( 100 = 100 V)
N = SMA新
无=盒( 1000件)
TR =磁带和卷轴( 7500件)
PBF =铅(Pb ) - 免费
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SPICE模型
磁带和卷轴
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www.vishay.com/doc?95371
www.vishay.com
4
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
文档编号: 94119
修订: 03 - 10
外形尺寸
日前,Vishay高功率产品
SMA
尺寸
毫米(英寸)
1.40 (0.055)
1.60 (0.062)
2.50 (0.098)
2.90 (0.114)
1
2
4.00 (0.157)
4.60 (0.181)
1
极性
2
产品型号
0.152 (0.006)
0.305 (0.012)
2.00 (0.078)
2.44 (0.096)
0.103 (0.004)
0.203 (0.008)
2.10最大。
( 0.085 MAX 。 )
1.47 MIN 。
( 0.058 MIN 。 )
0.76 (0.030)
1.52 (0.060)
4.80 (0.188)
5.28 (0.208)
1.27 MIN 。
( 0.050 MIN 。 )
5.53 (0.218)
焊接区
文档编号: 95018
修订: 25军07
欲了解有关离散产品的技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
欲了解有关模块产品的技术问题,请联系: ind-modules@vishay.com
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    -
    -
    -
    -
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24+
7800
SMA(DO-214AC)
原装正品现货,可开增值税专用发票
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联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
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0.07USD
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联系人:柯
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0.1
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28000
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联系人:陈伟东
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12888
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电话:0755-82731800
联系人:付先生
地址:深圳市福田区振华路118号华丽装饰大厦2栋2单元320室
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