VS-10CWH02FN-M3
威世半导体
超快整流器， 2× 5 A FRED铂
特点
BASE
常见
阴极
2
超高速恢复时间
175 ° C以下。工作结温
输出整流续流
低正向压降减少了Q
rr
软
恢复
3
阳极
1
2
低漏电流
符合RoHS指令2002/95 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
D- PAK （ TO- 252AA ）
常见
阳极
阴极
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
（典型值）。
T
J
马克斯。
二极管的变化
D- PAK （ TO- 252AA ）
2x5A
200 V
0.98 V
23纳秒
175 °C
共阴极
说明/应用
设计与艺术超快恢复二极管的状态
的正向压降的优化性能，超快
恢复时间，和软恢复。
平面结构和铂掺杂寿命时间
控制保证了最佳的整体性能，耐用性
和可靠性的特点。
这些设备被设计用于在PFC升压阶段，在
开关电源转换器或作为续流二极管的交流/直流部分。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低
过度耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
T
C
= 160 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
值
200
10
80
- 65 175
单位
V
A
°C
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
符号
V
BR
,
V
R
I
R
= 100 μA
I
F
= 5 A
正向电压
V
F
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A，T
J
= 150 °C
I
F
= 10 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
每腿反向漏电流
I
R
C
T
L
S
T
J
= 125°C ，V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
每腿结电容
串联电感
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.90
0.98
0.74
0.84
-
-
-
17
8
马克斯。
-
0.98
1.15
0.84
1.05
4
40
80
-
-
pF
nH
μA
V
单位
文档编号： 93263
修订： 31 -MAR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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威世半导体
超快整流器， 2× 5 A FRED铂
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 5 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 160 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
23
21
26
2
3.1
20
41
马克斯。
27
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
每腿
热阻，
结到外壳
每个器件
大约重量
打标设备
机箱样式D- PAK （ TO- 252AA ）
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
测试条件
分钟。
- 65
-
-
典型值。
-
2.7
1.35
0.3
0.01
10CWH02FN
马克斯。
175
3.2
1.6
单位
°C
° C / W
g
盎司
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超快整流器， 2× 5 A FRED铂
威世半导体
100
反向电流 - I
R
(μA)
100
TJ = 175℃
10
1
0.1
0.01
TJ = 150℃
TJ = 125°C
TJ = 100℃
TJ = 75℃
TJ = 50℃
TJ = 25°C
TJ = 175℃
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
0.001
0.0001
50
100
150
200
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
100
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
正向电压下降 - V
F
(V)
图。 1 - 典型正向压降特性
结电容 - C
T
（PF ）
10
0
50
100
150
200
1
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
10
热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
D = 0.5
1
D = 02
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
单脉冲
（热电阻）
0.1
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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超快整流器， 2× 5 A FRED铂
40
35
30
180
允许外壳温度（ ℃）
170
DC
TRR （ NC ）
25
20
15
10
5A ， TJ = 125°C
160
方波（ D = 0.50 ）
额定Vr的应用
150
5A ， TJ = 25°C
见注（ 1 ）
140
0
1
2
3
4
5
6
7
8
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
5
0
100
1000
di
F
/ DT （ A / μs）内
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
70
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
1
2
60
RMS限制
平均功耗（瓦）
50
5A ， TJ = 125°C
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
QRR （ NC ）
40
30
20
5A ， TJ = 25°C
10
3
4
5
6
7
8
0
100
1000
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
di
F
/ DT （ A / μs）内
图。 6 - 正向功率损耗特性
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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