VRF151E

VRF151EMP

50V ， 150W ， 175MHz的

射频功率MOSFET垂直

该VRF151E是VRF151的热增强型版本。它是一种镀金

专为宽带金属硅n沟道RF功率晶体管

需要高功率和增益，而不商业和军事应用

影响可靠性，耐用性，或互调失真。

M174A

特点

增强型封装的高30 ％P

D

提高耐用性V

（ BR ） DSS

= 170V

150W与22分贝典型增益@ 30MHz的， 50V

150W与14分贝典型增益@ 175MHz时， 50V

卓越的稳定性&低IMD

可成对

30 ： 1 VSWR负载能力，在特定网络编工作条件

氮化物钝化

耐火材料镀金

更换为SD2931-10瓦特/高BV

符合RoHS

最大额定值

符号

V

DSS

I

D

V

GS

P

D

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

连续漏电流@ T

C

= 25°C

栅源电压

器件总功耗@ T

C

= 25°C

存储温度范围

工作结温

所有评分：T已

C

= 25 ° C除非另有规定编

VRF151E(MP)

170

16

±40

390

-65到150

200

单位

V

A

V

W

°C

静态电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

V

DS （ ON）

I

DSS

I

GSS

g

fs

V

GS （ TH）

参数

漏源击穿电压（V

GS

= 0V时，我

D

= 100毫安）

在国家漏极电压（I

D（上）

= 10A ，V

GS

= 10V)

零栅极电压漏极电流（V

DS

= 100V, V

GS

= 0V)

门源漏电流（V

DS

= ±20V, V

DS

= 0V)

正向跨导（V

DS

= 10V ，我

D

= 5A)

栅极阈值电压（V

DS

= 10V ，我

D

= 100毫安）

5.0

2.9

3.6

4.4

民

170

典型值

180

2.0

3.0

1

1.0

最大

单位

V

mA

μA

姆欧

V

热特性

符号

R

θ

JC

特征

结到外壳热阻

民

典型值

最大

0.45

单位

° C / W

050-4955修订版B 9-2010

注意事项：

这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。

Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com

动态特性

符号

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

测试条件

V

GS

= 0V

V

DS

= 150V

F = 1MHz的

民

典型值

375

200

12

VRF151E(MP)

最大

单位

pF

功能特点

符号

G

PS

G

PS

η

D

IMD

(d3)

IMD

(d11)

ψ

参数

f

1

= 30MHz的，女

2

= 30.001MHz ，V

DD

= 50V ，我

DQ

= 250毫安，P

OUT

= 150W

PEP

F = 175MHz时，V

DD

= 50V ，我

DQ

= 250毫安，P

OUT

= 150W

f

1

= 30MHz的，女

2

= 30.001MHz ，V

DD

= 50V ，我

DQ

= 250毫安，P

OUT

= 150W

PEP

f

1

= 30MHz的，女

2

= 30.001MHz ，V

DD

= 50V ，我

DQ

= 250毫安，P

OUT

= 150W

PEP 1

f

1

= 30MHz的，女

2

= 30.001MHz ，V

DD

= 50V ，我

DQ

= 250毫安，P

OUT

= 150W

PEP

f

1

= 30MHz的，女

2

= 30.001MHz ，V

DD

= 50V ，我

DQ

= 250毫安，P

OUT

= 150W

PEP

30 ： 1 VSWR - 所有相位角

民

18

典型值

22

14

50

-30

-60

最大

单位

dB

%

dBc的

在输出功率不降低

A级特性

符号

G

PS

IMD

(d3)

IMD

(d9-d13)

测试条件

F = 30MHz的，V

DD

= 50V ，我

DQ

= 250毫安，P

OUT

= 150W

PEP

F = 30MHz的，V

DD

= 50V ，我

DQ

（ MAX）= 3.75A ，P

OUT

= 150W

PEP

F = 30MHz的，V

DD

= 50V ，我

DQ

= 250毫安，P

OUT

= 150W

PEP

民

典型值

20

-50

-75

dB

最大

单位

1. MIL -STD -1311版本A ，测试方法2204B ，双音，参考每个音

Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。

典型性能曲线

25

10V

20

I

D

,

漏电流（ A）

9V

8V

7V

I

D

，漏电流（ A）

20

T

J

= 25°C

15

10

5

0

T

J

= 125°C

14V

30

25

T

J

= -55°C

250μs的脉冲

TEST<0.5 ％占空比

周期

15

10

6V

5

5V

4V

0

0

V

4

8

12

16

20

，漏极至源极电压（ V）

DS （上

)

图1中，输出特性

0

2

4

6

8

10

12

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2 ，传输特性

100

C

国际空间站

I

D

，漏电流（V ）

C，电容（pF ）

C

OSS

20

10

I

DMAX

PDMAX

10

RDS （ ON）

DC线

1

050-4955修订版B 9-2010

C

RSS

1

0

10

20

30

40

50

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3 ，电容VS漏 - 源极电压

0.1

1

T

J

=

125°C

T

C

=

75°C

10

100

250

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图4 ，正向安全工作区

典型性能曲线

0.50

Z

θ

JC

，热阻抗（ ℃/ W）

0.45

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0

10

-5

0.1

0.05

10

-4

单脉冲

10

-3

10

-2

0.3

0.7

0.9

VRF151E(MP)

0.5

注意：

PDM

t1

t2

t

1

=脉冲持续时间

占空比D =

1

/

t2

山顶TJ = PDM X Z

θJC

+ TC

t

10

-1

1.0

矩形脉冲持续时间（秒）

图5.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间

20

IMD ，互调失真（分贝）

25

VDD = 50V ， IDQ = 250毫安，

Freq=150MHz

250

VDD = 50V ， IDQ = 250毫安，

Freq=150MHz

Vdd=50V

30

35

40

45

50

55

60

0

50

100

输出功率（W

PEP

)

IM3

200

Vdd=40V

150

IM5

100

50

150

200

0

0

P

OUT

输出功率（瓦特PEP ）

图6. IMD与P

OUT

5

10

15

20

25

P

OUT

，输入功率（瓦PEP ）

图7： P

OUT

与P

IN

30

050-4955修订版B 9-2010

VRF151E(MP)

30 MHz的测试电路

+ 50VDC

L1

BIAS

0-12V

C5

R1

DUT

R3

RF

输入

C2

C1

C3

R2

C4

C6

C7

T2

C8

L2

C9

+

C10

RF

产量

C1 - 470 pF的云母浸

C2 ，C5，C6 - C9 - 0.1uF的贴片

C3 - 200pF的ATC 700C

C4 - 15pF的， ATC 700C

C10 - 为10uF ， 100V电解

L1 - VK200-4B

L2 - 2铁氧体磁珠， 2.0 uH容

R1，R2 - 51 ， 1瓦碳

R3 - 3.3 ， 1瓦碳

T1 - 9 ：1的变压器

T 2 - 1 ：9的变压器

175 MHz的测试电路

RFC1

+

BIAS

0-12V

L4

R1

C4

C1

L1

C3

C2

R2

DUT

+

C5

R3

L2

L3

C9

C10

C11

RF

产量

+ 50VDC

RF

输入

C6

C7

C8

050-4955修订版B 9-2010

C 1 ，C 2， C 8 - 阿科463或等效

C3 - 25PF ， Unelco

C4 - 0.1uF的，陶瓷

C5 - 1.0微法， 15 WV钽

C6 - 250pF ， Unelco J101

C7-- 25PF ， Unelco J101

C9 - 阿科262或同等学历

C10 - 0.05uF ，陶瓷

C11 - 15uF ， 60WV电解

VRF151E(MP)

加入MP在P的端/ N特定网络连接的ES匹配的一对，其中V

GS （ TH）

相匹配的两部分之间。 V

TH

值

标记在每下表中的设备。

CODE

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

VTH范围

2.900 - 2.975

2.975 - 3.050

3.050 - 3.125

3.125 - 3.200

3.200 - 3.275

3.275 - 3.350

3.350 - 3.425

3.425 - 3.500

3.500 - 3.575

3.575 - 3.650

代码2

M

N

P

R

S

T

W

X

Y

Z

VTH范围

3.650 - 3.725

3.725 - 3.800

3.800 - 3.875

3.875 - 3.950

3.950 - 4.025

4.025 - 4.100

4.100 - 4.175

4.175 - 4.250

4.250 - 4.325

4.325 - 4.400

V

TH

值基于Microsemi的测量结果在表条件的1.0 ％的准确度。

0.5 “国有企业的封装外形

所有尺寸均为± 0.005

A

U

M

1

暗淡

英寸

民

0.096

0.465

0.229

0.216

0.084

0.144

0.003

0.435

45 ° NOM

0.115

0.246

0.720

0.130

0.255

0.730

最大

0.990

0.510

0.275

0.235

0.110

0.178

0.007

MILLIMETERS

民

24.39

11.82

5.82

5.49

2.14

3.66

0.08

11.0

45 ° NOM

2.93

6.25

18.29

3.30

6.47

18.54

最大

25.14

12.95

6.98

5.96

2.79

4.52

0.17

Q

M

4

A

B

R

引脚1 - 来源

PIN 2 - GATE

引脚3 - 来源

PIN 4 - 漏极

B

C

D

E

2

3

H

D

K

J

K

M

J

050-4955修订版B 9-2010

Q

H

E

C

飞机座位

R

U

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583

4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。