VEMT2023SLX01
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威世半导体
硅NPN光电晶体管
特点
封装类型：表面贴装
包装形式：侧视图
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 2.3× 2.55 X 2.3
AEC- Q101标准
高辐射敏感性
日光阻断滤波器， 830 nm的匹配
以950纳米的红外线发射器
快速的响应时间
半灵敏度角度：
= ± 35°
包装与红外发射器系列匹配
VSMB2943SLX01
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb） -free回流焊
描述
VEMT2023SLX01是硅NPN外延平面
光电晶体管的缩影侧面看，表面贴装
封装（ SMD）与圆顶透镜和日光阻断滤波器。
滤波器的带宽匹配与830纳米到950纳米的红外
发射器。
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
应用
检测器在汽车应用
光遮断器
微型开关
计数器
编码器
位置传感器
产品概述
部件
VEMT2023SLX01
记
测试条件见表“基本特征”
I
ca
（MA ）
2.7
（度）
± 35
0.5
（纳米）
790到970
订购信息
订购代码
VEMT2023SLX01
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 3000件， 3000件/卷
包装形式
SIDE VIEW
1.0版， 05 -APR- 13
文档编号： 84166
1
如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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VEMT2023SLX01
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威世半导体
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
T
AMB
75 °C
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
命中率。回流焊温度曲线图。 8
命中率。 J- STD- 051
T
sd
R
thJA
价值
20
7
50
100
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
250
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
电源功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
120
100
80
60
R
thJA
= 250 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70 80
90 100
21619
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极发射极击穿电压
集电极暗电流
集电极 - 发射极电容
收藏家光电流
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
伊卡的温度系数
I
C
= 0.05毫安
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
E
e
= 1
测试条件
I
C
- 0.1毫安
V
CE
= 5 V ， E = 0
V
CE
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
毫瓦/平方厘米
2
,
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
符号
V
首席执行官
I
首席执行官
C
首席执行官
I
ca
p
0.5
V
CESAT
Tk
ICA
1.1
1.3
分钟。
20
1
25
2.7
± 35
860
790到970
0.4
4.1
100
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
mA
度
nm
nm
V
%/K
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P
V
- 功耗（MW ）
VEMT2023SLX01
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
10 000
1
S(λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
60
70
80
90 100
21574
I
CE0
- 集电极暗电流（ NA）
I
F
= 0
1000
V
CE
= 70 V
V
CE
= 25 V
100
V
CE
= 5 V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
600 650 700 750 800 850 900 950 1000 1050 1100
10
1
0
20594
10
20
30
40
50
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
λ
- 波长（nm ）
图。 2 - 集电极暗电流与环境温度
图。 5 - 相对光谱灵敏度与波长
100
0°
S
REL
- 相对辐射灵敏度
10°
20°
30°
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
10
40°
1.0
0.9
0.8
50°
60°
70°
80°
0.7 0.6
0.4
0.2
0
1
V
CE
= 5 V,
λ
= 950 nm的
0.1
0.01
0.1
1
10
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米）
图。 3 - 集电极光电流与光强
图。 6 - 相对辐射灵敏度与角位移
100
2.0
I
CA REL
- 相对集电极电流
90
t
r
/t
f
- 上升/下降时间（μs ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
250
500 750 1000 1250 1500 1750 2000
I
C
- 集电极电流（ μA ）
t
r
t
f
R
L
= 100
Ω
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
20599
94 8239
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 上升/下降时间与集电极电流
图。 7 - 相对集电极电流与环境温度
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- 角位移
VEMT2023SLX01
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回流焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
威世半导体
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
地板寿命
最大。 30秒
温度（℃）
200
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
车间寿命4周
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％
潮湿敏感度等级2A， ACC 。以J- STD- 020 。
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
19841
时间（s）
图。 8 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
包装尺寸VEMT2023SLX01
以毫米为单位
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卷带尺寸VEMT2023SLX01
以毫米为单位
威世半导体
REEL
开卷方向
2.
62 ± 0.5
0.5
5±
磁带位置
从卷轴出来
3000个/卷
330 ± 1
13
±0
.5
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
在这里贴标签
12.4 ± 1.5
领导者和零售商的磁带：
空（160 mm最小。 ）
零件装式
方向牵引出
空（400 mm最小。 ）
在磁带末端位置
我带头
设备
VSMB2943SLX01
VSMF2893SLX01
阴极
VSMB2948SL
VEMD2023SLX01
VEMD2523SLX01
VEMT2023SLX01
集热器
VEMT2523SLX01
阳极
VSMY2853SL
导致II
1.75 ± 0.1
4 ±0.1
2 ± 0.05
X 2:1
1.55 ± 0.05
I
阳极
+0.3
12 -0.1
辐射源
阴极
SEE
表
水彩编号： 9.800-5123.01-4
问题： 2 ; 13年2月19日
5.5 ± 0.05
8 ± 0.1
II
2.85± 0.1
绘画是指以下几种类型：
卷轴尺寸和磁带
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