2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （ D- S）单和四的MOSFET
产品概述
产品型号
2N6660
VQ1004J/P
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
60
r
DS （ ON）
最大值（W）的
3 @ V
GS
= 10 V
3.5 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
0.8-2
为0.8 2.5
I
D
(A)
1.1
0.46
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 1.3
W
低阈值： 1.7 V
低输入电容： 35 pF的
开关速度快： 8纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
固态继电器
双列直插式
TO-205AD
(TO-39)
N
S
1
2N6660
“S”
fllxxyy
2
G
3
D
“S” = Siliconix公司徽标
f
=工厂代码
ll
=批次追踪
XXYY
=日期代码
N
器件标识
SIDE VIEW
D
1
S
1
G
1
NC
G
2
S
2
D
2
D
4
S
4
G
4
NC
G
3
S
3
D
3
N
N
器件标识
顶视图
VQ1004J
“S”
fllxxyy
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VQ1004P
“S”
fllxxyy
“S” = Siliconix公司徽标
f
=工厂代码
ll
=批次追踪
XXYY
=日期代码
顶视图
2N6660
顶视图
塑料： VQ1004J
Sidebraze ： VQ1004P
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单身
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
共有四
VQ1004J/P
单位
V
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
2N6660
60
"20
1.1
0.8
3
6.25
2.5
170
20
VQ1004J
60
"30
0.46
0.26
2
1.3
0.52
0.96
VQ1004P
60
"20
"0.46
0.26
2
1.3
0.52
0.96
A
2
0.8
62.5
W
° C / W
_
_C
功耗
热阻，结到环境
b
热阻，结到外壳
工作结存储温度范围
-55到150
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。该参数不符合JEDEC注册。
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-1
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N6660
VQ1004J/P
参数
STATIC
漏源
击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
T
C
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 35 V, V
GS
= 0 V
75
1.7
60
0.8
2
"100
"500
10
60
V
0.8
2.5
"100
"500
nA
零门
电压漏电流
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
T
C
= 125_C
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
T
C
= 125_C
500
1
500
mA
m
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V，I
D
= 0.3 A
d
3
2
1.3
2.4
350
1
0.8
1.5
5
3
4.2
170
1.5
5
3.5
4.9
170
A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
=
1
A
T
C
= 125_C
d
W
正向跨导
b
常见的来源
输出电导
b
二极管的正向电压
g
fs
g
os
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.1 A
I
S
= 0.99 A，V
GS
= 0 V
mS
V
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏 - 源电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
ds
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
35
25
7
30
50
40
10
40
60
50
10
pF
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
=
25
V ，R
L
= 23
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V
R
G
= 25
W
8
8.5
10
10
10
ns
10
VNDQ06
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v80
ms
占空比
v1%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
。该参数不符合JEDEC对2N6660注册。
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
2.0
V
GS
= 10 V
1.6
I
D
- 漏极电流（ A）
8V
7V
6V
1.2
5V
0.8
4V
0.4
3V
2V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（mA ）
80
2.6 V
60
100
输出特性为低栅极驱动
V
GS
= 10 V
2.8 V
40
2.4 V
2.2 V
20
2.0 V
1.8 V
传输特性
1.0
T
J
= –55_C
0.8
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
= 15 V
125_C
0.6
25_C
2.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
2.8
导通电阻与栅极至源极电压
1.0 A
0.5 A
0.4
I
D
= 0.1 A
0.2
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
2.5
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
（归一化）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
2.25
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= 10 V
2.00
I
D
= 1.0 A
1.75
0.2 A
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
2.0
1.5
VGS = 10 V
1.0
0.5
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–50
–10
30
70
110
150
I
D
- 漏极电流（ A）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-3
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
阈值区域
10
V
DS
= 5 V
100
T
J
= 150_C
I
D
- 漏电流（mA ）
1
- 电容（pF ）
80
120
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
电容
60
25_C
0.1
40
C
国际空间站
C
OSS
20
C
RSS
125_C
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
–55_C
0
0
10
20
30
40
50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
15.0
I
D
= 1.0 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12.5
吨 - 开关时间（纳秒）
V
DS
= 30 V
10.0
50
100
负载条件影响的开关
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
W
V
GS
= 0到10伏
20
10
t
D（关闭）
5
t
r
t
D（上）
2
1
t
f
7.5
48 V
5.0
2.5
0
0
100
200
300
400
500
600
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
0.1
1
I
D
- 漏极电流（ A）
10
标准化的有效瞬态热阻抗，结至外壳（ TO- 205AD ）
1.0
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJC
= 20℃ / W的
3. T
JM
– T
C
= P
DM
Z
thJC （T ）
0.01
0.1
1.0
10
100
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
11-4
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （ D- S）单和四的MOSFET
产品概述
产品型号
2N6660
VQ1004J/P
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
60
r
DS （ ON）
最大值（W）的
3 @ V
GS
= 10 V
3.5 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
0.8-2
为0.8 2.5
I
D
(A)
1.1
0.46
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 1.3
W
低阈值： 1.7 V
低输入电容： 35 pF的
开关速度快： 8纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
固态继电器
双列直插式
TO-205AD
(TO-39)
N
S
1
2N6660
“S”
fllxxyy
2
G
3
D
“S” = Siliconix公司徽标
f
=工厂代码
ll
=批次追踪
XXYY
=日期代码
N
器件标识
SIDE VIEW
D
1
S
1
G
1
NC
G
2
S
2
D
2
D
4
S
4
G
4
NC
G
3
S
3
D
3
N
N
器件标识
顶视图
VQ1004J
“S”
fllxxyy
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VQ1004P
“S”
fllxxyy
“S” = Siliconix公司徽标
f
=工厂代码
ll
=批次追踪
XXYY
=日期代码
顶视图
2N6660
顶视图
塑料： VQ1004J
Sidebraze ： VQ1004P
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单身
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
共有四
VQ1004J/P
单位
V
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
2N6660
60
"20
1.1
0.8
3
6.25
2.5
170
20
VQ1004J
60
"30
0.46
0.26
2
1.3
0.52
0.96
VQ1004P
60
"20
"0.46
0.26
2
1.3
0.52
0.96
A
2
0.8
62.5
W
° C / W
_
_C
功耗
热阻，结到环境
b
热阻，结到外壳
工作结存储温度范围
-55到150
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。该参数不符合JEDEC注册。
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-1
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N6660
VQ1004J/P
参数
STATIC
漏源
击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
T
C
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 35 V, V
GS
= 0 V
75
1.7
60
0.8
2
"100
"500
10
60
V
0.8
2.5
"100
"500
nA
零门
电压漏电流
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
T
C
= 125_C
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
T
C
= 125_C
500
1
500
mA
m
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V，I
D
= 0.3 A
d
3
2
1.3
2.4
350
1
0.8
1.5
5
3
4.2
170
1.5
5
3.5
4.9
170
A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
=
1
A
T
C
= 125_C
d
W
正向跨导
b
常见的来源
输出电导
b
二极管的正向电压
g
fs
g
os
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.1 A
I
S
= 0.99 A，V
GS
= 0 V
mS
V
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏 - 源电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
ds
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
35
25
7
30
50
40
10
40
60
50
10
pF
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
=
25
V ，R
L
= 23
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V
R
G
= 25
W
8
8.5
10
10
10
ns
10
VNDQ06
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v80
ms
占空比
v1%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
。该参数不符合JEDEC对2N6660注册。
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
2.0
V
GS
= 10 V
1.6
I
D
- 漏极电流（ A）
8V
7V
6V
1.2
5V
0.8
4V
0.4
3V
2V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（mA ）
80
2.6 V
60
100
输出特性为低栅极驱动
V
GS
= 10 V
2.8 V
40
2.4 V
2.2 V
20
2.0 V
1.8 V
传输特性
1.0
T
J
= –55_C
0.8
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
= 15 V
125_C
0.6
25_C
2.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
2.8
导通电阻与栅极至源极电压
1.0 A
0.5 A
0.4
I
D
= 0.1 A
0.2
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
2.5
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
（归一化）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
2.25
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= 10 V
2.00
I
D
= 1.0 A
1.75
0.2 A
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
2.0
1.5
VGS = 10 V
1.0
0.5
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–50
–10
30
70
110
150
I
D
- 漏极电流（ A）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-3
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
阈值区域
10
V
DS
= 5 V
100
T
J
= 150_C
I
D
- 漏电流（mA ）
1
- 电容（pF ）
80
120
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
电容
60
25_C
0.1
40
C
国际空间站
C
OSS
20
C
RSS
125_C
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
–55_C
0
0
10
20
30
40
50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
15.0
I
D
= 1.0 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12.5
吨 - 开关时间（纳秒）
V
DS
= 30 V
10.0
50
100
负载条件影响的开关
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
W
V
GS
= 0到10伏
20
10
t
D（关闭）
5
t
r
t
D（上）
2
1
t
f
7.5
48 V
5.0
2.5
0
0
100
200
300
400
500
600
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
0.1
1
I
D
- 漏极电流（ A）
10
标准化的有效瞬态热阻抗，结至外壳（ TO- 205AD ）
1.0
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJC
= 20℃ / W的
3. T
JM
– T
C
= P
DM
Z
thJC （T ）
0.01
0.1
1.0
10
100
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
11-4
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （ D- S）单和四的MOSFET
产品概述
产品型号
2N6660
VQ1004J/P
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
60
r
DS （ ON）
最大值（W）的
3 @ V
GS
= 10 V
3.5 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
0.8-2
为0.8 2.5
I
D
(A)
1.1
0.46
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 1.3
W
低阈值： 1.7 V
低输入电容： 35 pF的
开关速度快： 8纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
固态继电器
双列直插式
TO-205AD
(TO-39)
N
S
1
2N6660
“S”
fllxxyy
2
G
3
D
“S” = Siliconix公司徽标
f
=工厂代码
ll
=批次追踪
XXYY
=日期代码
N
器件标识
SIDE VIEW
D
1
S
1
G
1
NC
G
2
S
2
D
2
D
4
S
4
G
4
NC
G
3
S
3
D
3
N
N
器件标识
顶视图
VQ1004J
“S”
fllxxyy
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VQ1004P
“S”
fllxxyy
“S” = Siliconix公司徽标
f
=工厂代码
ll
=批次追踪
XXYY
=日期代码
顶视图
2N6660
顶视图
塑料： VQ1004J
Sidebraze ： VQ1004P
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单身
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
共有四
VQ1004J/P
单位
V
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
2N6660
60
"20
1.1
0.8
3
6.25
2.5
170
20
VQ1004J
60
"30
0.46
0.26
2
1.3
0.52
0.96
VQ1004P
60
"20
"0.46
0.26
2
1.3
0.52
0.96
A
2
0.8
62.5
W
° C / W
_
_C
功耗
热阻，结到环境
b
热阻，结到外壳
工作结存储温度范围
-55到150
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。该参数不符合JEDEC注册。
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-1
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N6660
VQ1004J/P
参数
STATIC
漏源
击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
T
C
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 35 V, V
GS
= 0 V
75
1.7
60
0.8
2
"100
"500
10
60
V
0.8
2.5
"100
"500
nA
零门
电压漏电流
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
T
C
= 125_C
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
T
C
= 125_C
500
1
500
mA
m
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V，I
D
= 0.3 A
d
3
2
1.3
2.4
350
1
0.8
1.5
5
3
4.2
170
1.5
5
3.5
4.9
170
A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
=
1
A
T
C
= 125_C
d
W
正向跨导
b
常见的来源
输出电导
b
二极管的正向电压
g
fs
g
os
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.1 A
I
S
= 0.99 A，V
GS
= 0 V
mS
V
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏 - 源电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
ds
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
35
25
7
30
50
40
10
40
60
50
10
pF
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
=
25
V ，R
L
= 23
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V
R
G
= 25
W
8
8.5
10
10
10
ns
10
VNDQ06
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v80
ms
占空比
v1%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
。该参数不符合JEDEC对2N6660注册。
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
2.0
V
GS
= 10 V
1.6
I
D
- 漏极电流（ A）
8V
7V
6V
1.2
5V
0.8
4V
0.4
3V
2V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（mA ）
80
2.6 V
60
100
输出特性为低栅极驱动
V
GS
= 10 V
2.8 V
40
2.4 V
2.2 V
20
2.0 V
1.8 V
传输特性
1.0
T
J
= –55_C
0.8
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
= 15 V
125_C
0.6
25_C
2.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
2.8
导通电阻与栅极至源极电压
1.0 A
0.5 A
0.4
I
D
= 0.1 A
0.2
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
2.5
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
（归一化）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
2.25
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= 10 V
2.00
I
D
= 1.0 A
1.75
0.2 A
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
2.0
1.5
VGS = 10 V
1.0
0.5
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–50
–10
30
70
110
150
I
D
- 漏极电流（ A）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-3
2N6660 ， VQ1004J / P
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
阈值区域
10
V
DS
= 5 V
100
T
J
= 150_C
I
D
- 漏电流（mA ）
1
- 电容（pF ）
80
120
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
电容
60
25_C
0.1
40
C
国际空间站
C
OSS
20
C
RSS
125_C
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
–55_C
0
0
10
20
30
40
50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
15.0
I
D
= 1.0 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12.5
吨 - 开关时间（纳秒）
V
DS
= 30 V
10.0
50
100
负载条件影响的开关
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
W
V
GS
= 0到10伏
20
10
t
D（关闭）
5
t
r
t
D（上）
2
1
t
f
7.5
48 V
5.0
2.5
0
0
100
200
300
400
500
600
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
0.1
1
I
D
- 漏极电流（ A）
10
标准化的有效瞬态热阻抗，结至外壳（ TO- 205AD ）
1.0
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJC
= 20℃ / W的
3. T
JM
– T
C
= P
DM
Z
thJC （T ）
0.01
0.1
1.0
10
100
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
11-4
文档编号： 70222
S- 04379 -REV 。 E， 16 -JUL- 01
QQ：2880707522 复制
