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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第88页 > VQ1000J
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
产品型号
2N7000
2N7002
VQ1000J
VQ1000P
BS170
60
V
( BR ) DSS
敏( V)
r
DS ( ON)
最大值(W)的
5 @ V
GS
= 10 V
7.5 @ V
GS
= 10 V
5.5 @ V
GS
= 10 V
5.5 @ V
GS
= 10 V
5 @ V
GS
= 10 V
V
GS ( TH)
(V)
0.83
1到2.5
为0.8 2.5
为0.8 2.5
0.83
I
D
(A)
0.2
0.115
0.225
0.225
0.5
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻: 2.5
W
低阈值: 2.1 V
低输入电容: 22 pF的
开关速度快: 7纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口: TTL / CMOS
D
司机:继电器,螺线管,照明灯,锤子,
显示器,记忆,晶体管等。
D
电池供电系统
D
固态继电器
TO-226AA
(TO-92)
S
1
G
G
2
S
D
3
2
1
TO-236
(SOT-23)
3
D
顶视图
顶视图
2N7000
标识代码: 72wll
72 =型号代码为2N7002
w
=周典
ll
=批次追踪
双列直插式
D
1
N
S
1
G
1
NC
G
2
N
S
2
D
2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
D
4
S
4
G
4
NC
G
3
G
S
3
D
3
N
S
3
2
D
1
N
TO-92-18RM
( TO- 18引脚形式)
顶视图
塑料: VQ1000J
Sidebraze : VQ1000P
顶视图
BS170
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
www.vishay.com
11-1
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
单身
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压不重复
栅源电压,连续
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
共有四
VQ1000J/P
BS170
60
"25
"20
0.225
0.14
1
1.3
0.52
96
2
0.8
62.5
156
0.83
W
° C / W
_C
"20
0.5
0.175
A
V
符号
V
DS
V
GSM
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
2N7000
60
"40
"20
0.2
0.13
0.5
0.4
0.16
312.5
2N7002
60
"40
"20
0.115
0.073
0.8
0.2
0.08
625
VQ1000J
60
"30
"20
0.225
0.14
1
1.3
0.52
96
VQ1000P
60
单位
功耗
热阻,结到环境
工作结
存储温度范围
-55到150
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。吨
p
v
50
女士。
规格2N7000和2N7002 (T
A
= 25 ° C除非另有说明)
范围
2N7000
2N7002
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
典型值
a
最大
最大
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
70
2.1
2.0
60
0.8
3
60
V
1
"10
"100
1
1000
1
500
mA
m
2.5
nA
门体漏
零栅极电压漏极电流
I
DSS
T
C
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
T
C
= 125_C
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 7.5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.075 A
V
GS
= 5 V,I
D
= 0.05 A
0.35
1
4.5
3.2
5.8
2.4
4.4
100
0.5
0.075
通态漏电流
b
I
D(上)
0.5
5.3
7.5
13.5
5
9
80
7.5
13.5
A
漏源导通电阻
b
r
DS ( ON)
T
C
= 125_C
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 A
T
J
= 125_C
W
正向跨导
b
共源输出电导
b
g
fs
g
os
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.2 A
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.05 A
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
22
11
2
60
25
5
50
25
5
pF
www.vishay.com
11-2
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
规格2N7000和2N7002 (T
A
= 25 ° C除非另有说明)
范围
2N7000
2N7002
参数
开关
d
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
测试条件
典型值
a
最大
最大
单位
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
V
DD
= 15 V ,R
L
= 25
W
I
D
^0.5
A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
V
DD
= 30 V ,R
L
= 150
W
I
D
^
0.2 A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
7
7
7
11
10
10
20
20
ns
规格VQ1000J / P和BS170 (T
A
= 25 ° C除非另有说明)
范围
VQ1000J/P
BS170
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"10
V
T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V,I
D
= 0.2 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.2 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.3 A
T
J
= 125_C
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.2 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.5 A
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.05 A
典型值
a
最大
最大
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
70
2.1
60
0.8
2.5
"100
"500
60
0.8
3
V
门体漏
I
GSS
nA
"10
0.5
零栅极电压漏极电流
当前
b
I
DSS
I
D(上)
500
10
1
4
2.3
2.3
4.2
5.5
7.6
100
100
0.5
0.5
7.5
5
m
mA
A
导通状态漏极
漏源导通电阻
b
r
DS ( ON)
W
正向跨导
b
共源输出
b
g
fs
g
os
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
22
11
2
60
25
5
60
pF
开关
d
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
V
DD
= 15 V ,R
L
= 23
W
I
D
^
0.6 A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
V
DD
= 25 V ,R
L
= 125
W
I
D
^
0.2 A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
7
7
7
7
10
10
10
10
ns
笔记
一。对于辅助设计ONLY,不受生产测试。
B 。脉冲测试: PW
v80
ms
占空比
v1%.
。该参数不符合JEDEC注册。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
VNBF06
www.vishay.com
11-3
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
典型特征(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
输出特性
1.0
V
GS
= 10, 9, 8, 7 V
0.8
I
D
- 漏极电流( A)
6.5 V
6V
I
D
- 漏极电流( A)
5.5 V
0.6
5V
0.4
4.5 V
4V
3.5 V
3V
0.0
0
1
2
3
4
5
0.8
T
J
= –55_C
25_C
0.6
125_C
0.4
1.0
传输特性
0.2
0.2
2.5 V
2, 1 V
6
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
导通电阻与漏电流
7
6
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
r
DS
@ 5 V = V
GS
5
4
3
2
1
0
0.0
r
DS
@ 10 V = V
GS
- 电容(pF )
40
60
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
50
电容
30
C
国际空间站
20
C
OSS
10
C
RSS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 漏极电流( A)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
20
I
D
= 0.5 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
16
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
(归一化)
V
GS
= 10 V ,R
DS
@ 0.5 A
1.5
12
V
DS
= 30 V
8
1.0
V
GS
= 5 V ,R
DS
@ 0.05 A
0.5
4
0
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0.0
–55
–30
–5
20
45
70
95
120
145
Q
g
- 总栅极电荷( PC)
T
J
=结温( ° C)
www.vishay.com
11-4
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
典型特征(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
源极 - 漏极二极管正向电压
1.000
6
导通电阻与栅极至源极电压
5
T
J
= 125_C
I
S
- 源电流( A)
0.100
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
I
D
= 50毫安
4
500毫安
3
T
J
= 25_C
0.010
2
1
0.001
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
阈值电压
0.50
I
D
= 250
mA
0.25
V
GS ( TH)
- 方差( V)
–0.00
–0.25
–0.50
–0.75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
标准化的有效瞬态热阻抗,结到环境( TO- 226AA , BS170只)
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项:
P
DM
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
2.每单位基础= R
thJA
= 156_C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间(秒)
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
www.vishay.com
11-5
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
产品型号
2N7000
2N7002
VQ1000J
VQ1000P
BS170
60
V
( BR ) DSS
敏( V)
r
DS ( ON)
最大值(W)的
5 @ V
GS
= 10 V
7.5 @ V
GS
= 10 V
5.5 @ V
GS
= 10 V
5.5 @ V
GS
= 10 V
5 @ V
GS
= 10 V
V
GS ( TH)
(V)
0.83
1到2.5
为0.8 2.5
为0.8 2.5
0.83
I
D
(A)
0.2
0.115
0.225
0.225
0.5
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻: 2.5
W
低阈值: 2.1 V
低输入电容: 22 pF的
开关速度快: 7纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口: TTL / CMOS
D
司机:继电器,螺线管,照明灯,锤子,
显示器,记忆,晶体管等。
D
电池供电系统
D
固态继电器
TO-226AA
(TO-92)
S
1
G
G
2
S
D
3
2
1
TO-236
(SOT-23)
3
D
顶视图
顶视图
2N7000
标识代码: 72wll
72 =型号代码为2N7002
w
=周典
ll
=批次追踪
双列直插式
D
1
N
S
1
G
1
NC
G
2
N
S
2
D
2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
D
4
S
4
G
4
NC
G
3
G
S
3
D
3
N
S
3
2
D
1
N
TO-92-18RM
( TO- 18引脚形式)
顶视图
塑料: VQ1000J
Sidebraze : VQ1000P
顶视图
BS170
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
www.vishay.com
11-1
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
单身
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压不重复
栅源电压,连续
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
共有四
VQ1000J/P
BS170
60
"25
"20
0.225
0.14
1
1.3
0.52
96
2
0.8
62.5
156
0.83
W
° C / W
_C
"20
0.5
0.175
A
V
符号
V
DS
V
GSM
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
2N7000
60
"40
"20
0.2
0.13
0.5
0.4
0.16
312.5
2N7002
60
"40
"20
0.115
0.073
0.8
0.2
0.08
625
VQ1000J
60
"30
"20
0.225
0.14
1
1.3
0.52
96
VQ1000P
60
单位
功耗
热阻,结到环境
工作结
存储温度范围
-55到150
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。吨
p
v
50
女士。
规格2N7000和2N7002 (T
A
= 25 ° C除非另有说明)
范围
2N7000
2N7002
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
典型值
a
最大
最大
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
70
2.1
2.0
60
0.8
3
60
V
1
"10
"100
1
1000
1
500
mA
m
2.5
nA
门体漏
零栅极电压漏极电流
I
DSS
T
C
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
T
C
= 125_C
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 7.5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.075 A
V
GS
= 5 V,I
D
= 0.05 A
0.35
1
4.5
3.2
5.8
2.4
4.4
100
0.5
0.075
通态漏电流
b
I
D(上)
0.5
5.3
7.5
13.5
5
9
80
7.5
13.5
A
漏源导通电阻
b
r
DS ( ON)
T
C
= 125_C
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 A
T
J
= 125_C
W
正向跨导
b
共源输出电导
b
g
fs
g
os
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.2 A
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.05 A
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
22
11
2
60
25
5
50
25
5
pF
www.vishay.com
11-2
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
规格2N7000和2N7002 (T
A
= 25 ° C除非另有说明)
范围
2N7000
2N7002
参数
开关
d
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
测试条件
典型值
a
最大
最大
单位
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
V
DD
= 15 V ,R
L
= 25
W
I
D
^0.5
A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
V
DD
= 30 V ,R
L
= 150
W
I
D
^
0.2 A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
7
7
7
11
10
10
20
20
ns
规格VQ1000J / P和BS170 (T
A
= 25 ° C除非另有说明)
范围
VQ1000J/P
BS170
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"10
V
T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V,I
D
= 0.2 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.2 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.3 A
T
J
= 125_C
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.2 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.5 A
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.05 A
典型值
a
最大
最大
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
70
2.1
60
0.8
2.5
"100
"500
60
0.8
3
V
门体漏
I
GSS
nA
"10
0.5
零栅极电压漏极电流
当前
b
I
DSS
I
D(上)
500
10
1
4
2.3
2.3
4.2
5.5
7.6
100
100
0.5
0.5
7.5
5
m
mA
A
导通状态漏极
漏源导通电阻
b
r
DS ( ON)
W
正向跨导
b
共源输出
b
g
fs
g
os
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
22
11
2
60
25
5
60
pF
开关
d
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
V
DD
= 15 V ,R
L
= 23
W
I
D
^
0.6 A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
V
DD
= 25 V ,R
L
= 125
W
I
D
^
0.2 A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
7
7
7
7
10
10
10
10
ns
笔记
一。对于辅助设计ONLY,不受生产测试。
B 。脉冲测试: PW
v80
ms
占空比
v1%.
。该参数不符合JEDEC注册。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
VNBF06
www.vishay.com
11-3
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
典型特征(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
输出特性
1.0
V
GS
= 10, 9, 8, 7 V
0.8
I
D
- 漏极电流( A)
6.5 V
6V
I
D
- 漏极电流( A)
5.5 V
0.6
5V
0.4
4.5 V
4V
3.5 V
3V
0.0
0
1
2
3
4
5
0.8
T
J
= –55_C
25_C
0.6
125_C
0.4
1.0
传输特性
0.2
0.2
2.5 V
2, 1 V
6
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
导通电阻与漏电流
7
6
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
r
DS
@ 5 V = V
GS
5
4
3
2
1
0
0.0
r
DS
@ 10 V = V
GS
- 电容(pF )
40
60
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
50
电容
30
C
国际空间站
20
C
OSS
10
C
RSS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 漏极电流( A)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
20
I
D
= 0.5 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
16
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
(归一化)
V
GS
= 10 V ,R
DS
@ 0.5 A
1.5
12
V
DS
= 30 V
8
1.0
V
GS
= 5 V ,R
DS
@ 0.05 A
0.5
4
0
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0.0
–55
–30
–5
20
45
70
95
120
145
Q
g
- 总栅极电荷( PC)
T
J
=结温( ° C)
www.vishay.com
11-4
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
典型特征(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
源极 - 漏极二极管正向电压
1.000
6
导通电阻与栅极至源极电压
5
T
J
= 125_C
I
S
- 源电流( A)
0.100
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
I
D
= 50毫安
4
500毫安
3
T
J
= 25_C
0.010
2
1
0.001
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
阈值电压
0.50
I
D
= 250
mA
0.25
V
GS ( TH)
- 方差( V)
–0.00
–0.25
–0.50
–0.75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
标准化的有效瞬态热阻抗,结到环境( TO- 226AA , BS170只)
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项:
P
DM
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
2.每单位基础= R
thJA
= 156_C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间(秒)
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
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11-5
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
产品型号
2N7000
2N7002
VQ1000J
VQ1000P
BS170
60
V
( BR ) DSS
敏( V)
r
DS ( ON)
最大值(W)的
5 @ V
GS
= 10 V
7.5 @ V
GS
= 10 V
5.5 @ V
GS
= 10 V
5.5 @ V
GS
= 10 V
5 @ V
GS
= 10 V
V
GS ( TH)
(V)
0.83
1到2.5
为0.8 2.5
为0.8 2.5
0.83
I
D
(A)
0.2
0.115
0.225
0.225
0.5
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻: 2.5
W
低阈值: 2.1 V
低输入电容: 22 pF的
开关速度快: 7纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口: TTL / CMOS
D
司机:继电器,螺线管,照明灯,锤子,
显示器,记忆,晶体管等。
D
电池供电系统
D
固态继电器
TO-226AA
(TO-92)
S
1
G
G
2
S
D
3
2
1
TO-236
(SOT-23)
3
D
顶视图
顶视图
2N7000
标识代码: 72wll
72 =型号代码为2N7002
w
=周典
ll
=批次追踪
双列直插式
D
1
N
S
1
G
1
NC
G
2
N
S
2
D
2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
D
4
S
4
G
4
NC
G
3
G
S
3
D
3
N
S
3
2
D
1
N
TO-92-18RM
( TO- 18引脚形式)
顶视图
塑料: VQ1000J
Sidebraze : VQ1000P
顶视图
BS170
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
www.vishay.com
11-1
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
单身
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压不重复
栅源电压,连续
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
共有四
VQ1000J/P
BS170
60
"25
"20
0.225
0.14
1
1.3
0.52
96
2
0.8
62.5
156
0.83
W
° C / W
_C
"20
0.5
0.175
A
V
符号
V
DS
V
GSM
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
2N7000
60
"40
"20
0.2
0.13
0.5
0.4
0.16
312.5
2N7002
60
"40
"20
0.115
0.073
0.8
0.2
0.08
625
VQ1000J
60
"30
"20
0.225
0.14
1
1.3
0.52
96
VQ1000P
60
单位
功耗
热阻,结到环境
工作结
存储温度范围
-55到150
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。吨
p
v
50
女士。
规格2N7000和2N7002 (T
A
= 25 ° C除非另有说明)
范围
2N7000
2N7002
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
典型值
a
最大
最大
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
70
2.1
2.0
60
0.8
3
60
V
1
"10
"100
1
1000
1
500
mA
m
2.5
nA
门体漏
零栅极电压漏极电流
I
DSS
T
C
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
T
C
= 125_C
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 7.5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.075 A
V
GS
= 5 V,I
D
= 0.05 A
0.35
1
4.5
3.2
5.8
2.4
4.4
100
0.5
0.075
通态漏电流
b
I
D(上)
0.5
5.3
7.5
13.5
5
9
80
7.5
13.5
A
漏源导通电阻
b
r
DS ( ON)
T
C
= 125_C
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 A
T
J
= 125_C
W
正向跨导
b
共源输出电导
b
g
fs
g
os
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.2 A
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.05 A
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
22
11
2
60
25
5
50
25
5
pF
www.vishay.com
11-2
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
规格2N7000和2N7002 (T
A
= 25 ° C除非另有说明)
范围
2N7000
2N7002
参数
开关
d
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
测试条件
典型值
a
最大
最大
单位
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
V
DD
= 15 V ,R
L
= 25
W
I
D
^0.5
A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
V
DD
= 30 V ,R
L
= 150
W
I
D
^
0.2 A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
7
7
7
11
10
10
20
20
ns
规格VQ1000J / P和BS170 (T
A
= 25 ° C除非另有说明)
范围
VQ1000J/P
BS170
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"10
V
T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V,I
D
= 0.2 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.2 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.3 A
T
J
= 125_C
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.2 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.5 A
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.05 A
典型值
a
最大
最大
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
70
2.1
60
0.8
2.5
"100
"500
60
0.8
3
V
门体漏
I
GSS
nA
"10
0.5
零栅极电压漏极电流
当前
b
I
DSS
I
D(上)
500
10
1
4
2.3
2.3
4.2
5.5
7.6
100
100
0.5
0.5
7.5
5
m
mA
A
导通状态漏极
漏源导通电阻
b
r
DS ( ON)
W
正向跨导
b
共源输出
b
g
fs
g
os
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
22
11
2
60
25
5
60
pF
开关
d
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
V
DD
= 15 V ,R
L
= 23
W
I
D
^
0.6 A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
V
DD
= 25 V ,R
L
= 125
W
I
D
^
0.2 A,V
= 10 V ,R
G
= 25
W
7
7
7
7
10
10
10
10
ns
笔记
一。对于辅助设计ONLY,不受生产测试。
B 。脉冲测试: PW
v80
ms
占空比
v1%.
。该参数不符合JEDEC注册。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
VNBF06
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11-3
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
典型特征(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
输出特性
1.0
V
GS
= 10, 9, 8, 7 V
0.8
I
D
- 漏极电流( A)
6.5 V
6V
I
D
- 漏极电流( A)
5.5 V
0.6
5V
0.4
4.5 V
4V
3.5 V
3V
0.0
0
1
2
3
4
5
0.8
T
J
= –55_C
25_C
0.6
125_C
0.4
1.0
传输特性
0.2
0.2
2.5 V
2, 1 V
6
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
导通电阻与漏电流
7
6
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
r
DS
@ 5 V = V
GS
5
4
3
2
1
0
0.0
r
DS
@ 10 V = V
GS
- 电容(pF )
40
60
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
50
电容
30
C
国际空间站
20
C
OSS
10
C
RSS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 漏极电流( A)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
20
I
D
= 0.5 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
16
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
(归一化)
V
GS
= 10 V ,R
DS
@ 0.5 A
1.5
12
V
DS
= 30 V
8
1.0
V
GS
= 5 V ,R
DS
@ 0.05 A
0.5
4
0
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0.0
–55
–30
–5
20
45
70
95
120
145
Q
g
- 总栅极电荷( PC)
T
J
=结温( ° C)
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文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
典型特征(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
源极 - 漏极二极管正向电压
1.000
6
导通电阻与栅极至源极电压
5
T
J
= 125_C
I
S
- 源电流( A)
0.100
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
I
D
= 50毫安
4
500毫安
3
T
J
= 25_C
0.010
2
1
0.001
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
阈值电压
0.50
I
D
= 250
mA
0.25
V
GS ( TH)
- 方差( V)
–0.00
–0.25
–0.50
–0.75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
标准化的有效瞬态热阻抗,结到环境( TO- 226AA , BS170只)
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项:
P
DM
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
2.每单位基础= R
thJA
= 156_C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间(秒)
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