TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
TP0610L
TP0610T
VP0610L
VP0610T
BS250
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
60
60
60
60
45
r
DS （ ON）
最大值（W）的
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
14 @ V
GS
=
10
V
V
GS （ TH）
(V)
1
to
2.4
1
to
2.4
1
to
3.5
1
to
3.5
1
to
3.5
I
D
(A)
0.18
0.12
0.18
0.12
0.18
特点
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 8
W
低阈值：
1.9
V
开关速度快： 16纳秒
低输入电容： 15 pF的
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速开关
轻松驱动无缓冲器
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆，
晶体管等。
D
电池供电系统
D
电源供应器，转换器电路
D
电机控制
TO-226AA
(TO-92)
S
G
1
器件标识
前视图
TP0610L
“S”型的TP
0610L
xxll
TO-92-18RM
（ TO- 18引脚形式）
D
G
1
器件标识
前视图
BS250
2
“S” BS
250
xxll
“S” = Siliconix公司徽标
xxll
=日期代码
G
1
3
S
2
D
TO-236
(SOT-23)
标识代码：
TP0610T ： TOwll
VP0610T ： VOwll
w
=周典
lL
=批次追踪
顶视图
TP0610T
VP0610T
2
D
3
顶视图
TP0610L
VP0610L
VP0610L
“S ”VP
0610L
xxll
S
3
顶视图
BS250
“S” = Siliconix公司徽标
xxll
=日期代码
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
TP0610L
60
"30
0.18
0.11
0.8
0.8
0.32
156
TP0610T
60
"30
0.12
0.07
0.4
0.36
0.14
350
VP0610L
60
"30
0.18
0.11
0.8
0.8
0.32
156
55
150
VP0610T
60
"30
0.12
0.07
0.4
0.36
0.14
350
BS250
45
"25
0.18
单位
V
A
0.83
150
功耗
热阻，结到环境
W
° C / W
_C
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
应用程序信息，请参阅AN804 。
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
1
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
TP0610L/T
VP0610L/T
BS250
参数
STATIC
漏源
漏源
击穿电压
栅极阈值
电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
V
GS
= 0 V，I
D
=
10
mA
V
GS
= 0 V，I
D
=
100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
1
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
70
60
60
45
V
3.5
1.9
1
2.4
"10
"50
1
3.5
"10
1
门体漏
y
g
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V，T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
V
DS
=
48
V, V
GS
= 0 V
nA
"20
1
200
0.5
m
mA
1
200
零加速度
栅极电压
漏电流
I
DSS
V
DS
=
48
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
=
25
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V
180
L结尾
牛逼SUF科幻X
11
L结尾
L结尾
牛逼SUF科幻X
L结尾
牛逼SUF科幻X
8
15
6.5
20
90
1.1
80
60
750
50
导通状态漏极
O 4 S
当前
b
I
D（上）
V
DS
=
10
V V
GS
=
10
V
10 V,
10
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
25
mA
600
220
25
10
20
10
10
20
10
14
mA
漏源
导通电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.5
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.5
A，T
J
= 125_C
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.2
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
0.5
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
0.1
A
I
S
=
0.5
A，V
GS
= 0 V
W
前锋
跨
b
二极管正向
电压
g
f
fs
V
SD
70
mS
V
动态
输入电容
输出电容
反向传输
电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=
25
V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
15
10
3
60
25
5
60
25
5
pF
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
=
25
V ，R
L
= 133
W
25
I
D
^
0.18
A，V
根
=
10
V ，R
g
= 25
W
8
8
10
10
ns
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
VPDS06
www.vishay.com
2
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.0
V
GS
= 10 V
7V
0.8
I D
漏电流（ A）
I D
漏极电流（mA ）
8V
900
25_C
600
125_C
1200
T
J
=
55_C
传输特性
0.6
6V
0.4
5V
0.2
4V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
300
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
40
V
GS
= 0 V
导通电阻与漏电流
20
电容
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
16
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
32
C
国际空间站
24
12
V
GS
= 5 V
8
V
GS
= 10 V
16
C
OSS
8
C
RSS
4
0
0
200
400
600
800
1000
I
D
漏极电流（mA ）
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
漏极至源极电压（ V）
15
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 500毫安
12
栅极电荷
1.8
1.5
V
DS
= 30 V
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
V
DS
= 48 V
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V @ 500毫安
9
V
GS
= 4.5 V @ 25毫安
6
3
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
3
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
V
GS
= 0 V
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
8
I
D
= 500毫安
10
导通电阻与栅源电压
I
S
源电流（ A）
100
T
J
= 125_C
6
4
10
T
J
= 25_C
T
J
=
55_C
I
D
= 200毫安
2
1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压变化过温
0.5
0.4
V GS （ TH）方差（V ）
0.3
功率（W）的
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
50
0.5
0
25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
2
1.5
I
D
= 250
mA
3
2.5
单脉冲功率，结到环境
1
T
A
= 25_C
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
结温（ ° C）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 350 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
TP0610L
TP0610T
VP0610L
VP0610T
BS250
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
60
60
60
60
45
r
DS （ ON）
最大值（W）的
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
14 @ V
GS
=
10
V
V
GS （ TH）
(V)
1
to
2.4
1
to
2.4
1
to
3.5
1
to
3.5
1
to
3.5
I
D
(A)
0.18
0.12
0.18
0.12
0.18
特点
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 8
W
低阈值：
1.9
V
开关速度快： 16纳秒
低输入电容： 15 pF的
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速开关
轻松驱动无缓冲器
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆，
晶体管等。
D
电池供电系统
D
电源供应器，转换器电路
D
电机控制
TO-226AA
(TO-92)
S
G
1
器件标识
前视图
TP0610L
“S”型的TP
0610L
xxll
TO-92-18RM
（ TO- 18引脚形式）
D
G
1
器件标识
前视图
BS250
2
“S” BS
250
xxll
“S” = Siliconix公司徽标
xxll
=日期代码
G
1
3
S
2
D
TO-236
(SOT-23)
标识代码：
TP0610T ： TOwll
VP0610T ： VOwll
w
=周典
lL
=批次追踪
顶视图
TP0610T
VP0610T
2
D
3
顶视图
TP0610L
VP0610L
VP0610L
“S ”VP
0610L
xxll
S
3
顶视图
BS250
“S” = Siliconix公司徽标
xxll
=日期代码
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
TP0610L
60
"30
0.18
0.11
0.8
0.8
0.32
156
TP0610T
60
"30
0.12
0.07
0.4
0.36
0.14
350
VP0610L
60
"30
0.18
0.11
0.8
0.8
0.32
156
55
150
VP0610T
60
"30
0.12
0.07
0.4
0.36
0.14
350
BS250
45
"25
0.18
单位
V
A
0.83
150
功耗
热阻，结到环境
W
° C / W
_C
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
应用程序信息，请参阅AN804 。
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
1
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
TP0610L/T
VP0610L/T
BS250
参数
STATIC
漏源
漏源
击穿电压
栅极阈值
电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
V
GS
= 0 V，I
D
=
10
mA
V
GS
= 0 V，I
D
=
100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
1
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
70
60
60
45
V
3.5
1.9
1
2.4
"10
"50
1
3.5
"10
1
门体漏
y
g
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V，T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
V
DS
=
48
V, V
GS
= 0 V
nA
"20
1
200
0.5
m
mA
1
200
零加速度
栅极电压
漏电流
I
DSS
V
DS
=
48
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
=
25
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V
180
L结尾
牛逼SUF科幻X
11
L结尾
L结尾
牛逼SUF科幻X
L结尾
牛逼SUF科幻X
8
15
6.5
20
90
1.1
80
60
750
50
导通状态漏极
O 4 S
当前
b
I
D（上）
V
DS
=
10
V V
GS
=
10
V
10 V,
10
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
25
mA
600
220
25
10
20
10
10
20
10
14
mA
漏源
导通电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.5
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.5
A，T
J
= 125_C
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.2
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
0.5
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
0.1
A
I
S
=
0.5
A，V
GS
= 0 V
W
前锋
跨
b
二极管正向
电压
g
f
fs
V
SD
70
mS
V
动态
输入电容
输出电容
反向传输
电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=
25
V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
15
10
3
60
25
5
60
25
5
pF
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
=
25
V ，R
L
= 133
W
25
I
D
^
0.18
A，V
根
=
10
V ，R
g
= 25
W
8
8
10
10
ns
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
VPDS06
www.vishay.com
2
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.0
V
GS
= 10 V
7V
0.8
I D
漏电流（ A）
I D
漏极电流（mA ）
8V
900
25_C
600
125_C
1200
T
J
=
55_C
传输特性
0.6
6V
0.4
5V
0.2
4V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
300
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
40
V
GS
= 0 V
导通电阻与漏电流
20
电容
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
16
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
32
C
国际空间站
24
12
V
GS
= 5 V
8
V
GS
= 10 V
16
C
OSS
8
C
RSS
4
0
0
200
400
600
800
1000
I
D
漏极电流（mA ）
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
漏极至源极电压（ V）
15
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 500毫安
12
栅极电荷
1.8
1.5
V
DS
= 30 V
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
V
DS
= 48 V
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V @ 500毫安
9
V
GS
= 4.5 V @ 25毫安
6
3
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
3
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
V
GS
= 0 V
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
8
I
D
= 500毫安
10
导通电阻与栅源电压
I
S
源电流（ A）
100
T
J
= 125_C
6
4
10
T
J
= 25_C
T
J
=
55_C
I
D
= 200毫安
2
1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压变化过温
0.5
0.4
V GS （ TH）方差（V ）
0.3
功率（W）的
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
50
0.5
0
25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
2
1.5
I
D
= 250
mA
3
2.5
单脉冲功率，结到环境
1
T
A
= 25_C
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
结温（ ° C）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 350 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
TP0610L
TP0610T
VP0610L
VP0610T
BS250
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
60
60
60
60
45
r
DS （ ON）
最大值（W）的
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
14 @ V
GS
=
10
V
V
GS （ TH）
(V)
1
to
2.4
1
to
2.4
1
to
3.5
1
to
3.5
1
to
3.5
I
D
(A)
0.18
0.12
0.18
0.12
0.18
特点
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 8
W
低阈值：
1.9
V
开关速度快： 16纳秒
低输入电容： 15 pF的
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速开关
轻松驱动无缓冲器
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆，
晶体管等。
D
电池供电系统
D
电源供应器，转换器电路
D
电机控制
TO-226AA
(TO-92)
S
G
1
器件标识
前视图
TP0610L
“S”型的TP
0610L
xxll
TO-92-18RM
（ TO- 18引脚形式）
D
G
1
器件标识
前视图
BS250
2
“S” BS
250
xxll
“S” = Siliconix公司徽标
xxll
=日期代码
G
1
3
S
2
D
TO-236
(SOT-23)
标识代码：
TP0610T ： TOwll
VP0610T ： VOwll
w
=周典
lL
=批次追踪
顶视图
TP0610T
VP0610T
2
D
3
顶视图
TP0610L
VP0610L
VP0610L
“S ”VP
0610L
xxll
S
3
顶视图
BS250
“S” = Siliconix公司徽标
xxll
=日期代码
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
TP0610L
60
"30
0.18
0.11
0.8
0.8
0.32
156
TP0610T
60
"30
0.12
0.07
0.4
0.36
0.14
350
VP0610L
60
"30
0.18
0.11
0.8
0.8
0.32
156
55
150
VP0610T
60
"30
0.12
0.07
0.4
0.36
0.14
350
BS250
45
"25
0.18
单位
V
A
0.83
150
功耗
热阻，结到环境
W
° C / W
_C
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
应用程序信息，请参阅AN804 。
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
1
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
TP0610L/T
VP0610L/T
BS250
参数
STATIC
漏源
漏源
击穿电压
栅极阈值
电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
V
GS
= 0 V，I
D
=
10
mA
V
GS
= 0 V，I
D
=
100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
1
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
70
60
60
45
V
3.5
1.9
1
2.4
"10
"50
1
3.5
"10
1
门体漏
y
g
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V，T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
V
DS
=
48
V, V
GS
= 0 V
nA
"20
1
200
0.5
m
mA
1
200
零加速度
栅极电压
漏电流
I
DSS
V
DS
=
48
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
=
25
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V
180
L结尾
牛逼SUF科幻X
11
L结尾
L结尾
牛逼SUF科幻X
L结尾
牛逼SUF科幻X
8
15
6.5
20
90
1.1
80
60
750
50
导通状态漏极
O 4 S
当前
b
I
D（上）
V
DS
=
10
V V
GS
=
10
V
10 V,
10
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
25
mA
600
220
25
10
20
10
10
20
10
14
mA
漏源
导通电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.5
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.5
A，T
J
= 125_C
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.2
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
0.5
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
0.1
A
I
S
=
0.5
A，V
GS
= 0 V
W
前锋
跨
b
二极管正向
电压
g
f
fs
V
SD
70
mS
V
动态
输入电容
输出电容
反向传输
电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=
25
V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
15
10
3
60
25
5
60
25
5
pF
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
=
25
V ，R
L
= 133
W
25
I
D
^
0.18
A，V
根
=
10
V ，R
g
= 25
W
8
8
10
10
ns
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
VPDS06
www.vishay.com
2
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.0
V
GS
= 10 V
7V
0.8
I D
漏电流（ A）
I D
漏极电流（mA ）
8V
900
25_C
600
125_C
1200
T
J
=
55_C
传输特性
0.6
6V
0.4
5V
0.2
4V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
300
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
40
V
GS
= 0 V
导通电阻与漏电流
20
电容
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
16
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
32
C
国际空间站
24
12
V
GS
= 5 V
8
V
GS
= 10 V
16
C
OSS
8
C
RSS
4
0
0
200
400
600
800
1000
I
D
漏极电流（mA ）
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
漏极至源极电压（ V）
15
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 500毫安
12
栅极电荷
1.8
1.5
V
DS
= 30 V
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
V
DS
= 48 V
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V @ 500毫安
9
V
GS
= 4.5 V @ 25毫安
6
3
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
3
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
V
GS
= 0 V
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
8
I
D
= 500毫安
10
导通电阻与栅源电压
I
S
源电流（ A）
100
T
J
= 125_C
6
4
10
T
J
= 25_C
T
J
=
55_C
I
D
= 200毫安
2
1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压变化过温
0.5
0.4
V GS （ TH）方差（V ）
0.3
功率（W）的
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
50
0.5
0
25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
2
1.5
I
D
= 250
mA
3
2.5
单脉冲功率，结到环境
1
T
A
= 25_C
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
结温（ ° C）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 350 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
TP0610L
TP0610T
VP0610L
VP0610T
BS250
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
60
60
60
60
45
r
DS （ ON）
最大值（W）的
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
10 @ V
GS
=
10
V
14 @ V
GS
=
10
V
V
GS （ TH）
(V)
1
to
2.4
1
to
2.4
1
to
3.5
1
to
3.5
1
to
3.5
I
D
(A)
0.18
0.12
0.18
0.12
0.18
特点
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 8
W
低阈值：
1.9
V
开关速度快： 16纳秒
低输入电容： 15 pF的
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速开关
轻松驱动无缓冲器
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆，
晶体管等。
D
电池供电系统
D
电源供应器，转换器电路
D
电机控制
TO-226AA
(TO-92)
S
G
1
器件标识
前视图
TP0610L
“S”型的TP
0610L
xxll
TO-92-18RM
（ TO- 18引脚形式）
D
G
1
器件标识
前视图
BS250
2
“S” BS
250
xxll
“S” = Siliconix公司徽标
xxll
=日期代码
G
1
3
S
2
D
TO-236
(SOT-23)
标识代码：
TP0610T ： TOwll
VP0610T ： VOwll
w
=周典
lL
=批次追踪
顶视图
TP0610T
VP0610T
2
D
3
顶视图
TP0610L
VP0610L
VP0610L
“S ”VP
0610L
xxll
S
3
顶视图
BS250
“S” = Siliconix公司徽标
xxll
=日期代码
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
TP0610L
60
"30
0.18
0.11
0.8
0.8
0.32
156
TP0610T
60
"30
0.12
0.07
0.4
0.36
0.14
350
VP0610L
60
"30
0.18
0.11
0.8
0.8
0.32
156
55
150
VP0610T
60
"30
0.12
0.07
0.4
0.36
0.14
350
BS250
45
"25
0.18
单位
V
A
0.83
150
功耗
热阻，结到环境
W
° C / W
_C
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
应用程序信息，请参阅AN804 。
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
1
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
TP0610L/T
VP0610L/T
BS250
参数
STATIC
漏源
漏源
击穿电压
栅极阈值
电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
V
GS
= 0 V，I
D
=
10
mA
V
GS
= 0 V，I
D
=
100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
1
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
70
60
60
45
V
3.5
1.9
1
2.4
"10
"50
1
3.5
"10
1
门体漏
y
g
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V，T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
V
DS
=
48
V, V
GS
= 0 V
nA
"20
1
200
0.5
m
mA
1
200
零加速度
栅极电压
漏电流
I
DSS
V
DS
=
48
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
=
25
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V
180
L结尾
牛逼SUF科幻X
11
L结尾
L结尾
牛逼SUF科幻X
L结尾
牛逼SUF科幻X
8
15
6.5
20
90
1.1
80
60
750
50
导通状态漏极
O 4 S
当前
b
I
D（上）
V
DS
=
10
V V
GS
=
10
V
10 V,
10
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
25
mA
600
220
25
10
20
10
10
20
10
14
mA
漏源
导通电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.5
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.5
A，T
J
= 125_C
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.2
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
0.5
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
0.1
A
I
S
=
0.5
A，V
GS
= 0 V
W
前锋
跨
b
二极管正向
电压
g
f
fs
V
SD
70
mS
V
动态
输入电容
输出电容
反向传输
电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=
25
V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
15
10
3
60
25
5
60
25
5
pF
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
=
25
V ，R
L
= 133
W
25
I
D
^
0.18
A，V
根
=
10
V ，R
g
= 25
W
8
8
10
10
ns
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
VPDS06
www.vishay.com
2
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.0
V
GS
= 10 V
7V
0.8
I D
漏电流（ A）
I D
漏极电流（mA ）
8V
900
25_C
600
125_C
1200
T
J
=
55_C
传输特性
0.6
6V
0.4
5V
0.2
4V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
300
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
40
V
GS
= 0 V
导通电阻与漏电流
20
电容
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
16
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
32
C
国际空间站
24
12
V
GS
= 5 V
8
V
GS
= 10 V
16
C
OSS
8
C
RSS
4
0
0
200
400
600
800
1000
I
D
漏极电流（mA ）
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
漏极至源极电压（ V）
15
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 500毫安
12
栅极电荷
1.8
1.5
V
DS
= 30 V
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
V
DS
= 48 V
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V @ 500毫安
9
V
GS
= 4.5 V @ 25毫安
6
3
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
3
TP0610L / T ， VP0610L / T ， BS250
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
V
GS
= 0 V
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
8
I
D
= 500毫安
10
导通电阻与栅源电压
I
S
源电流（ A）
100
T
J
= 125_C
6
4
10
T
J
= 25_C
T
J
=
55_C
I
D
= 200毫安
2
1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压变化过温
0.5
0.4
V GS （ TH）方差（V ）
0.3
功率（W）的
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
50
0.5
0
25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
2
1.5
I
D
= 250
mA
3
2.5
单脉冲功率，结到环境
1
T
A
= 25_C
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
结温（ ° C）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 350 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 70209
S- 41260 -REV 。 H， 05 -JUL- 04
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
QQ：2880707522 复制
