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VO221AT , VO222AT , VO223AT
www.vishay.com
威世半导体
光电耦合器,光电复合输出,低输入电流,
高增益,与基地连接
特点
A
1
C
2
NC
3
NC
4
i179022-2
i179074
8
NC
7
B
6
C
5
E
绝缘测试电压, 4000 V
RMS
材料分类:
对于合规的定义,请参见
www.vishay.com/doc?99912
机构认证
C
UL1577 ,文件号E52744系统代码Y
CUL - 文件编号。 E52744 ,相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-5批准( VDE 0884-5 ) ,接触
如果需要该选项的客户服务
描述
该VO221AT , VO222AT , VO223AT高电流传输
比(CTR )的光电耦合器与砷化镓红外
LED发射器和硅NPN光电复合晶体管
探测器。
该器件具有为1 mA的LED电流检测的点击率。这种低
驱动电流功能可以方便的接口从CMOS到LSTTL
或TTL 。
订购信息
SOIC-8
V
O
2
2
产品型号
#
A
T
6.1 mm
代理认证/ PACKAGE
UL , cUL认证
SOIC-8
100
VO221AT
CTR ( % )
200
VO222AT
500
VO223AT
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
输入
峰值反向电压
最大正向电流
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
I
的Cmax 。 DC
I
CMAX 。
功耗
吨< 1毫秒
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
的Cmax 。 DC
I
CMAX 。
P
DISS
30
5
70
50
100
150
V
V
V
mA
mA
mW
1微秒, 300 PPS
V
R
I
FM
I
F
P
DISS
6
1
60
90
1.2
V
A
mA
mW
毫瓦/°C的
测试条件
符号
价值
单位
修订版1.2 , 22 -NOV- 12
文档编号: 81954
1
如有技术问题,请联系:
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改,恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明,阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VO221AT , VO222AT , VO223AT
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威世半导体
测试条件
符号
价值
2
t=1s
V
ISO
P
合计
4000
240
3.2
T
英镑
T
AMB
T
SLD
- 40 + 150
- 40至+ 100
10
单位
毫瓦/°C的
V
RMS
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
s
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
耦合器
从25° C减免线性
绝缘测试电压
总包耗散
(在25 ° C环境) (LED和检测器)
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
焊接时间在260℃
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极 - 发射极电流leackage
集电极基极电流
发射极基极电流
集电极 - 发射极电容
饱和电压,集电极 - 发射极
耦合器
电容(输入输出)
C
IO
0.5
pF
V
CE
= 10 V
I
CE
- 0.5毫安
I
C
= 100 μA
I
C
= 10 μA
I
C
= 10 μA
V
CE
= 20 V
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
首席执行官
ICBO
I
EBO
C
CE
V
CESAT
3.4
1
30
5
70
40
1
1
V
V
V
nA
nA
nA
pF
V
I
F
= 1毫安
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
V
F
I
R
C
O
1
0.1
25
1.5
100
V
μA
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
最小值和最大值进行测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 1毫安, V
CE
= 5 V
部分
VO221AT
VO222AT
VO223AT
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
分钟。
100
200
500
典型值。
马克斯。
单位
%
%
%
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文档编号: 81954
2
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VO221AT , VO222AT , VO223AT
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威世半导体
测试条件
V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
Ω,
I
F
= 5毫安
V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
Ω,
I
F
= 5毫安
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
3
3
马克斯。
单位
μs
μs
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
开启时间
打开-O FF时间
I
F
F = 10 kHz时,
DF = 50%
t
上升
V
O
10 %
50 %
90 %
iild223t_09
V
CC
= 10 V
R
L
V
O
t
关闭
I
F
= 5毫安
t
on
t
秋天
图。 1 - 开关测试电路
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
污染度
漏电起痕指数
绝缘测试电压
峰值瞬态过电压
峰值绝缘电压
电阻(输入到输出)
安全等级 - 功率输出
安全评级 - 输入电流
安全评级 - 温度
外部爬电距离
外部安全距离
内部爬电距离
绝缘厚度
1s
CTI
V
ISO
V
IOTM
V
IORM
R
IO
P
SO
I
SI
T
SI
4
4
3.3
0.2
175
4000
6000
560
10
11
350
150
165
测试条件
根据IEC 68部分1
符号
分钟。
典型值。
40/100/21
2
399
V
RMS
V
V
Ω
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
按照IEC 60747-5-2 , § 7.4.3.8.1 ,这种光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
威世半导体
1.4
100
T
A
= - 55 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= - 20 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 50 °C
T
A
= 70 °C
V
F
- 正向电压( V)
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
归一化CTR
ce
10
1
标准化为:
I
F
= 1毫安, V
CE
= 5 V
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
0.8
0.7
0.1
1
10
100
0.1
0.1
iil221at_04
1
10
100
iil221at_01
I
F
- 正向电流(mA )
I
F
- LED电流(mA )
图。 2 - 正向电压与正向电流
图。 5 - 归CTR
CE
与LED电流
10 000
0.10
占空比
I
F
( PK) - LED峰值电流(mA )
t
DF ?
τ
/t
I
F
/I
CB
- CTR
cb
(%)
0.005
0.01
1000
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
100
0.05
T = - 20℃
A
吨= 25°C
A
中T = 50℃
A
中T = 70℃
A
0.00
0.1
1
10
100
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
iil221at_02
T- LED脉冲持续时间( S)
iil221at_05
I
F
- LED电流(mA )
图。 6 - CTR
CB
与LED电流
图。 3 - 峰值LED电流与占空比,
τ
CTR
CE
- 电流传输比( % )
3
T
A
= - 20 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 50 °C
T
A
= 70 °C
2000
T
A
= - 20 °C
吨= 25°C
A
中T = 50℃
1500
A
中T = 70℃
A
1000
V
CE
= 10 V
归一化CTR
cb
标准化为:
I
F
= 1毫安,T
A
= 25 °C
V
CB
= 10 V
2
1
500
0
0.1
iil221at_03
0
10
100
0
0.1
1
10
100
I
F
- LED电流(mA )
iil221at_06
I
F
- LED电流(mA )
图。 7 - CTR与LED电流
图。 4 - 归CTR
cb
与我
F
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威世半导体
1000
1000
T
AMB
= - 20 °C
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 50 °C
T
AMB
= 70 °C
V
CE
= 5 V
I
CE
- 集电极电流(毫安)
100
归一化我
CB
100
T
A
= - 20 ℃,标准化为:
T
A
= 20 °C
I
F
= 1毫安,T
A
= 25 °C
T
A
= 50 °C
V
CB
= 10 V
中T = 70℃
A
10
10
1
1
0.1
iil221at_07
1
10
100
0.1
0.1
iil221at_09
1
10
100
I
F
- LED电流(mA )
I
F
- LED电流(mA )
图。 10 - 归我
CB
与我
F
图。 8 - 集电极电流与LED电流
100
I
CB
- 光电流( μA )
10
I
CB
I
CB
I
CB
I
CB
= - 20 °C
= 25 °C
= 50 °C
= 70 °C
1
0.1
0.1
iil221at_08
I
F
- LED电流(mA )
图。 9 - 光电流与LED电流
包装尺寸
以毫米为单位
3.05 ± 0.13
R 0.13
6.10
CL
3.91 ± 0.13
1.27
0.36
0.91
0.41
引脚1号
4.88 ± 0.13
0.38 ± 0.05
ISO方法A
0.20
0.1
0.2
1.27 TYP 。
0.53
i178003
4.32
6.6
40°
1.14
1.49 ± 0.13
3.18 ± 0.13
5 °最大。
- [R最大值0.25 。
引脚共面性
± 0.04最大值。
0.51 ± 0.10
2个地方
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    VO222AT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
VO222AT
Vishay
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【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
VO222AT
Vishay Semiconductor Opto Division
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8-SOIC
全新原装现货,原厂代理。
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