添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第12页 > VNP49N04
VNP49N04
“ OMNIFET ” ：
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
TYPE
VNP49N04
s
s
s
s
s
s
V
钳
42 V
R
DS （ ON）
0.02
I
升IM
49 A
s
s
s
s
线性电流限制
热关机
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
诊断反馈通过投入
针
ESD保护
直接进入之门
功率MOSFET （模拟驱动）
兼容标准电源
MOSFET
标准的TO -220封装
1
2
3
TO-220
描述
该VNP49N04是一个单片器件制造
通过SGS - THOMSON垂直智能电源
M0技术，用于更换
标准功率MOSFET中的DC至50KHz
应用程序。内置热关断，线性
框图
电流限制和过压钳位保护
该芯片在恶劣环境。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
1996年6月
1/11
VNP49N04
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
in
I
D
I
R
V
ESD
P
给T
T
j
T
c
T
ST克
参数
漏源电压（V
in
= 0)
输入电压
漏电流
反向DC 本安输出电流
静电放电（ C = 100 pF的， R = 1.5 KΩ ）
总功耗在T
c
= 25 C
工作结牛逼emperature
案例操作时间emperature
储存温度
o
价值
内部钳位
18
内部限制
-50
2000
125
内部限制
内部限制
-55到150
单位
V
V
A
A
V
W
o
o
o
C
C
C
热数据
R
吨HJ -CA SE
R
吨hj- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
1
62.5
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
SYMB OL
V
钳
V
CL TH
V
我NCL
I
DSS
I
我是SS
参数
漏极 - 源极钳位
电压
漏极 - 源极钳位
阈值电压
输入源反向
钳位电压
零输入电压
漏电流（V
in
= 0)
从供电电流
输入引脚
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 200毫安
I
D
= 2毫安
I
in
= -1毫安
V
DS
= 13 V
V
DS
= 25 V
V
DS
= 0 V
V
in
= 0
V
in
= 0
V
in
= 10 V
250
V
in
= 0
V
in
= 0
分钟。
36
35
-1
-0.3
50
200
500
典型值。
42
马克斯。
48
取消它
V
V
V
A
A
A
开（ *）
SYMB OL
V
IN（日）
R
DS （ ON）
参数
输入阈值
电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
in
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
测试电导率银行足球比赛s
I
D
+I
in
= 1毫安
I
D
= 25 A
I
D
= 25 A
分钟。
0.8
典型值。
马克斯。
3
0.02
0.025
取消它
V
动态
SYMB OL
g
fs
()
C
OSS
参数
前锋
跨
输出电容
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
I
D
= 25 A
F = 1 MHz的
V
in
= 0
分钟。
25
典型值。
30
1100
1500
马克斯。
取消它
S
pF
2/11
VNP49N04
电气特性
（续）
开关（**）
SYMB OL
t
D（上）
t
r
t
（六中）D
t
f
t
D（上）
t
r
t
（六中）D
t
f
（ di / dt的）
on
Q
i
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
秋季牛逼IME
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
秋季牛逼IME
导通电流斜率
总的输入充电
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 15 V
V
根
= 10 V
（参见图3）
V
DD
= 15 V
V
根
= 10 V
（参见图3）
V
DD
= 15 V
V
I N
= 10 V
V
DD
= 15 V
I
d
= 25 A
R
根
= 10
分钟。
典型值。
200
1300
800
300
1.3
3.8
12
6.1
25
100
马克斯。
300
1800
1200
450
1.9
5.2
14
8.5
取消它
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
A / μs的
nC
I
d
= 25 A
R
根
= 1000
I
D
= 25 A
R
根
= 10
I
D
= 25 A
V
I N
= 10 V
源漏二极管
SYMB OL
V
SD
()
t
r r
()
Q
r r
()
I
RRM
()
参数
转移O N个电压
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 25 A
测试电导率银行足球比赛s
V
in
= 0
250
910
7.5
分钟。
典型值。
马克斯。
1.6
取消它
V
ns
nC
A
I
SD
= 25 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 30 V
T
j
= 25
o
C
（见测试电路，图5 ）
保护
SYMB OL
I
LIM
t
DL IM
()
T
JSH
()
T
RS
()
I
gf
()
E
as
()
参数
漏电流限制
阶跃响应
电流限制
过热
关闭
过热复位
故障灌电流
单脉冲
雪崩能量
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
4
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
V
I N
= 10 V
V
I N
= 5 V
150
135
50
20
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
分钟。
30
30
典型值。
49
49
35
90
马克斯。
68
68
50
150
取消它
A
A
s
s
o
C
C
o
mA
mA
J
起始物为
j
= 25
o
C
V
DD
= 20 V
V
I N
= 10 V R
根
= 1 KΩ L = 6 mH的
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ** ）设计/特性保证参数
3/11
VNP49N04
保护功能
在正常操作时，输入引脚
电连接到所述内部的栅
功率MOSFET 。那么该设备就像一个
标准功率MOSFET ，并且可以用作
切换从直流到50KHz 。唯一的区别
从用户的观点看是一个小的直流
电流（I
国际空间站
）流入输入引脚，以
供给内部电路。
该器件集成：
-
过热和短路
保护：这些都是基于传感
芯片的温度，并且不依赖于
输入电压。感测的位置
在功率级区域中的芯片上的元件
确保快速，准确的检测结
温度。温度熔断器发生在
最低150
o
C.该设备是自动
当芯片温度下降重新启动
低于135
o
C.
-
过压
钳
保护：
内部设定为42V ，随着崎岖
电源的雪崩特性
MOSFET级给这个设备无可比拟
耐用性和能量处理能力。
开车时，此功能主要是重要的
感性负载。
漏极电流Id到伊利姆无论输入
引脚电压。当限流器是活动的，
该设备工作于线状区域，从而
功耗可能超过的能力
散热器。这两种情况下，和结
温度提高，而如果这个阶段持续
足够长的时间，结温可达
过温阈值T
JSH
.
-
状态反馈信号：在发生的情况下，
过热故障状态，一个状态
反馈是通过输入引脚提供。
内部保护电路断开
从栅极输入，而是将其连接到
通过100的等效电阻接地
.
该故障可以通过监视来检测
电压输入引脚，这将接近
地电位。
该器件的其他特点是ESD
根据人体模型保护
并从一个TTL逻辑驱动能力
电路（与在研发小幅增加
DS （ ON）
).
-
线性电流限幅电路：限制
4/11
VNP49N04
热阻抗
降额曲线
输出特性
跨
静态漏源导通电阻与输入
电压
静态漏源导通电阻
5/11
查看更多VNP49N04PDF信息
推荐型号
VSKDS408/060P
V24C24C100BF3
V48A24C500AL
VG264265CJ-25
VO222AT
VWQAS2-Q24-D15-SIP
VESD12A1C-HD1
V23833-F9909-Z001
VRE505K
VSOR1603331JT
V62/05616-02XE
VKA60LS03-1
VTL5C2
VI-BN0-IW
VASD1-S5-D12-SIP
V150LA10A
VS10P12C
VLA500K-01R
VSC060
V53C516400A50
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    VNP49N04
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
VNP49N04
STMicroelectronics
24+
10000
TO-220
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
VNP49N04
ST
2443+
23000
TO-220
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
VNP49N04
ST/意法
24+
8640
TO-220
全新原装现货，原厂代理。
深圳勤思达科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881243225 复制

电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
VNP49N04
ST/正品
13+
25800
TO-220
全新原装正品，大量现货库存，可以出样品，欢迎咨询洽谈
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
VNP49N04
ST
24+
9850
TO-220
100%原装正品，可长期订货
深圳市科雨电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：97671959 复制

电话：171-4729-9698（微信同号）
联系人：周小姐，171-4729-9698，无线联通更快捷！
地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
VNP49N04
STM
24+
1001
TO-220
★体验愉快问购元件！！就找我吧!《停产物料》
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
VNP49N04
ST
24+
21000
TO-220
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
深圳和润天下电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
VNP49N04
ST/意法
22+
100917
TO220ABNONISOL
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
VNP49N04
ST/意法
2024
20000
TO-220
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市众诚发电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1131021506 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885814660 复制
电话：0755-83231869
联系人：张
地址：福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
VNP49N04
ST
2020+
8700
原厂封装
全新原装正品，可售样，可开13%增值税
查询更多VNP49N04供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！