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VND10B
双通道
高侧智能功率固态继电器
初步数据
TYPE
VND10B
s
V
DSS
40 V
R
DS （ ON）
0.1
I
n
(*)
3.4 A
V
C C
26 V
s
s
s
s
s
s
输出电流（连续） ：
14一@ T
c
=85
o
每通道
5V逻辑电平兼容的输入
热关断
欠压保护
开漏输出诊断
电感的负荷快速退磁
非常低STAND -BY功耗
HEPTAWATT
（垂直）
HEPTAWATT
（水平）
描述
该VND10B是用一个单片器件制造
SGS - THOMSON垂直智能电源
技术，用于驱动电阻或
感性负载与一侧接地。这
装置具有两个通道，和一个共同的
诊断。内置热关断保护
从以上的温度和短路的芯片。
状态输出提供了开放式的指示
加载状态，负载开路处于关闭状态，
温度过高的情况，并坚持上到V
CC
.
框图
HEPTAWATT
（在线）
订购代码：
HEPTAWATT垂直
VND10B
HEPTAWATT水平VND10B （ 011Y ）
HEPTAWATT在线
VND10B （ 012Y ）
（ * ）在=额定电流根据高新GH方汽车开关ISO定义（见注1 ）
1994年9月
1/11
VND10B
绝对最大额定值
符号
V
（ BR ） DSS
I
UT
I
R
I
I N
-V
CC
I
STA牛逼
V
ê SD
P
合计
T
j
T
英镑
参数
漏源击穿电压
输出电流（续）在T
c
= 85 C
反向输出电流在T
c
= 85
o
C
输入电流
反向电源电压
目前状态
静电放电（ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
在T功耗
c
= 25
o
C
结工作温度
储存温度
o
价值
40
14
14
-14
±10
-4
±10
2000
75
-40至150
-55到150
单位
V
A
A
A
mA
V
mA
V
W
o
o
I
OU牛逼
（ RMS ） RMS输出电流在T
c
= 85
o
C和F >赫兹
C
C
接线图
电流和电压公约
2/11
VND10B
热数据
R
THJ - CAS é
R
thj- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
1.65
60
o
o
C / W
C / W
电气特性
（ 8 < V
CC
< 16 V ; -40
≤
T
j
≤
125
o
C除非另有说明）
动力
符号
V
C C
中（*）
R
on
I
S
V
DS （ MAX）
R
i
参数
电源电压
额定电流
导通状态电阻
电源电流
输出到GND内部
阻抗
T
c
= 85
o
（C V）
DS （ ON）
≤
0.5 V
CC
= 13 V
I
OU牛逼
= I
n
V
CC
= 13 V
关国
T
j
= 25 C
o
o
测试条件
分钟。
6
3.4
0.065
典型值。
13
马克斯。
26
5.2
0.1
单位
V
A
A
V
K
T
j
= 25
o
C
V
CC
= 13 V
V
CC
= 13 V
T
j
= 25
o
C
T
j
= 85 C
35
1.2
5
10
100
2
20
最大压降我
OU牛逼
= 13 A
开关
符号
t
D（上）
(^)
t
r
(^)
t
D（关闭）
(^)
t
f
(^)
（ di / dt的）
on
（ di / dt的）
关闭
参数
测试条件
分钟。
5
28
10
28
0.003
0.005
典型值。
35
110
140
75
马克斯。
200
360
500
360
0.1
0.1
单位
s
s
s
s
A / μs的
A / μs的
导通延迟时间的R
OUT
= 2.7
输出电流
输出上升时间
当前
R
OUT
= 2.7
关断延迟时间为r
OUT
= 2.7
输出电流
秋季输出时间
当前
导通电流斜率
关断电流斜率
R
OUT
= 2.7
R
OUT
= 2.7
R
OUT
= 2.7
逻辑输入
符号
V
IL
V
IH
V
我（ HY ST 。 ）
I
I N
V
ICL
参数
输入低电平
电压
输入高电平
电压
输入滞后
电压
输入电流
输入钳位电压
V
IN
= 5 V
T
j
= 25
o
C
5
I
IN
= 10毫安
I
IN
= -10毫安
3.5
0.2
0.9
30
6
-0.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
()
1.5
100
7
单位
V
V
V
A
V
V
3/11
VND10B
电气特性
（续）
保护和诊断功能
符号
V
STAT
V
美国
V
SCL
T
TS
T
SD （ HYS吨。 ）
T
R
V
OL
I
OL
t
povl
t
POL
参数
状态电压输出
低
欠压合页
下
状态钳位电压
热关断
温度
热关断
迟滞
复位温度
开路电压电平
打开负载电流
水平
状态延迟
状态延迟
关闭状态（注2 ）
导通状态
（注3）
（注3）
50
125
2.5
0.6
4
0.9
5
500
5
1.4
10
2500
I
STAT
= 10毫安
I
STAT
= -10毫安
测试条件
I
STAT
= 1.6毫安
3.5
5
140
4.5
6
-0.7
160
分钟。
典型值。
马克斯。
0.4
6
7
180
50
单位
V
V
V
V
o
C
C
C
o
o
V
A
s
s
（ * ）在=额定电流根据高新GH方汽车开关ISO定义（见注1 ）
（ ^ ）看开关时间波形
（ ）的V
I H
在内部钳位在6V左右。也能够将该引脚连接到一个较高的电压六一外部电阻
CAL culated不超过在我NPUT销10毫安。
注1：额定电流是指在T
c
= 85
o
下进行13V的电池电压产生0.5V的电压降
注2 ：我
（F ）的OL
= (V
CC
-V
OL
)/R
OL
注3：吨
PO VL
t
POL
：在ISO definiti
注2有关图
注3相关图
4/11
VND10B
开关时间波形
功能说明
该装置具有用于在发生故障时输出
两个通道指示开路负载在
导通状态，开负载在断开状态时，在温度
条件和坚持上到V
CC
.
从输入信号中的下降沿，将
状态输出，最初低信号故障
条件（温度过高或负载开路
导通状态） ，将返回到高电平状态与
不同的延迟在温度过高（ tpovl ）
而在案件分别开开负载（ tpol ）的。
此功能允许歧视性质
检测到的故障。为了保护设备不受
短路和过电流状态，则
热保护器接通电源集成
MOS关在一个最小的结温
140
o
C.当这个温度返回到125
o
C
该开关将自动打开了。在
几乎短路保护无反应
延迟，传感器（每个信道）被
位于内每两个功率MOS领域。
这种定位使得与操作设备
自动热循环和一个通道
另外一个在正常负载。一个内部函数
设备的保证了快速退磁
的感性负载具有典型的电压（V
德马格
)
的-18V 。此功能允许大大降低
根据下式的功耗：
P
DEM
= 0.5
L
负载
(I
负载
)
2
[(V
CC
+V
德马格
)/V
德马格
]
f
其中f =开关频率和
V
德马格
=退磁电压。
这使得芯片的最大电感
温度达到停机温度
在一个指定的热环境是一个函数
负载电流为固定的V
CC
， Vdemag和f
根据上面的公式。在该装置中，如果
GND引脚断开，与V
CC
不
超过16V ，两个通道将关闭。
保护
该
设备
针对
电池反接
为了防止一个在设备的最简单的方法
连续反向电池电压（ -26V ）是
插入销2 （GND）之间的肖特基二极管和
地，如图所示，在典型的应用电路
（图2）。
的两端的电压降的影响
此二极管如下：
- 如果输入被拉至电源GND ，负极
-V电压
f
由设备可见。 （VIL ， VIH
阈值和VSTAT都增加了与Vf的
对于电源GND） 。
- 欠压关断层面是increa-
通过Vf的sed的。
如果没有必要的控制单元来处理
提到电源外部模拟信号
GND ，最好的办法是连接
所述控制单元对所述基准电位
器件接地（见应用电路在图3中） ，
变成为公用信号接地
整个控制电路板，避免V的转变
ih
, V
il
和
V
STAT
。该解决方案允许使用标准的
二极管。
5/11
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