VBUS053CZ-HAF
威世半导体
USB -OTG总线端口的ESD保护V
公共汽车
= 28 V
特点
超小型封装LLP75-7L
低封装高度< 0.6毫米
6
5
4
USB ESD保护，最大3线。工作的
范围= 5.5 V
V
公共汽车
- 保护具有28 V工作范围
7
低漏电流
21102
1
2
3
低负载电容C
D
= 0.7 pF的
20517
1
ESD保护符合IEC 61000-4-2
± 15 kV接触放电
± 15 kV空气放电
浪涌电流ACC 。 IEC 61000-4-5我
PP
> [3] A
e4的 - 贵金属（如银，金， NIPD ，镍钯金）（无Sn）的
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
记号
（例如只）
XX
YY
点= 1脚打标
XX =日期代码
YY =类型代码（见下表）
21001
订购信息
设备名称
VBUS053CZ-HAF
订购代码
VBUS053CZ-HAF-G-08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
3000
最小起订量
15 000
包数据
设备名称
VBUS053CZ-HAF
包
名字
LLP75-7L
TYPE
CODE
UA
重量
4.2毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
V
公共汽车
： 6脚对地（引脚7 ）
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
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1
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
I
PPM
P
PP
V
ESD
T
J
T
英镑
3
156
± 30
± 30
- 40至+ 125
- 55至+ 150
A
W
kV
kV
°C
°C
测试条件
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
价值
3
36
± 15
± 15
单位
A
W
kV
kV
数据线D +，D-的ID ：引脚1,2和3至地面（引脚7）
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VBUS053CZ-HAF
威世半导体
USB -OTG总线端口ESD保护
对于V
公共汽车
= 28 V
电气特性VBUS053CZ - HAF
所有的输入（引脚1，2，和3）接地（引脚7）
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
正向电压
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
线路电容
线间电容
线对称
测试条件/备注
线的数目可被保护的
在我
R
= 0.1 μA
在V
R
= 3.3 V
在V
R
= 3.3 V ;中T = 65℃
在V
R
= V
RWM
= 5.5 V
在我
F
= 15毫安
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 ; ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
PP
= 3 A; ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
F
= 3 A; ACC 。 IEC 61000-4-5
在V测试引脚
R
= 0 V;
在V任何其他I / O引脚
R
= 3.3 V ; F = 1 MHz的
间销1,2和3
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
线电容的差
V
F
V
BR
V
C
V
F
C
D
-
dC
D
-
0.35
-
0.5
0.1
pF
pF
I
R
符号
N
通道
V
RWM
分钟。
-
-
-
-
-
0.7
6.5
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
10
15
3.4
0.7
马克斯。
3
5.5
0.02
0.085
0.1
1.2
10
12
18
4.1
1
单位
线
V
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
pF
记
在25℃ ，环境温度额定值，除非另有规定
电气特性VBUS053CZ - HAF
V
公共汽车
（引脚6）接地（引脚7）
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
正向电压
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
线路电容
测试条件/备注
线的数目可被保护的
在我
R
= 100 nA的
在V
R
= V
RWM
= 28 V
在我
F
= 10毫安
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 ; ACC 。 IEC 61000-4-5 ;中T = 25℃
在我
PP
= 3 A; ACC 。 IEC 61000-4-5 ;中T = 25℃
在我
F
= 3 A; ACC 。 IEC 61000-4-5
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
F
V
BR
V
C
V
F
C
D
分钟。
-
-
-
0.6
32
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.75
-
37
42
-
31
马克斯。
1
28
100
0.9
40
45
52
2.2
40
单位
线
V
nA
V
V
V
V
V
pF
记
在25℃ ，环境温度额定值，除非另有规定
应用说明
该VBUS053CZ - HAF的目的是作为一个ESD保护和瞬态电压抑制器一个USB -OTG端口。
该LLP75-7L包中包含两个单独的管芯被安装在一个共同的接地平面（引脚7）。
高速数据线D-， D +和标识，被连接到任何引脚没有。 1至3只要对数据信号电压
线是地面和5 V工作范围之间，低电容PN二极管提供了一个非常高的隔离接地
和其他的数据线。但只要任何瞬态信号一样的ESD信号，超过5伏此工作范围中的任一
的正或负方向中，PN二极管的一个得到施行本科生正向模式和夹紧瞬态或者接地或
雪崩突破的水平。一个额外的雪崩二极管（单管芯）钳位电源线的电压（V
公共汽车
引脚6 ）
上面的28伏的工作范围到地（引脚7）。由于“两片建设”的V
公共汽车
线具有非常高的隔离的
数据线。在发生破坏性的瞬态信号，即从充电器来，数据线也不会受到影响。
V
公共汽车
6
（钉扎顶视图）
5
4
NC 。 NC 。
6
7
GND
7
3
ID
1
2
3
5
4
1
D-
2
D+
21103
备注：
输入引脚没有。 1 ， 2和3是对称的。各数据信号D-， D +和ID可以被连接到针的1 ， 2或3 。
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2
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VBUS053CZ-HAF
USB -OTG总线端口ESD保护
威世半导体
对于V
公共汽车
= 28 V
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
0.8
F = 1MHz时，一个I / O电压为3.3 V引脚
0.7
0.6
80 %
60 %
53 %
放电电流I
ESD
100 %
0.5
C
D
（PF ）
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
引脚1 ， 2或3
到引脚7
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
20557
时间（纳秒）
22080
V
R
(V)
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
/150
pF的）
图。 4 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
100
100 %
80 %
60 %
20微秒到50 ％
40 %
20 %
0%
0
20548
8 μs至100 ％
10
6引脚到引脚7
I
F
（MA ）
1
引脚1 ， 2或3针7
0.1
I
PPM
0.01
10
20
30
40
0.001
0.5
22409
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
时间（μs ）
V
F
(V)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图。 5 - 典型正向电流I
F
与正向电压V
F
35
F = 1 MHz的
30
25
6引脚到引脚7
40
35
30
6引脚到引脚7
C
D
（PF ）
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
V
R
(V)
25
20
15
10
5
0
0.01
0.1
1
10
100
1000 10 000
引脚1 ， 2或3针7
22408
V
R
(V)
22410
I
R
(A)
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
图。 6 - 典型的反向电压V
R
vs.Reverse电流I
R
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威世半导体
USB -OTG总线端口ESD保护
对于V
公共汽车
= 28 V
18
测得的累计。 IEC 61000-4-5 （ 8/20微秒 - 波形）
50
40
30
20
10
0
- 10
- 20
- 30
脚7脚1 ， 2或3
- 40
- 50
0
1
2
3
4
- 60
- 10 0
22413
16
14
12
引脚1 ， 2或3针7
命中率。 IEC 61000-4-2
- 8千伏
接触放电
V
C- ESD
(V)
V
C
(V)
6引脚到引脚7
10
8
6
4
2
0
V
F
10 20 30 40 50 60 70 80 90
22083
I
PP
(A)
T（ NS ）
图。 7 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
图。 10 - 典型钳位性能 - 8 kV接触
放电（符合IEC 61000-4-2 ）
50
45
40
35
测得的累计。 IEC 61000-4-5
（ 8/20微秒 - 波形）
140
120
100
命中率。 IEC 61000-4-2
+ 8千伏
接触放电
6引脚到引脚7
V
C
(V)
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
脚7脚6
V
C
V
C- ESD
(V)
80
60
40
20
0
- 20
- 40
- 10 0
22414
引脚1 ， 2或3针7
10 20 30 40 50 60 70 80 90
22411
I
PP
(A)
T（ NS ）
图。 8 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
图。 11 - 典型钳位性能，在+ 8 kV接触
放电（符合IEC 61000-4-2 ）
100
80
60
40
命中率。 IEC 61000-4-2
+ 8千伏
接触放电
20
0
6引脚到引脚7
命中率。 IEC 61000-4-2
- 8千伏
接触放电
V
C- ESD
(V)
V
C- ESD
(V)
- 20
- 40
- 60
- 80
- 100
引脚1 ， 2或3针7
40
20
0
- 20
- 10 0
22412
- 120
10 20 30 40 50 60 70 80 90
- 140
- 10 0
22415
10 20 30 40 50 60 70 80 90
T（ NS ）
T（ NS ）
图。 9 - 在+ 8 kV的典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
图。 12 - 典型钳位性能 - 8 kV接触
放电（符合IEC 61000-4-2 ）
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USB -OTG总线端口ESD保护
威世半导体
对于V
公共汽车
= 28 V
60
50
40
30
引脚1 ， 2或3针7
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
80
60
40
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
V
C- ESD
(V)
V
C- ESD
(V)
20
10
0
- 10
- 20
- 30
- 40
0
5
10
15
20
T为30纳秒
V
C- ESD
6引脚到引脚7
20
0
- 20
- 40
0
5
10
15
20
25
30
V
C- ESD
T为30纳秒
22416
V
ESD
（千伏）
22417
V
ESD
（千伏）
图。 13 - 典型钳位电压，在经过30 ESD的NS
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
图。 14 - 典型钳位电压，在经过30 ESD的NS
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
包装尺寸
以毫米（英寸）：
LLP75-7L
0.3 (0.012)
1.05 (0.041)
0.95 (0.037)
散热器
0.2 (0.008)
0.3 (0.012)
0.2 (0.008)
0.3 (0.012)
0.55 (0.022)
0.45 (0.018)
1 (0.039)
0.5 (0.020)
0.6 (0.024)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
0.3 (0.012)
0.15 (0.006)
阻焊掩膜
焊盘
0.5 (0.020)
0.05 (0.002)
0.6 (0.024)
1.65 (0.065)
引脚1标记
1.55 (0.061)
1.65 (0.065)
足迹推荐：
0.5 (0.020)
0.3 (0.012)
0.15 (0.006)
0.5 (0.020)
0.25 (0.010)
1 (0.039)
文件编号： S8 -V - 3906.02-014 （ 4 ）
创建 - 日期： 2006年04月
20500
0.5 (0.020)
1 (0.039)
1.55 (0.061)
0.54 (0.021)
0 (0.000)
0.2 (0.008)
文档编号： 85200
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