VN0104
VN0106
N沟道增强模式
垂直的DMOS FET
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
40V
60V
R
DS （ ON）
（最大）
3.0
3.0
I
D（上）
（分钟）
2.0A
2.0A
订单号码/套餐
TO-92
VN0104N3
VN0106N3
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
参考尺寸封装外形部分。
SGD
TO-92
11/12/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
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做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
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1
VN0104/VN0106
热特性
包
TO-92
I
D
（连续） *
350mA
I
D
（脉冲的）
2.0A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.0W
θ
jc
°
C / W
125
θ
ja
°
C / W
170
I
DR
*
350mA
I
DRM
2.0A
* I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
VN0106
VN0104
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
60
V
40
0.8
-3.8
2.4
-5.5
100
1
100
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
300
0.5
2.0
1.0
2.5
3.0
2.5
0.70
450
55
20
5
3
5
6
5
1.2
400
65
25
8
5
8
9
8
1.8
V
ns
ns
V
DD
= 25V
I
D
= 1A
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
=1.0A
V
GS
= 0V时，我
SD
=1.0A
pF
5.0
3.0
1
%/°C
m
A
V
毫伏/°C的
nA
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 5V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.5A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
典型值
最大
单位
条件
A
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
V
DD
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
R
L
产量
D.U.T.
VN0104/VN0106
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
5.0
1.1
4.0
导通电阻与漏电流
V
GS
= 5V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
3.0
V
GS
= 10V
1.0
2.0
1.0
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
j
(°C)
传输特性
2.5
1.6
I
D
（安培）
V
（ TH ）
和R
DS
随温度的变化
1.9
V
DS
= 25V
2.0
T
A
= -55°C
25°C
1.4
1.6
1.5
1.2
1.3
125°C
1.0
V
（ TH ）
@ 1毫安
R
DS
@ 5V ， 0.25A
1.0
1.0
0.5
0.8
0.7
0
0
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
0.4
150
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
100
10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
8
75
V
DS
= 10V
40V
C（皮法）
V
GS
（伏）
6
50
C
国际空间站
80 pF的
4
25
C
OSS
C
RSS
2
40 pF的
0
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
10
20
30
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
11/12/01
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS （ TH）
（归一化）
R
DS
@ 10V ， 1.0A
I
D
（安培）
QQ：2880707522 复制
