VEMI85LA-HGK
威世半导体
8通道LCR - EMI过滤带ESD保护
特点
超小型封装LLP3313-17L
低封装0.6毫米概况
8通道LCR EMI滤波器
低漏电流
线路电感L
S
= 10 nH的
21840
线路电阻R
S
= 12
Ω
典型的截止频率f
3dB
= 150 MHz的
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 25 kV接触放电
± 25 kV空气放电
e4的 - 贵金属（如银，金， NIPD ，镍钯金）（无Sn）的
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
16
15
14
17
13
12
11
10
9
20388
1
2
3
4
5
6
7
8
记号
（例如只）
YYXX
20720
点= 1脚打标
Y =类型代码（见下表）
XX =日期代码
订购信息
设备名称
VEMI85LA-HGK
订购代码
VEMI85LA-HGK-G-08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
3000
最小起订量
15 000
包数据
设备名称
VEMI85LA-HGK
包
名字
LLP3313-17L
TYPE
CODE
9L
重量
7.4毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
测试条件
所有I / O引脚对引脚17 ; ACC 。 IEC 61000-4-5 ;
t
p
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
4
± 25
± 25
- 40至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
kV
°C
°C
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
文档编号： 81949
修订版1.2 ， 18日， 10
如有技术问题，请联系：
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1
VEMI85LA-HGK
威世半导体
应用说明
与VEMI85LA - HGK 8个不同的信号或数据线可被过滤并钳位到地。由于在不同的夹紧
在正向和反向的水平夹紧行为是双向和非对称（偏压） 。
L1
IN
L2
IN
L3
IN
L4
IN
L5
IN
L6
IN
L7
IN
L8
IN
L1
OUT
L2
OUT
L3
OUT
L4
OUT
L5
OUT
L6
OUT
L7
OUT
L8
OUT
8通道LCR - EMI过滤带
ESD保护
1
2
3
17
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
20389
8个独立的EMI过滤器放置的
引脚1和16 ，
引脚2和15 ，
引脚3和14 ，
4脚和13脚，
5脚和12脚，
6脚和11脚，
引脚7和引脚10和
引脚8和引脚9 。
它们都被连接到公共接地引脚17上的包的背面。
1的EMI滤波器通道的电路图显示了两个相同的Z-二极管在输入端和地之间，输出到地面。
这些Z-二极管的特征是突破电压电平（V
BR
）和二极管电容（C
D
） 。以下
突破的电压电平的Z二极管可视为电容器。再加上这些电容和线路
电阻R
S
输入和输出之间的装置可以作为一个低通滤波器。低频信号（六< F
3dB
）通过过滤器
而高频信号（F > F
3dB
）将被短路到地通过二极管电容C
D
.
R
S
In
（引脚1 8 ）
C
D
C
D
L
S
OUT
（引脚9 16 ）
21527
GND
（引脚17 ）
每个滤波器是对称的，使得两个端口可以被用作输入或输出。
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VEMI85LA-HGK
8通道LCR - EMI过滤带
ESD保护
电气特性VEMI85LA - HGK
参数
保护路径
反向关断电压
反向电流
反向击穿电压
测试条件/备注
信道的数目可以被保护的
在我
R
= 1 μA
在V
R
= V
RWM
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1加在输入端测得
在输出端; ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
PP
= I
PPM
= 4的采用在输入，
在输出端测得的; ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
PP
= - 1加在输入端测得
在输出端; ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
PP
= I
PPM
= - 4 A加在输入端，
在输出端测得的; ACC 。 IEC 61000-4-5
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
输入电容
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
线路电感
线阻力
截止频率
测得的输入和输出之间
测得的输入和输出之间;
I
S
= 10毫安
V
IN
= 0 V ;在一个50测
Ω
系统
C
IN
L
S
R
S
f
3dB
-
-
-
-
28
10
12
150
31
-
-
-
pF
nH
Ω
兆赫
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C-出
V
C-出
V
C-出
V
C-出
C
IN
分钟。
-
5
-
6
-
-
-1
- 1.2
-
典型值。
-
-
-
-
7.7
8.3
-
-
47
马克斯。
4
-
1
-
8.5
9.5
-
-
53
单位
通道
V
μA
V
V
V
V
V
pF
威世半导体
波什。钳位电压
NEG 。钳位电压
记
在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。所有的输入（引脚1，2， 3，4， 5，6， 7和8）到地（引脚17）
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80 %
80 %
60 %
53 %
8 μs至100 ％
放电电流I
ESD
100 %
I
PPM
60 %
20微秒到50 ％
40 %
20 %
0%
0
10
20
30
40
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
20557
时间（纳秒）
20548
时间（μs ）
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
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VEMI85LA-HGK
8通道LCR - EMI过滤带
ESD保护
包装尺寸
以毫米（英寸）：
LLP3313-17L
2.65 (0.104)
2.55 （ 0.100 ） EXP 。 DAP
威世半导体
0.4 （ 0.016 ） BSC
0.23 (0.009)
0.17 (0.007)
0.2 (0.008) x 45°
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
进出口。 DAP
2.8 （ 0.110 ）参考。
0.24 (0.009)
0.3 (0.012)
1.4 (0.055)
1.3 (0.051)
0.05 (0.002)
0.152 （ 0.006 ）参考。
3.35 (0.132)
3.25 (0.128)
引脚1标记
足迹推荐：
7 x 0.4 = 2.8 (0.110)
0.4 (0.016)
0.2 (0.008)
0.15 (0.006)
0.6 (0.024)
0.5 (0.020)
0.4 (0.016)
0 (0.000)
SOLDER
抗蚀掩膜
2.6 (0.102)
0.4 (0.016)
文件编号： S8 -V - 3906.04-003 （ 4 ）
创建 - 日期： 2006年8月28
启1 - 日期： 2008年5月27
20391
0.42 (0.017)
焊盘
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