VIS
描述
VG26(V)(S)18165C/VG26(V)(S)18165D
1,048,576 ×16 - 位
CMOS动态RAM
器件的CMOS动态随机存储器组织为1,048,576字×16位与扩展数据输出访问模式。这是
制造与先进的亚微米CMOS工艺和设计，采用5V单电源工作只有唯一或3.3V
电源。低电压工作是要在备用电池，便携式电子应用中使用更合适。自
刷新支撑和CBR的周期被执行。 LT封装在JEDEC标准的42引脚400mil SOJ和
50 （44） -pin 400mil TSOPII 。
特点
单5V或3.3V只有电源
高速吨
RAC
访问时间： 50 / 60ns的
扩展数据输出（ EDO ）网页模式访问
I / O电平： TTL兼容（VCC = 5V ）
LVTTL兼容（VCC = 3.3V ）
4刷新模式：
- RAS只刷新
- 中科院 - 前 - RAS刷新
- 隐藏刷新
- 自刷新
刷新间隔：
- RAS只刷新，中科院 - 前 - RAS的刷新和隐藏刷新： 1024个周期在16毫秒
- 自刷新： 1024次
JEDEC标准引脚： 44引脚400mil SOJ ，50 （ 44 ） -pin 400mil TSOPII
文档： 1G5-0179
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VIS
引脚配置
42引脚400mil SOJ
VCC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
VG26(V)(S)18165C/VG26(V)(S)18165D
1,048,576 ×16 - 位
CMOS动态RAM
50 （44） -pin 400mil TSOPII
VCC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
引脚名称
A0-A9
功能
地址输入
- 行地址： A0 -A9
- 列地址： A0 -A9
- 刷新地址： A0 -A9
数据输入/数据输出
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
电源（ + 5V或+ 3.3V ）
地
无连接
DQ0~DQ15
RAS
UCAS ， LCAS
WE
OE
VCC
VSS
NC
文档： 1G5-0179
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VG26(V)(S)18165C/VG26(V)(S)18165D
1,048,576 ×16 - 位
CMOS动态RAM
框图
WE
LCAS
UCAS
CAS
控制
逻辑
数据 - 在缓冲液中
DQ1
.
.
DQ16
NO.2时钟
发电机
DATA - OUT
卜FF器
OE
柱分离
地址
缓冲器（ 10 ）
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
ROW
解码器
COLUMN
解码器
刷新
调节器
1024
感测放大器
I / 0 GATING
刷新
计数器
1024x16
A8
A9
ROW -
地址
缓冲器（ 10 ）
1024 x 1024 x 16
内存
ARRAY
1024
RAS
NO.1时钟
发电机
VCC
VSS
文档： 1G5-0179
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真值表
功能
RAS
待机
阅读： WORD
阅读：低字节
H
L
L
LCAS
H
→
X
L
L
UCAS
H
→
X
L
H
WE
X
H
H
OE
X
L
L
VG26(V)(S)18165C/VG26(V)(S)18165D
1,048,576 ×16 - 位
CMOS动态RAM
地址
ROW
X
ROW
ROW
COL
X
COL
COL
高-Z
数据输出
低字节：数据输出
高字节：高阻
低字节：高阻
高字节：数据输出
数据在
DQ
S
笔记
阅读：高字节
L
H
L
H
L
ROW
COL
WRITE ： WORD
（早期写）
WRITE ： LOWER
BYTE （早期）
WRITE ： UPPER
BYTE （早期）
读写
分页模式
读
第一个周期
第二个周期
分页模式
写
第一个周期
第二个周期
分页模式
READ-
写
隐
刷新
第一个周期
第二个周期
读
写
RAS -ONLY刷新
CBR刷新
L
L
L
L
X
ROW
COL
L
L
H
L
X
ROW
COL
低字节：数据在
高字节：高阻
低字节：高阻
高字节：数据输入
数据输出，数据输入
数据输出
数据输出
数据在
数据在
数据输出，数据输入
数据输出，数据输入
数据输出
数据在
高-Z
高-Z
4
1,2
2
2
1
1
1,2
1,2
2
1,3
L
H
L
L
X
ROW
COL
L
L
L
L
L
L
L
L
→
H
→
L
L
→
H
→
L
L
H
→
L
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
L
L
H
L
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
L
L
H
L
H
→
L
H
H
L
L
H
→
L
H
→
L
H
L
X
H
L
→
H
L
L
X
X
L
→
H
L
→
H
L
X
X
X
ROW
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
ROW
ROW
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
X
注：1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是LCAS或UCAS主动） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是LCAS或UCAS主动） 。
3.早期只写。
4.至少一个两个CAS信号必须是活动的（LCAS或UCAS） 。
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绝对最大额定值
VG26(V)(S)18165C/VG26(V)(S)18165D
1,048,576 ×16 - 位
CMOS动态RAM
参数
符号
5V
3.3V
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
选择
T
英镑
价值
-1.0至+ 7.0
-0.5 + 4.6
-1.0至+ 7.0
-0.5 + 4.6
50
1.0
0至+ 70
-55 + 125
单位
V
任何引脚相对于Vss的一个电压
电源电压相对于Vss
5V
3.3V
V
mA
W
°C
°C
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
建议的直流工作条件
参数/条件
电源电压
输入高电压，所有输入
输入低电压，所有输入
对称
BOL
V
CC
V
IH
V
IL
5伏版本
民
4.5
2.4
-1.0
典型值
5.0
-
-
最大
5.5
V
CC
+ 1.0
0.8
民
3.15
2.0
-0.3
3.3伏版本
典型值
3.3
-
-
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
电容
TA = 25C ，V
CC
= 5V
±
10 %
或3.3V
±
10 ％ ， F = 1MHz的
参数
输入电容（地址）
输入电容（ RAS ， LCAS ， UCAS ， OE ， WE）
输出电容（输入数据，数据出）
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
记
1
1
1, 2
注：1，电容与有效电容的测量方法进行测定。
2. RAS ，
LCAS和UCAS
= V
IH
禁用Dout的。
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