VEMI65AB-HCI
威世半导体
6通道的EMI滤波器与ESD保护
特点
超小型封装LLP2513-13L
低封装0.6毫米概况
12
11
10
13
9
8
7
6通道EMI滤波器
低漏电流
线路电阻R
S
= 100
Ω
典型的截止频率f
3dB
= 130兆赫
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 18 kV接触放电
± 25 kV空气放电
e4的 - 贵金属(如银,金, NIPD ,镍钯金)(无Sn)的
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
1
2
3
4
5
6
20378
21839
记号
(例如只)
YYXX
20720
点= 1脚打标
YY =类型代码(见下表)
XX =日期代码
订购信息
设备名称
VEMI65AB-HCI
订购代码
VEMI65AB-HCI-GS08
每卷胶带单位
(8毫米磁带ON 7" REEL )
3000
最小起订量
15 000
包数据
设备名称
VEMI65AB-HCI
包
名字
LLP2513-13L
TYPE
CODE
9S
重量
5.5毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
(根据J- STD- 020 )
焊接
条件
260 ℃/ 10秒,在终端
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
测试条件
所有I / O引脚对引脚13 ; ACC 。 IEC 61000-4-5 ;
t
p
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
4
± 18
± 25
- 40至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
kV
°C
°C
**请参见文件“日前,Vishay材质分类政策” :
www.vishay.com/doc?99902
文档编号: 81717
修订版1.6 , 18日, 10
如有技术问题,请联系:
EMIFilter@vishay.com
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VEMI65AB-HCI
威世半导体
应用说明
与VEMI65AB -HCl 6种不同的信号或数据线可被过滤并钳位到地。由于在不同的夹紧
在正向和反向的水平夹紧行为是双向和非对称(偏压) 。
6通道EMI过滤带
ESD保护
L1
IN
L2
IN
L3
IN
L4
IN
L5
IN
L6
IN
1
2
3
13
4
5
6
12
11
10
9
8
7
L1
OUT
L2
OUT
L3
OUT
L4
OUT
L5
OUT
L6
OUT
20379
6个独立的EMI过滤器放置的
引脚1和12 ,
引脚2和11 ,
引脚3和10 ,
4脚和9脚,
引脚5和引脚8和
6脚和7脚。
它们都被连接到公共接地引脚13上的包的背面。
1的EMI滤波器通道的电路图显示了两个相同的Z-二极管在输入端和地之间,输出到地面。
这些Z-二极管的特征是突破电压电平(V
BR
)和二极管电容(C
D
) 。以下
突破的电压电平的Z二极管可视为电容器。再加上这些电容和线路
电阻R
S
输入和输出之间的装置可以作为一个低通滤波器。低频信号(六< F
3dB
)通过过滤器
而高频信号(F > F
3dB
)将被短路到地通过二极管电容C
D
.
R
S
In
(引脚1 ,2,3 ,4,5 , 6)
C
D
OUT
(引脚7 ,8,9 ,10,11 , 12)的
C
D
20380
GND
(引脚13 )
每个滤波器是对称的,使得两个端口可以被用作输入或输出。
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VEMI65AB-HCI
6通道EMI过滤带
ESD保护
电气特性VEMI65AB -HCl
参数
保护路径
反向关断电压
反向电流
反向击穿电压
测试条件/备注
信道的数目可以被保护的
在我
R
= 1 μA
在V
R
= V
RWM
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1加在输入端测得
在输出端; ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
PP
= I
PPM
= 4的采用在输入,
在输出端测得的; ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
PP
= - 1加在输入端测得
在输出端; ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
PP
= I
PPM
= - 4 A加在输入端,
在输出端测得的; ACC 。 IEC 61000-4-5
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
输入电容
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
ESD钳位电压
线阻力
截止频率
在± 18 kV的ESD脉冲累计。 IEC 61000-4-2
测得的输入和输出之间;
I
S
= 10毫安
V
IN
= 0 V ;在一个50测
Ω
系统
C
IN
V
CESD
R
S
f
3dB
-
-
90
-
24
7.5
100
130
28
-
110
-
pF
V
Ω
兆赫
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C-出
V
C-出
V
C-出
V
C-出
C
IN
分钟。
-
5
-
6
-
-
-1
- 1.2
-
典型值。
-
-
0.25
-
-
-
-
-
40
马克斯。
6
-
1
-
7
8
-
-
45
单位
通道
V
μA
V
V
V
V
V
pF
威世半导体
波什。钳位电压
NEG 。钳位电压
记
在25 ° C,除非另有规定的环境温度额定值。所有的输入(引脚1,2, 3和4)到地(引脚9)
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80 %
80 %
60 %
53 %
8 μs至100 %
放电电流I
ESD
100 %
I
PPM
60 %
20微秒到50 %
40 %
20 %
0%
0
10
20
30
40
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
20557
时间(纳秒)
20548
时间(μs )
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 ( 330
Ω/150
pF的)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
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VEMI65AB-HCI
6通道EMI过滤带
ESD保护
包装尺寸
以毫米(英寸):
LLP2513-13L
威世半导体
1.85 (0.073)
1.75 ( 0.069 ) EXP 。 DAP
0.4 ( 0.016 ) BSC
0.23 (0.009)
0.17 (0.007)
0.2 (0.008) x 45°
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
进出口。 DAP
2 ( 0.079 )参考。
0.24 (0.009)
0.3 (0.012)
1.4 (0.055)
1.3 (0.051)
0.152 ( 0.006 )参考。
0.6 (0.024)
0.05 (0.002)
2.55 (0.100)
2.45 (0.096)
引脚1标记
足迹推荐:
5 x 0. 4 = 2 (0.079)
0.4 (0.016)
0.2 (0.008)
0.15 (0.006)
0.4 (0.016)
0.5 (0.020)
0 (0.000)
0.4 (0.016)
SOLDER
抗蚀掩膜
1.8 (0.071)
文件编号: S8 -V - 3906.04-002 ( 4 )
创建 - 日期: 2006年8月28
启1 - 日期: 2008年5月27
20381
0.42 (0.017)
焊盘
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