VOS617A
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，
SSOP - 4 ，半间距，小型扁平封装
特点
很高的点击率，低输入电流
A
C
1
2
4
3
C
E
薄型封装（半间距）
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 80 V
绝缘测试电压= 3750 V
RMS
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
22628-1
描述
该VOS617A系列具有砷化镓红外发光二极管
发射器，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在4针并入
50密耳引线间距微型扁平封装。
它具有低输入电流的高电流传输比，
低耦合电容，和高隔离电压。
联接装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
应用
电信
工业控制
电池供电设备
办公设备
可编程控制器
机构认证
（所有部件都在示范基地VOS617A认证）
UL1577 ，文件号。 E52744
cUL认证
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884-5 ） ，可以使用选项1
FIMKO EN 60065 ， EN 60950-1
CQC GB4943.1-2011和GB8898-2011 （适合
下面2000米安装高度）
订购信息
V
O
S
6
1
7
A
-
#
CTR
箱子
X
0
0
1
T
TAPE
和
REEL
SSOP-4
产品型号
封装选项
≥
5 mm
代理认证/
包
UL ， CUL， FIMKO ， CQC
SSOP-4,
50密耳间距
UL ， CUL， FIMKO ，
CQC ， VDE （选项1）
SSOP-4,
50密耳间距
50至600
VOS617AT
50至600
VOS617A-
X001T
63至125
VOS617A-2T
63至125
VOS617A-
2X001T
100至200
VOS617A-3T
100至200
VOS617A-
3X001T
CTR （ ％ ）
5毫安
160到320
VOS617A-4T
160到320
VOS617A-
4X001T
80至160
VOS617A-7T
80至160
VOS617A-
7X001T
130 260
VOS617A-8T
130 260
VOS617A-
8X001T
200至400
VOS617A-9T
200至400
VOS617A-
9X001T
记
其他选项是可能的，请联系销售办事处。
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1
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VOS617A
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威世半导体
测试条件
符号
V
R
P
DISS
I
F
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
DISS
价值
6
70
50
80
7
50
150
单位
V
mW
mA
V
V
mA
mW
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
功耗
正向电流
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试voltage
发射器和检测器之间
总功耗
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
(1)
吨≤ 10秒
T = 1分
V
ISO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
3750
170
- 55至+ 150
- 55至+ 110
125
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
°C
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
P
DISS
- 集电极耗散功率（毫瓦）
160
60
I
F
- 正向电流（mA ）
- 25
0
25
50
75
100
125
140
120
100
80
60
40
20
0
50
40
30
20
10
0
- 25
0
25
50
75
100
125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗与环境温度
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 2 - 正向电流与环境温度
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威世半导体
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 10 V
I
C
= 100 μA
I
E
= 10 μA
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
I
F
= 5毫安，我
C
= 2.5毫安
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
符号
V
F
I
R
C
I
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
V
CESAT
f
CTR
80
7
5
0.25
155
0.4
分钟。
典型值。
1.18
0.01
7.3
0.3
100
马克斯。
1.5
10
单位
V
μA
pF
nA
V
V
pF
V
千赫
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极 - 发射极漏电流
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极电容
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
部分
VOS617A
VOS617A-2
VOS617A-3
I
C
/I
F
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V
VOS617A-4
VOS617A-7
VOS617A-8
VOS617A-9
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
63
100
160
80
130
200
典型值。
马克斯。
600
125
200
320
160
260
400
单位
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
非饱和
上升和下降时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
饱和的
上升和下降时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5 V,
R
L
= 1.9 k
t
r
t
f
t
on
t
关闭
3
12
4
18
μs
μs
μs
μs
I
C
= 2毫安， V
CC
= 5 V,
R
L
= 100
t
r
t
f
t
on
t
关闭
3
3
6
4
μs
μs
μs
μs
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
CC
= 5 V
输入脉冲
输入
R
L
V
OUT
10 %
输出脉冲
90 %
t
r
t
on
t
f
t
关闭
isfh618a_10
isfh618a_12
图。 3 - 测试电路
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图。 4 - 测试电路和波形
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威世半导体
符号
P
SO
I
si
T
S
CTI
V
ISO
V
IOTM
V
IORM
T
AMB
= 25 ° C，V
DC
= 500 V
T
AMB
= 100℃ ，V
DC
= 500 V
R
IO
R
IO
价值
300
200
150
175
3750
6000
565
10
12
10
11
55/110/21
2
5
5
DTI
0.4
mm
mm
mm
V
RMS
V
PEAK
V
PEAK
单位
mW
mA
°C
安全性和绝缘等级
参数
最高安全评级
输出功率安全
输入电流安全
安全温度
漏电起痕指数
绝缘额定参数
最大耐压绝缘电压
最大瞬态电压隔离
最大重复峰值电压隔离
绝缘电阻
绝缘电阻
气候分类（根据IEC 68部分1 ）
环境（按照标准DIN VDE 0109的污染程度）
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度
记
按照IEC 60747-5-5 ， § 7.4.3.8.2 ，这种光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
100
55
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
- 正向电流（mA ）
10
T
AMB
= 110 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 55 °C
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
I
F
= 1毫安
I
F
= 35毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 25毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
1
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
5
6
7
8
9
10
V
F
- 正向电压（ V）
图。 5 - 正向电压与正向电流
V
CE
- 集电极发射极电压（非SAT ） （V ）
图。 6 - 集电极电流与集电极发射极电压
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威世半导体
1.2
10 000
1000
N
CTR
- 归CTR （SAT）
I
F
= 0毫安
I
F
= 5毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
CE0
- 漏电流（ nA的）
V
CE
= 40 V
100
10
1
0.1
V
CE
= 24 V
V
CE
= 12 V
0.01
0.001
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
标准化为CTR值：
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V ，T
AMB
= 25 °C
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 漏电流与环境温度
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 10 - 归一化电流传输比（饱和）与
环境温度
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
14
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
I
c
= 1毫安
I
c
= 2毫安
I
F
= 10毫安
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
= 10毫安
12
10
8
6
4
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
I
c
= 5毫安
I
F
= 2毫安
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图。 8 - 集电极电流与集电极发射极电压
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 11 - 集电极发射极电压与环境温度
N
CTR
- 归一化的中心（非饱和的）
1.2
1.4
N
CTR
- 归CTR （ NS ）
I
F
= 5毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T
AMB
= 0 °C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
1
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 100 °C
标准化为：
I
F
= 5 A，V
CE
= 5 V,
T
AMB
= 25 °C
10
100
T
AMB
= - 55 °C
T
AMB
= 25 °C
标准化为CTR值：
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V ，T
AMB
= 25 °C
- 60 - 40 - 20 0
20
40
60
80 100 120
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 9 - 归一化电流传输比（不饱和）与
环境温度
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 12 - 归CTR （不饱和）与正向电流
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