VEMD2503X01 ， VEMD2523X01
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威世半导体
硅PIN光电二极管
特点
VEMD2503X01
VEMD2523X01
封装类型：表面贴装
包装形式： GW ， RGW
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 2.3× 2.3× 2.55
AEC- Q101标准
高辐射敏感性
适用于可见光和整齐的红外辐射
快速的响应时间
半灵敏度角度：
= ± 35°
包装与红外发射器系列匹配
VSMB2943X01
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb） -free回流焊
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
描述
VEMD2503X01和VEMD2523X01是高速和高
在一个微型的表面敏感的PIN光电二极管安装
封装（ SMD）与圆顶透镜。在清晰环氧树脂允许光
检测的宽波长范围的从350nm至
1120纳米。芯片的光敏区域是0.23毫米
2
.
应用
高速光电检测器
光幕
检测器光开关
产品概述
部件
VEMD2503X01
VEMD2523X01
I
ra
(μA)
10
10
（度）
± 35
± 35
0.1
（纳米）
350 1120
350 1120
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VEMD2503X01
VEMD2523X01
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 6000件， 6000件/卷
最小起订量： 6000件， 6000件/卷
包装形式
相反的鸥翼式
鸥翼
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
命中率。回流焊接温度曲线图。 7
命中率。 J- STD- 051
T
AMB
25
°C
测试条件
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
250
单位
V
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
1.0版， 05 -APR- 13
文档编号： 84163
1
如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100 μA ， E = 0
V
R
= 10 V ， E = 0
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
V
R
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1
E
e
= 1
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
毫瓦/平方厘米
2
,
毫瓦/平方厘米
2
,
= 950 nm的
= 950 nm的
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
= 950 nm的
符号
V
F
V
（ BR ）
I
ro
C
D
C
D
V
o
TK
Vo
I
k
TK
Ik
I
ra
p
0.1
7
32
1
4
1.3
350
- 2.6
10
0.1
10
± 35
900
350 1120
100
100
14
10
分钟。
典型值。
1
马克斯。
单位
V
V
nA
pF
pF
mV
毫伏/ K
μA
%/K
μA
度
nm
nm
ns
ns
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
开路电压
V温度COEF网络cient
o
短路电流
我的温度系数
k
反向光电流
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
上升时间
下降时间
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 k,
= 820 nm的
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 k,
= 820 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
= 950纳米，V
R
= 5 V
t
r
t
f
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
1000
100
I
ro
- 反向暗电流（ NA）
I
ra
- 反向光电流（ μA ）
V
R
= 5 V
10
100
10
V
R
= 10 V
1
20
40
60
80
100
1
0.1
0.01
0.1
1
10
94 8427
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
E
e
- 辐射
（毫瓦/平方厘米
2
)
图。 1 - 反向暗电流与环境温度
图。 3 - 反向光电流与光强
I
RA，相对
- 相对反向光电流
1.4
8
1.2
V
R
= 5 V
λ
= 950 nm的
C
D
- 二极管电容（pF ）
6
E=0
F = 1 MHz的
4
1.0
0.8
2
0.6
0
20
40
60
80
100
0
0.1
94 8430
1
10
100
94 8416
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 相对反向光电流与环境温度
图。 4 - 二极管电容与反向电压
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0°
10°
20°
30°
S (λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
400
500
600
700
800
900
1000 1100
S
REL
- 相对辐射灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
50°
60°
70°
80°
0.7 0.6
0.4
0.2
0
21553
λ
- 波长（nm ）
图。 5 - 相对光谱灵敏度与波长
图。 6 - 相对辐射强度对比角位移
回流焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
车间寿命4周
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％
潮湿敏感度等级2A， ACC 。以J- STD- 020 。
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
19841
时间（s）
图。 7 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020D
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- 角位移
VEMD2503X01 ， VEMD2523X01
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包装尺寸
以毫米为单位：
VEMD2503
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VEMD2503X01 ， VEMD2523X01
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包装尺寸
以毫米为单位：
VEMD2523
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