SM320C32 EP
数字信号处理器
SGUS038 - 2002年8月
D
控制基线
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- 一个封装/测试网站,一个制造
现场
扩展温度性能
-55 ° C至125°C
提高制造业递减
源( DMS )支持
增强型产品变更通知
资质谱系
高性能浮点数字
信号处理器( DSP)的
SM320C32-50EP (5 V)的
- 40 ns指令周期时间
- 275 MOPS
- 50 MFLOPS
- 25 MIPS
SM320C32-60EP (5 V)的
- 33 - ns指令周期时间
- 330 MOPS
- 60 MFLOPS
- 30 MIPS
32位高性能CPU
16位/ 32位整数和32位/ 40位
浮点运算
32位指令字, 24位地址
两个256
×
32位单周期,双接入
片上RAM块
灵活的引导程序加载器
片上存储器映射的外设:
- 一个串口
- 2个32位定时器
- 双通道直接存储器存取
( DMA )协处理器可配置
优先
增强的外部存储器接口,
支持8位/ 16位/ 32位宽度的外部RAM
对于数据访问和程序执行
从16位/ 32位宽度的外部RAM
D
SMJ320C30和SMJ320C31目标代码
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D
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D
D
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D
D
D
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D
兼容
制造使用增强性能
通过植入CMOS ( EPIC )技术
德州仪器
144引脚塑料四方扁平封装
( PCM后缀) 5 V
八扩展精度寄存器
两个地址发生器与八
辅助寄存器和两个辅助
注册运算单元( ARAUs )
两种低功耗模式
两个和三个操作数指令
并行算术逻辑单元( ALU )和
在单周期乘法器执行
块重复功能
零开销循环利用单周期
分支机构
有条件的调用和返回
联锁说明
多支持
一个外部引脚, PRGW ,用于配置
外部-程序内存宽度为
16位或32位
两组内存选通的( STRB0和
STRB1 )和一个I / O选通( IOSTRB )
允许零胶逻辑接口双
记忆银行和对外的一个银行
外设
独立的总线控制寄存器每
选通控制等待状态产生,
外部存储器宽度和数据类型大小
STRB0和STRB1内存选通手柄
8,16或32位外部的数据访问
(读取和写入)
多处理器支持,通过HOLD
和HOLDA信号适用于所有频闪灯
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请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
按照JEDEC标准和行业标准组件的资格,以确保可靠的操作在扩展级温度范围。
这包括,但不限于,高加速应力测试( HAST )或偏置85/85 ,温度循环,高压釜或无偏HAST ,
电,债券间的生活,和模塑料的生活。这样的资格测试不应该被看作是证明使用本
分量超出规定的性能和环境的限制。
EPIC是德州仪器的商标。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年,德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
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SM320C32 EP
数字信号处理器
SGUS038 - 2002年8月
描述
该SM320C32 -EP是320C3x代从德州仪器数字信号处理器中的一员。
该SM320C32 -EP在0.7微米的三电平的金属增强的32位浮点处理器制造
CMOS技术。的增强的320C3x架构包括一个可变宽度的外部存储器
界面,更快的指令周期时间,省电模式,双通道DMA协处理器,可配置
优先级,柔性引导程序,可重定位的中断矢量表,并且边沿或电平触发的中断。
内部总线连接方式和特殊的数字信号处理指令集的SM320C32 -Ep的有速度
和灵活地执行高达每秒5000万次浮点运算( MFLOPS ) 。该SM320C32 -EP
在硬件上实现功能优化速度等处理器通过软件或实施
微码。此硬件密集型方法提供性能先前在单个芯片上不可用。
有关更多信息,设计用于低温操作时,请参阅德州仪器
应用报告
320C3x , 320C4x和320MCM42x电灵敏度,在寒冷的温度,
文学
数SGUA001 。
部分订单信息
设备
SM320C32PCMM50EP
SM320C32PCMM60EP
技术
0.65微米CMOS
0.65微米CMOS
动力
供应
5 V
±
5%
5 V
±
5%
操作
频率
50兆赫
60兆赫
套餐类型
塑料144引脚四方扁平封装
塑料144引脚四方扁平封装
处理
水平
EP
EP
2
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休斯敦,得克萨斯州77251-1443
SM320C32 EP
数字信号处理器
SGUS038 - 2002年8月
引脚功能
本节提供信号说明了SM320C32 -EP设备。下表列出了各个信号
(按功能分组) ,销,操作模式的数量,并简要描述信号。
引脚功能
针
名字
号
外部总线接口( 70引脚)
D31 D0
A23 A0
读/写
IOSTRB
STRB0_B3 / A -1
STRB0_B2 / A -2
STRB0_B1
STRB0_B0
STRB1_B3 / A -1
STRB1_B2 / A -2
STRB1_B1
STRB1_B0
RDY
32
24
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
I / O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
I
外部总线接口的32位数据端口
外部总线接口的24位的地址端口
S
S
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
R
R
R
TYPE
描述
条件
当
信号
在高阻态
读/写外部存储器接口。 R / W为高时执行一个读
S
和低时执行写在并行接口。
外围I / O选通外部存储器接口
外部存储器访问频闪0 ,字节使能3 32位外部存储器
接口和地址引脚为8位和16位的外部存储器接口
外部存储器访问频闪0 ,字节使能2为32位外部存储器
接口和地址引脚为8位的外部存储器接口
外部存储器访问选通0 ,字节允许1的外部存储器
接口
外部存储器访问选通0 ,字节允许0为外部存储器
接口
外部存储器存取选1 ,字节使能3 32位外部存储器
接口和地址引脚为8位和16位的外部存储器接口
外部存储器存取选1 ,字节使能2为32位外部存储器
接口和地址引脚为8位的外部存储器接口
外部存储器访问选通脉冲1 ,字节允许1的外部存储器
接口
外部存储器访问选通脉冲1 ,字节允许0为外部存储器
接口
准备好了。 RDY表示该外部设备准备用于外部存储器
接口事务完成。
保持信号的外部存储器接口。当HOLD为逻辑低电平时,任何正在进行
交易完成。 A23 -A0 , D31 -D0 , IOSTRB , STRB0_Bx , STRB1_Bx ,
和R / W被放置在高阻抗状态,并在所有的交易数据
外部存储器接口被搁置,直至HOLD变为逻辑高电平或
该STRB0总线控制寄存器NOHOLD位被置位。
持有认可的外部存储器接口。 HOLDA在产生
针对保留的逻辑低电平。 HOLDA表明A23 -A0 , D31 -D0 ,
IOSTRB , STRB0_Bx , STRB1_Bx ,和R / W是在高阻抗状态和
S
即在内存中的所有交易都举行。 HOLDA是高响应于
HOLD的逻辑高电平或当外部总线控制寄存器的NOHOLD位
被设置。
程序存储器的宽度选择。当PRGW是逻辑低,程序是取出作为
一个32位字。当PRGW为逻辑高电平, 2个16位程序都取
执行获取一个32位指令字。 PRGW在设备状态
复位影响STRB0和STRB1总线控制寄存器的复位值。
S
S
S
S
S
S
S
S
S
HOLD
1
I
HOLDA
1
O / Z
PRGW
1
I
I =输入, O =输出, Z =高阻抗状态
S = SHZ活跃,H =保持活跃,R =复位
推荐去耦电容是0.1
F.
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休斯敦,得克萨斯州77251-1443
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