VBUS054B-HS3
威世半导体
4线总线端口的ESD保护
特点
超小型LLP75-6A封装
USB ESD保护的4线
低漏电流
低负载电容C
D
= 0.8 pF的
ESD保护符合IEC 61000-4-2
± 15 kV接触放电
± 15 kV空气放电
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
6
5
4
1
19957
2
3
20397
1
记号
（例如只）
XX
YY
21001
点= 1脚打标
XX =日期代码
YY =类型代码（见下表）
订购信息
设备名称
VBUS054B-HS3
订购代码
VBUS054B-HS3-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
3000
最小起订量
15 000
包数据
设备名称
VBUS054B-HS3
包
名字
LLP75-6A
记号
CODE
U6
重量
5.1毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿度敏感度等级
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
等级
测试条件
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
引脚5到引脚2
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
引脚5到引脚2
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
I
PPM
P
PP
P
PP
V
ESD
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
3
10
45
200
± 15
± 15
- 40至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
A
W
W
kV
kV
°C
°C
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
*请参阅文件“日前，Vishay绿色无卤定义（ 5-2008 ） ” http://www.vishay.com/doc?99902
文档编号81586
修订版1.4 ， 07 -OCT- 08
如需技术支持，请联系： ESD-Protection@vishay.com
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1
VBUS054B-HS3
威世半导体
电气特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
VBUS054B-HS3
参数
保护路径
相反的立场-O FF电压
反向电流
测试条件/备注
线的数目可被保护的
在我
R
= 0.1 A
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
在V
IN
= V
RWM
= 5 V
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
在我
R
= 1毫安
引脚5到引脚2
在我
R
= 1毫安
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
在我
PP
= 3 A;引脚1 ， 3 ， 4或6针2 ;
ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
F
= 3 A;引脚2到引脚1 ， 3 ， 4或6 ;
ACC 。 IEC 61000-4-5
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
V
IN
（在脚1 ，3，4或6 ）= 0 V和
V
公共汽车
（在脚5 ）= 5伏; F = 1 MHz的
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
V
IN
（在脚1 ，3，4或6）= 2.5 V和
V
公共汽车
（在脚5 ）= 5伏; F = 1 MHz的
线电容的差
引脚5到引脚2
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
符号
N行
V
RWM
I
R
V
BR
V
BR
V
C
V
F
6.3
6.9
5
＆ LT ; 0.01
7.1
7.9
0.1
8
8.7
15
5
分钟。
典型值。
马克斯。
4
单位
线
V
A
V
V
V
V
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
C
D
0.8
1
pF
电容
C
D
dC
D
C
ZD
0.5
0.8
0.05
pF
pF
pF
线对称
供应线路电容
110
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威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
100 %
80
%
8 s
到100％
100
引脚2到引脚5
10
I
F
（MA ）
I
PPM
60 %
20
s
70％的
40 %
20 %
0%
0
20548
1
引脚2到引脚1 ， 3 ， 4或6
0.1
0.01
0.001
0.5
10
20
30
40
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
时间（μs ）
20550
V
F
(V)
图1. 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图4.典型正向电流I
F
与正向电压V
F
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80
%
9
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
8
7
6
引脚5到引脚2
放电电流I
ESD
V
R
(V)
60 %
53 %
5
4
3
2
1
0
0.01
0.1
1
10
100
1000 10000
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
时间（纳秒）
20551
I
R
(A)
图2. ESD放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图5.典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
20549
F = 1兆赫;
V
公共汽车
（在引脚5 ） = 5
V
20
15
10
测得的累计。 IEC 61000-4-5
(8/20
s
-
WAVE
表）
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
C
IN
（PF ）
V
C
(V)
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
5
0
-5
- 10
引脚5到引脚2
V
C
引脚2到引脚5
引脚2到引脚1 ， 3 ， 4或6
1
2
3
4
5
6
20552
0
1
2
3
4
V
IN
(V)
I
PP
(A)
图3.典型输入电容C
IN
在引脚1 ， 3 ， 4 ， 6 ，或与
输入电压V
IN
图6.典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
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威世半导体
120
100
命中率。 IEC 61000-4-2
+
8
kV
接触放电
200
150
100
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
V
C- ESD
(V)
V
C- ESD
(V)
80
60
引脚1 ， 3 ， 4 ， 6引脚2
40
20
0
- 20
- 10 0
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
引脚2到引脚1 ， 3 ， 4或6
0
20555
命中率。 IEC 61000-4-2
C- ESD
接触放电
V
10 20 30 40 50 60 70
80
90
5
10
15
20
20553
T（ NS ）
V
ESD
（千伏）
图7.典型钳位性能，在+ 8千伏
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
图9.典型的峰值钳位电压ESD时
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
20
0
- 20
- 40
- 60
-
80
- 100
- 120
- 140
- 160
- 10 0
20554
140
引脚1 ， 3 ， 4或6引脚2
120
100
80
60
40
20
0
- 20
- 40
- 60
-
80
10 20 30 40 50 60 70
80
90
0
20556
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
引脚5到引脚2
V
C- ESD
(V)
V
C- ESD
(V)
V
C- ESD
命中率。 IEC 61000-4-2
-
8
kV
接触放电
引脚2到引脚5
5
10
15
20
T（ NS ）
V
ESD
（千伏）
图8.典型钳位性能 - 8千伏
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
图10.典型的峰值钳位电压ESD时
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
应用指南：
与
VBUS054B-HS3
双高速USB端口或多达4个其他高速信号或数据线
受到保护，免受瞬态电压信号。负瞬态进行钳位收盘价低于地电平
而积极的瞬变将收盘价高于5 V工作范围夹紧。雪崩二极管钳位
供给线路（Ⅴ
公共汽车
在脚5）到地（引脚2） 。高速数据线，D-
1+
, D
2+
, D
1-
和D
2-
被连接
到引脚1 ，3，4和6。只要在数据线上的信号电压是地面和V之间
公共汽车
-level ，
低电容的PN二极管提供了一个非常高的隔离到V
公共汽车
，地面和其他的数据线。但随着
一旦任何瞬态信号超出该工作范围中，PN二极管中的一个开始在正向工作
模式和夹紧瞬态接地或与Z二极管的雪崩击穿电压电平
与第5脚和第2脚。
t
w
i
n
U
S
B
-
P
o
r
t
V
公共汽车
D
1+
D
1-
6
5
4
R
E
C
E
I
V
E
R
IC
1
2
3
D
2+
D
2-
GND
20399
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威世半导体
背景知识：
一个zener-或雪崩二极管是"cutting"或"clamping"电压尖峰或瞬态电压的理想设备
下到低，不加批判的电压值。的击穿电压可以很容易地通过在芯片级进行调整
技术，以在宽范围内的任何所需的值。至多约6伏的"zener - effect" （隧道效应）是
负责的突破特性。上述6 V所谓"avalanche - effect"负责。这
是一种较为突然的突破现象。因为典型的"Z - shape"的电流 - 电压曲线的中
这样的二极管，这些二极管通常称为"Z - diode" （ =齐纳或雪崩二极管） 。同样重要
参数为一个保护二极管是的ESD和浪涌功率，使二极管短路电流中的脉冲
接地而不被破坏。
这一要求可以通过在硅芯片（晶）的大小进行调整。大有效面积的更高
目前，该二极管可以短路。
但有源区还负责二极管电容 - 越大的区域中的较高的
电容。
的困境是，很多应用程序都需要一个有效的防范多于8 kV的静电放电，而
电容必须再降低5 pF的！这是非常出的Z二极管的正常范围内。但是，保护
二极管具有低电容的PN二极管（开关二极管或结二极管）串联一个稳压二极管，可以实现
这两个要求同时进行：低电容和高的ESD和/或抗浪涌成为可能！
小信号（V
pp
< 100毫伏）刚刚看到的PN二极管的低电容，而所述大电容
Z-二极管串联依然"invisible" 。
D
ZD
C
合计
C
D
= 0.4 pF的
CZ
D
= 110 pF的
20400
I / O
这样的一个Z -二极管和一个小星座
在序列的PN二极管（低电容）（反串行）
是一个真正的单向保护器件。该
钳位电流只能沿一个方向流动
（向前）在PN二极管。反向路径是
受阻。
D
ZD
GND
20401
另一个PN-二极管"opens"使后路径的
保护装置变成双向的！因为
钳位电压电平在正向和反向
方向是不同的，这样的保护装置具有
a
双向
和
不对称
夹紧行为
（ BIAS ）就像一个稳压二极管。
I / O
D
1
ZD
D
2
GND
20404
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