牧师E13-01
产品数据表
AnaSem
模拟半导体IC
低电压，低功耗，± 1 ％的高检测精度的CMOS电压检测器
VDA系列
一般说明
该VDA系列电压检测，低电压，低功耗
耗和高的精度。所述检测电压的精度
基于高精度的参考电压来检测，该
温度系数进行控制。检测电压是在
高精度地通过使用激光微调技术。
卤素
RoHS指令
合规
特点
0.8V 6.0V （可选
检测电压范围··································································以0.1V的步）
0.7V~6.0V
工作电压范围··································································
±1% (V
DET
=1.8V~6.0V) / ±2% (V
DET
=0.8V~1.7V)
高精度检测电压·····················································
典型值。 ± 20ppm的/ ° C（ V
DET
= 1.8V~6.0V)
检测电压温度特性··································································
CMOS和N沟道开漏
输出类型·························································································
典型值。 0.6μA （V
IN
= 1.5V)
低电流消耗··································································
–40°C ~ +85°C
工作温度范围··································································
SOT- 23 （ 2.9 × 2.8 × 1.1毫米）
小型封装·························································································
应用
微处理器复位
上电系统的复位
充电检测电池
备用电池的记忆
电池续航时间监控
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低电压，低功耗，± 1 ％的高检测精度的CMOS电压检测器
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VDA系列
产品NUMBERING指南
VDA
设计版本
包装形式
输出类型
A：T
OPR
= –40°C ~ +85°C
T： SOT - 23
C： CMOS输出
N： N沟道开漏输出
10 : ±1%
20 : ±2%
08 60 ：可选择与0.1V的步骤
在0.8V 6.0V的范围内
例如） 18： 1.8V
30 : 3.0V
检测准确率
检测电压
引脚配置/标记规格（ SOT -23 ）
引脚配置
VIN
3
号
1
2
符号
V
OUT
V
SS
V
IN
产量
说明
电源地
电压输入
A B C D E
F F F F
3
标识特定网络阳离子
1
VOUT
2
VSS
CODE
A
BC
D
E
F
标志
C或N
08~60
1或2的
A
内部规则
目录
输出类型
检测电压
检测准确率
VERSION
批号
（ TOP VIEW ）
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VDA系列
典型应用电路
CMOS输出
N沟道开漏输出
V
OUT
V
IN
V
SS
100K
V
IN
V
OUT
V
SS
框图
CMOS输出
V
IN
V
IN
N沟道开漏输出
+
电压
参考
V
OUT
电压
参考
+
_
V
OUT
_
VSS
VSS
绝对最大额定值
项
输入电压范围
输出电流
输出电压范围
功耗
※1)
SOT-23
符号
V
IN
I
OUT
V
OUT
P
D
T
OPR
T
英镑
评级
–0.3 ~ +7.0
50
V
SS
–0.3 ~ V
IN
+0.3
400
–40 ~ +85
–55 ~ +125
单位
V
mA
V
mW
°C
°C
工作温度范围
存储温度范围
注意：
※1)
功耗取决于安装在电路板的条件。
PCB尺寸为50mm ×50 × 1.6毫米。
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VDA系列
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
项
工作电压
符号
V
IN
V
DET
检测电压
V
DET
迟滞范围
V
HYS
V
IN
=0.7V
V
IN
=1.0V
V
IN
=2.0V
V
IN
=3.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=5.0V
CMOS P沟道
V
DS
=2.1V
CMOS N沟道
V
DS
=2.1V
V
IN
=6.0V
V
IN
=6.0V
V
IN
=1.5V
V
IN
=2.0V
消耗电流
I
SS
V
IN
=3.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=5.0V
漏电流
I
泄漏
V
IN
=6.0V V
OUT
=6.0V
V
DET
= 1.8V ~ 6.0V
TA = -40°C - + 85°C
V
DET
= 0.8V ~ 1.7V
TA = -40°C - + 85°C
从V反转
DR
到V
OUT
条件
V
DET
= 0.8V ~ 6.0V
V
DET
= 1.8V ~ 6.0V
TA = -40°C - + 85°C
V
DET
= 0.8V ~ 1.7V
TA = -40°C - + 85°C
分钟。
0.7
V
DET
×0.99
V
DET
×0.98
V
DET
×0.02
0.1
1.0
3.0
5.0
6.0
7.0
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
V
DET
V
DET
V
DET
×0.05
0.35
2.3
8.2
11.1
12.8
13.8
-9.5
9.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
±20
±100
0.03
马克斯。
6.0
V
DET
×1.01
V
DET
×1.02
V
DET
×0.08
-
-
-
-
-
-
-1.5
-
2.1
2.5
2.8
3.0
3.4
100
-
-
0.2
单位
V
V
1
V
V
mA
mA
mA
3
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
nA
PPM /°C的
1
PPM /°C的
ms
5
3
2
4
3
1
TEST
电路
1
N沟道
V
DS
=0.5V
输出电流
I
OUT
检测电压
温度COEF网络cient
延迟时间
V
DR
→V
OUT
逆温
V
DET
/
ΔTA V
DET
T
DLY
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