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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第174页 > VB40100C-E3/8W
新产品
V40100C , VB40100C , VI40100C
www.vishay.com
威世通用半导体
超低V
F
= 0.38 V ,在我
F
= 5 A
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
TMBS
TO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降,低功率损耗
高效率运行
低热阻
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
245 ° C(用于TO- 263AB封装)峰
2
3
V40100C
销1
3脚
销2
1
焊锡炉温度275 ° C(最大值) , 10秒,每JESD
22 - B106 (用于TO- 220AB , TO- 263AB和TO- 262AA
包)
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
TO-263AB
K
K
TO-262AA
典型应用
对于高频转换器的使用,开关电源
用品,续流二极管, OR- ing二极管,直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
2
1
1
VB40100C
销1
销2
K
散热器
机械数据
2
3
案例:
TO- 220AB , TO- 263AB和TO- 262AA
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准,商用级
终端:
雾锡电镀引脚,焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性:
由于标
最大10英寸磅:安装扭矩
VI40100C
销1
3脚
销2
K
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 20 A
100 V
250 A
0.61 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
(图1)的
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
E
AS
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V40100C
VB40100C
100
40
20
250
230
1.0
10 000
- 40 + 150
VI40100C
单位
V
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
非重复性雪崩能量
在T
J
= 25 ° C,L = 90 mH的二极管
在t重复峰值反向电流
p
= 2微秒, 1 kHz时,
T
J
= 38 ° C± 2°C的每二极管
变化的电压率(额定V
R
)
工作结存储温度范围
A
mJ
A
V / μs的
°C
修订: 19 - OCT- 11
文档编号: 89042
1
您所在区域内的技术问题:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改,恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明,阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
新产品
V40100C , VB40100C , VI40100C
www.vishay.com
威世通用半导体
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
R
= 10毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R
T
A
= 25 °C
符号
V
BR
典型值。
100(最低)
105 (最低)
0.47
0.54
0.67
0.38
0.45
0.61
9
10
-
21
马克斯。
-
-
-
-
0.73
-
-
0.67
-
-
1000
45
μA
mA
μA
mA
V
单位
V
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
击穿电压
(2)
每正向电压
二极管
(1)
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
V
R
= 70 V
反向电流在额定V
R
每二极管
(2)
V
R
= 100 V
笔记
(1)
脉冲试验: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
(2)
脉冲测试:脉冲宽度
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40100C
2.0
VB40100C
2.0
VI40100C
2.0
单位
° C / W
订购信息
(例)
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V40100C-E3/4W
VB40100C-E3/4W
VB40100C-E3/8W
VI40100C-M3/4W
单位重量(g )
1.85
1.39
1.39
1.46
封装代码
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
50
VI40100C
18
16
D = 0.8
平均正向电流( A)
平均功耗( W)
40
VB40100C
V40100C
VF40100C
14
12
10
8
6
4
2
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.5
30
D = 1.0
20
T
10
D =吨
p
/T
0
5
10
15
20
t
p
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
外壳温度( ° C)
平均正向电流( A)
图。 1 -
正向电流降额曲线
图。 2 -
正向功率损耗特性每二极管
修订: 19 - OCT- 11
文档编号: 89042
2
您所在区域内的技术问题:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
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新产品
V40100C , VB40100C , VI40100C
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威世通用半导体
10
100
正向电流(A )
瞬态热阻抗( ℃/ W)
结到外壳
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
1
T
A
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V(B,I)40100C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图。 3 -
典型的正向特性每二极管
图。 6 -
每二极管典型的瞬态热阻抗
100
100
T
A
= 150 °C
瞬态热阻抗( ℃/ W)
瞬时反向电流(mA )
结到外壳
10
T
A
= 125 °C
10
1
T
A
= 100 °C
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
1
VF40100C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图。 4 -
典型的反向特性每二极管
图。 7 -
每二极管典型的瞬态热阻抗
10 000
结电容(pF )
1000
100
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图。 5 -
典型结电容每二极管
修订: 19 - OCT- 11
文档编号: 89042
3
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V40100C , VB40100C , VI40100C
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包装外形尺寸
以英寸(毫米)
威世通用半导体
TO-220AB
0.415 ( 10.54 ) MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
2
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 ( 3.81 )最低。
0.08 ( 2.032 ) MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 ( 8.38 )最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 ( 10.66 ) MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 ( 0 0.254 )
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
TO-262AA
0.411 ( 10.45 ) MAX 。
0.250 ( 6.35 )最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω (典型值)。
( REF )。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
销1
3脚
销2
散热器
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
修订: 19 - OCT- 11
文档编号: 89042
4
您所在区域内的技术问题:
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受到特定的免责声明,阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
法律免责声明
www.vishay.com
日前,Vishay
放弃
全部产品,产品规格及数据如有更改,恕不另行通知,以改善
可靠性,功能,设计或其他原因。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理商和雇员,和所有代表及其或其各自的(统称个人,
“威世” ) ,包含在任何数据或任何其他的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前,Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证,声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内, Vishay不承担( i)任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用, ( ii)任何及所有责任,包括但不限于特殊,
间接或附带损失,及(iii)任何和所有的暗示担保,包括适销性和针对特定担保
目的,非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求,常常放置在日前,Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任,以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异,而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明,否则Vishay产品不用于医疗,救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险,并同意
充分赔偿并日前,Vishay及其分销商,免受任何和所有索赔,债务,费用和
引起或导致此类使用或销售,包括律师费方面,即使此类索赔称,赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前,Vishay Intertechnology,Inc.是在此证明,所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制,根据安理会的指令,欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
(EEE ) - 重铸,除非另外指定为不符合要求的。
请注意,某些日前,Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认,
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订: 12 -MAR- 12
1
文档编号: 91000
新产品
V40100C , VF40100C , VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.38 V ,在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降,低功耗
损失
高效率运行
低热阻
2
V40100C
销1
3脚
销2
3
1
VF40100C
销1
3脚
销2
2
3
1
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
245 ° C(用于TO- 263AB封装)峰
浸焊260 ° C, 40秒(对于TO- 220AB , ITO - 220AB
和TO- 262AA封装)
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
TO-263AB
K
K
TO-262AA
2
1
1
VB40100C
销1
销2
K
散热器
2
3
对于高频率逆变器的使用,开关电源
用品,续流二极管, OR- ing二极管,直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例:
TO- 220AB , ITO - 220AB , TO- 263AB和
TO-262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须试验
极性:
由于标
安装扭矩:
最大10磅
VI40100C
销1
3脚
销2
K
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 20 A
100 V
250 A
0.61 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
(图1)的
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
V
AC
T
J
, T
英镑
V40100C
VF40100C
VB40100C
VI40100C
单位
V
A
A
V
°C
100
40
20
250
1500
- 40 + 150
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
隔离电压( ITO - 220AB只)
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
文档编号: 89042
修订: 26 08年5月
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
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1
新产品
V40100C , VF40100C , VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
测试条件
I
R
= 1.0毫安
击穿电压
(2)
符号
典型值。
100
(最小)
105
(最小)
0.47
0.54
0.67
0.38
0.45
0.61
9
10
-
21
马克斯。
-
单位
T
A
= 25 °C
I
R
= 10毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
V
R
= 70 V
T
A
= 25 °C
V
BR
V
-
-
-
0.73
-
-
0.67
-
-
1000
45
每个二极管的正向电压
(1)
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
V
反向电流在额定V
R
每二极管
(2)
V
R
= 100 V
注意事项:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
( 2 )脉冲测试:脉冲宽度
40毫秒
I
R
A
mA
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40100C
2.0
VF40100C
4.0
VB40100C
2.0
VI40100C
2.0
单位
° C / W
订购信息
(例)
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V40100C-E3/4W
VF40100C-E3/4W
VB40100C-E3/4W
VB40100C-E3/8W
VI40100C-E3/4W
单位重量(g )
1.85
1.75
1.39
1.39
1.46
封装代码
4W
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
50
VI40100C
18
16
D = 0.8
平均正向电流( A)
平均功耗( W)
40
VB40100C
V40100C
VF40100C
14
12
10
8
6
4
2
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.5
30
D = 1.0
20
T
10
D =吨
p
/T
0
5
10
15
20
t
p
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
外壳温度( ° C)
平均正向电流( A)
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
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新产品
V40100C , VF40100C , VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
100
10
瞬态热阻抗( ℃/ W)
正向电流(A )
结到外壳
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
1
T
A
= 25 °C
V(B,I)40100C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图3.典型正向特性每二极管
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
100
100
T
A
= 150 °C
瞬态热阻抗( ℃/ W)
瞬时反向电流(mA )
结到外壳
10
T
A
= 125 °C
10
1
T
A
= 100 °C
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
1
VF40100C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间( S)
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
10 000
结电容(pF )
1000
100
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容每二极管
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新产品
V40100C , VF40100C , VB40100C & VI40100C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
TO-220AB
0.415 ( 10.54 ) MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 ( 1.93 ) REF 。
0.076 ( 1.93 ) REF 。
7 ° REF 。
0.140 ( 3.56 ) DIA 。
0.125 ( 3.17 ) DIA 。
0.135 ( 3.43 ) DIA 。
0.122 ( 3.08 ) DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-262AA
0.411 ( 10.45 ) MAX 。
0.250 ( 6.35 )最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω (典型值)。
( REF )。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
销1
3脚
销2
散热器
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 ( 3.81 )最低。
0.08 ( 2.032 ) MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 ( 8.38 )最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 ( 10.66 ) MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 ( 0 0.254 )
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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VISHAY
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
VB40100C-E3/8W
VISHAY/威世
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电话:0755-18503085056
联系人:郑小姐
地址:深圳市龙华新区民治丰泽湖山庄15栋
VB40100C-E3/8W
Vishay
20+
15000
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全新原装正品,详询18503085056/VX同号
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
VB40100C-E3/8W
VISHAY
25+23+
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绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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