V62C1801024L(L)
超低功耗
128K ×8 CMOS SRAM
特点
超低功耗
- 活动： 20毫安在为70ns
- 待机： 5
A
（ CMOS输入/输出）
1
A
CMOS输入/输出， L型
单+ 1.8V至2.2V电源
平等接入和周期时间
70/85/100/150 ns访问时间
易于扩展内存与CE1 ， CE2
和OE输入
1.0V数据保持方式
TTL兼容，三态输入/输出
自动断电时取消
功能说明
该V62C1801024L是一款低功耗CMOS静态RAM或 -
8位ganized为131,072字。易内存扩展
由低电平有效的CE1 ，活性高CE2 ，提供了一种
低电平有效OE和三态I / O的。该器件具有一个A-
取消当utomatic掉电模式功能。
写入设备通过取芯片实现E-
nable 1 （ CE1 ）与写使能（ WE）低，而芯片ENA-
竹叶提取2 （ CE2 ）高。从设备中读取被执行
以芯片使能1 （ CE1 ）与输出使能（ OE ）
低，而写使能（ WE）和芯片使能2 （ CE2 ）
为HIGH 。在I / O引脚被置于高阻抗ST-
吃时，取消选择器件：输出被禁止
在写周期。
该V62C1801024LL配有1V数据保留功能
和更低的待机功耗。该V62C1801024L是可用
采用32引脚8 ×20mm的TSOP1 / STSOP / 48 - fpBGA封装。
逻辑框图
32引脚TSOP1 / STSOP
（见下页）
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
GND
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
0
输入
卜FF器
卜FF器
行解码器
行解码器
SENSE AMP
SENSE AMP
A
1
A
1
A
2
A
2
A
3
A
4
A
3
A
5
A
4
A
6
A
5
A
7
A
6
A
8
A
7
A
9
I/O8
I / O
7
A
15
VCC
NC
A
16
A
14
A
12
1024
1024
X
X
1024
1024
I/O1
A
7
A
6
A
5
A
4
I / O
0
A
8
列解码器
列解码器
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
控制
电路
A
15
A
16
控制
电路
OE
WE
OE
CE1
WE
CE2
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
CE1
CE2
1
修订版1.1
四月
2001年V62C1801024L （ L）
V62C1801024L(L)
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
在偏置温度
符号
Vt
P
T
TSTG
Tbias
最低
-0.5
-55
-40
最大
4.6
1.0
+150
+85
单位
V
W
0
C
0
C
*注意：
应力大于上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何条件
化，是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
L
H
X
数据
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
DATA IN
待机
待机
主动，阅读
模式
主动，输出禁止
活跃的，写
*键：
X =无关，L =低，H =高
推荐工作条件
(T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至85
0
C
**
)
参数
电源电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
1.8
0.0
1.6
-0.5*
典型值
2.0
0.0
-
-
最大
2.2
0.0
V
CC
+ 0.2
0.4
单位
V
V
V
V
输入电压
*
V
IL
分= -1.0V脉冲宽度小于T
RC
/2.
**
对于工业级温度。
3
修订版1.1
四月
2001年V62C1801024L （ L）
V62C1801024L(L)
超低功耗
128K ×8 CMOS SRAM
特点
超低功耗
- 活动： 20毫安在为70ns
- 待机： 5
A
（ CMOS输入/输出）
1
A
CMOS输入/输出， L型
单+ 1.8V至2.2V电源
平等接入和周期时间
70/85/100/150 ns访问时间
易于扩展内存与CE1 ， CE2
和OE输入
1.0V数据保持方式
TTL兼容，三态输入/输出
自动断电时取消
功能说明
该V62C1801024L是一款低功耗CMOS静态RAM或 -
8位ganized为131,072字。易内存扩展
由低电平有效的CE1 ，活性高CE2 ，提供了一种
低电平有效OE和三态I / O的。该器件具有一个A-
取消当utomatic掉电模式功能。
写入设备通过取芯片实现E-
nable 1 （ CE1 ）与写使能（ WE）低，而芯片ENA-
竹叶提取2 （ CE2 ）高。从设备中读取被执行
以芯片使能1 （ CE1 ）与输出使能（ OE ）
低，而写使能（ WE）和芯片使能2 （ CE2 ）
为HIGH 。在I / O引脚被置于高阻抗ST-
吃时，取消选择器件：输出被禁止
在写周期。
该V62C1801024LL配有1V数据保留功能
和更低的待机功耗。该V62C1801024L是可用
采用32引脚8 ×20mm的TSOP1 / STSOP / 48 - fpBGA封装。
逻辑框图
32引脚TSOP1 / STSOP
（见下页）
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
GND
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
0
输入
卜FF器
卜FF器
行解码器
行解码器
SENSE AMP
SENSE AMP
A
1
A
1
A
2
A
2
A
3
A
4
A
3
A
5
A
4
A
6
A
5
A
7
A
6
A
8
A
7
A
9
I/O8
I / O
7
A
15
VCC
NC
A
16
A
14
A
12
1024
1024
X
X
1024
1024
I/O1
A
7
A
6
A
5
A
4
I / O
0
A
8
列解码器
列解码器
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
控制
电路
A
15
A
16
控制
电路
OE
WE
OE
CE1
WE
CE2
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
CE1
CE2
1
修订版1.1
四月
2001年V62C1801024L （ L）
V62C1801024L(L)
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
在偏置温度
符号
Vt
P
T
TSTG
Tbias
最低
-0.5
-55
-40
最大
4.6
1.0
+150
+85
单位
V
W
0
C
0
C
*注意：
应力大于上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何条件
化，是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
L
H
X
数据
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
DATA IN
待机
待机
主动，阅读
模式
主动，输出禁止
活跃的，写
*键：
X =无关，L =低，H =高
推荐工作条件
(T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至85
0
C
**
)
参数
电源电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
1.8
0.0
1.6
-0.5*
典型值
2.0
0.0
-
-
最大
2.2
0.0
V
CC
+ 0.2
0.4
单位
V
V
V
V
输入电压
*
V
IL
分= -1.0V脉冲宽度小于T
RC
/2.
**
对于工业级温度。
3
修订版1.1
四月
2001年V62C1801024L （ L）
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