V62C2161024L(L)
超低功耗
64K ×16的CMOS SRAM
特点
超低功耗
- 活动： 35毫安我
CC
在55ns
- 待机： 5
A
（ CMOS输入/输出）
1
A
(
CMOS输入/输出， L型）
55/70/85/100 ns访问时间
平等接入和周期时间
单+ 2.2V
to
2.7V电源
- 三态输出
自动断电时取消
多中心的电源和接地引脚
提高抗干扰
为读取单个字节的控制和
写周期
提供44引脚TSOP （ II ）封装
功能说明
该V62C2161024L是一款低功耗CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。容易记忆EXP-
安森由低电平有效（CE）和（OE）引脚提供。
该设备具有自动省电模式功能
取消的时候。独立的字节使能控制（ BLE
和BHE）允许访问的单个字节。 BLE
控制下位的I / O 1 - I / O8 。 BHE控制
高位I / O9 - I / O16 。
写入这些设备通过取芯片进行
使能（ CE）与写使能（ WE）和字节使能
（ BLE / BHE ）低。
从设备读通过取芯片进行
使能（ CE）与输出使能（ OE ）和字节使能
（ BLE / BHE）低，而写使能（ WE）举行
高。
逻辑框图
预充电电路
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
TSOP （II）的
行选择
VCC
VSS
存储阵列
1024 X 1024
I / O1 - I / O8
I / O9 - I / O16
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
A10 A11 A12 A13 A14 A15
WE
OE
BHE
BLE
CE
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
1
修订版1.1
四月
2001年V62C2161024L （ L）
V62C2161024L(L)
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
在偏置温度
符号
Vt
PT
TSTG
Tbias
最低
-0.5
-55
-40
最大
+4.6
1.0
+150
+85
单位
V
W
0
C
0
C
*注意：
应力大于上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备只和功能的操作，在外面那些在这个光谱的业务部门所标明这些或任何其他条件
ification是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CE
OE
WE
BLE BHE I / O1 -I / O8 I / O9 -I / O16
动力
模式
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
L
L
L
X
X
X
H
X
X
H
H
H
L
L
L
H
X
X
L
H
L
L
L
H
X
H
X
H
L
L
L
H
L
X
H
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
DATA IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
高-Z
高-Z
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
待机
低字节读
高字节读
字读
字写
低字节写入
高字节写入
输出禁用
输出禁用
*键：
X =无关，L =低，H =高
推荐工作条件
(T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至85
0
C**)
参数
电源电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
2.2
0.0
2.0
-0.5*
典型值
2.5
0.0
-
-
最大
2.7
0.0
V
CC
+ 0.2
0.6
单位
V
V
V
V
输入电压
*
V
IL
分= -2.0V脉冲宽度小于T
RC
/2.
**对于工业级温度
2
修订版1.1
四月
2001年V62C2161024L （ L）
V62C2161024L(L)
读周期
(9)
(V
cc
= 2.2V至2.7V ， GND = 0V ，T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
BLE ， BHE使能到输出低-Z
BLE ， BHE禁用到输出高-Z
BLE ， BHE访问时间
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
BLZ
t
BHZ
t
BA
55
-
-
-
10
10
-
5
-
5
-
-
-55
-
55
55
35
-
-
25
-
25
-
25
35
70
-
-
-
10
10
-
5
-
5
-
-
-70
-
70
70
40
-
-
30
-
25
-
25
40
85
-
-
-
10
10
-
5
-
5
-
-
-85
-
85
85
40
-
-
35
-
30
-
30
40
-100
100
-
-
-
10
10
-
5
-
5
-
-
-
100
100
50
-
-
40
-
35
-
35
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
4,5
3,4,5
4,5
3,4,5
写周期
(11)
(V
cc
= 2.2V至2.7V ， GND = 0V ，T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
参数
写周期时间
芯片使能写到底
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能在高阻输出
从输出的写端活跃
BLE ， BHE安装程序写入结束
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ
t
OW
t
BW
55
50
50
0
45
0
25
0
-
5
50
-55
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
4
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
60
-70
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
85
70
70
0
60
0
35
0
-
5
70
-85
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
-
-100
100
80
80
0
70
0
40
0
-
5
80
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
修订版1.1
四月
2001年V62C2161024L （ L）
V62C2161024L(L)
读周期1的时序波形
（地址控制）
t
RC
地址
t
OH
数据输出
t
AA
数据有效
以前的数据有效
读周期2时序波形
t
RC
地址
t
AA
CE
t
ACE
t
LZ(4,5)
t
BA
t
BLZ(4,5)
t
OE
高-Z
t
OLZ
t
HZ(3,4,5)
t
BHZ(3,4,5)
（ BLE / BHE ）
t
OHZ
t
OH
数据有效
OE
数据输出
笔记
（读周期）
1.我们的高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3.
t
HZ
和
t
OHZ
被定义为在所述输出达到参考V开路状态的时间
OH
或V
OL
的水平。
4.在任何给定的温度和电压条件
t
HZ
（最大）小于
t
LZ
（分钟）都对于给定的设备和从设备到
装置。
5.转变是从稳态电压与负载测量+ 200mV的。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
6.设备，不间断地与CE = V选择
IL
.
7.地址有效之前，暗合了CE过渡低。
8.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读取和写入
周期。
9.对于测试环境，请见
AC测试条件，
图A.
5
修订版1.1
四月
2001年V62C2161024L （ L）
QQ：2880707522 复制
