VBUS051BD-HD1
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威世半导体
低电容ESD单线路保护二极管
特点
20855
2
1
20856
记号
（例如只）
XY
21121
巴=正极标志
Y =类型代码（见下表）
X =日期代码
超小型封装LLP1006-2L
低封装轮廓< 0.4毫米
ESD保护1线
高浪涌电流累计。 IEC 61000-4-5
I
PPM
> [3] A
低漏电流I
R
< 0.1 μA
低负载电容C
D
= 0.9 pF的
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 15 kV接触放电
± 15 kV空气放电
焊接可以通过标准视力检查被检查;
没有必要的透视
引脚电镀镍钯金（ E4 ）无晶须生长
e4的 - 贵金属（如银，金， NIPD ，镍钯金）（无Sn）的
材质分类：对于合规的定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
订购信息
设备名称
VBUS051BD-HD1
订购代码
VBUS051BD-HD1-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
8000
最小起订量
8000
包数据
设备名称
VBUS051BD-HD1
包
名字
LLP1006-2L
TYPE
CODE
A
重量
0.72毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
测试条件
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
3
45
± 15
± 15
- 55至+ 145
- 55至+ 150
单位
A
W
kV
kV
°C
°C
电气特性
（在25 °C环境温度额定值，除非另有规定）
参数
保护路径
相反的立场-O FF电压
反向电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
马克斯。反向工作电压
在我
R
= 0.1 μA ;引脚2到引脚1
在V
R
= V
RWM
= 5 V ;引脚2到引脚1
在我
R
= 1毫安;引脚2到引脚1
在我
PP
= 3 A; ACC 。 IEC 61000-4-5 ;引脚2到引脚1
在我
F
= 3 A; ACC 。 IEC 61000-4-5 ;引脚1到引脚2
在V
R
= 0 V ; F = 1兆赫;引脚2到引脚1
符号
N
线
V
RWM
V
R
I
R
V
BR
V
C
V
F
C
D
分钟。
-
-
5
-
6.9
-
-
-
典型值。
-
-
-
＆ LT ; 0.01
7.9
-
3.4
0.9
马克斯。
1
5
-
0.1
8.7
16
4
1.3
单位
线
V
V
μA
V
V
V
pF
2.0版本， 23月， 12
文档编号： 81785
1
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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VBUS051BD-HD1
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应用说明
该VBUS051BD -HD1是静电放电保护装置具有一个Z-二极管具有高的ESD抗扰度和非常的特性
低的电容，这使得它可用于高频应用，如USB2.0或HDMI 。
与VBUS051BD -HD1一个高速数据线可以防止像的ESD瞬态电压信号（静电
放电） 。连接到数据线（引脚2）和地（引脚1）负的瞬变将靠近地面以下的夹紧
而积极的瞬变将收盘价高于5 V工作范围钳位电平。的夹紧行为
VBUS051BD -HD1是双向的，但不对称（ BIAS ） ，所以它提供了应用程序的运行速度高达5 V.最好的保护
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80 %
60 %
53 %
2.5
F = 1 MHz的
2
放电电流I
ESD
C
D
（PF ）
1.5
1
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0.5
0
0
21421
1
2
3
4
5
6
20557
时间（纳秒）
V
R
(V)
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
/150
pF的）
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
100
100 %
80 %
60 %
8 μs至100 ％
10
20微秒到50 ％
40 %
20 %
0%
0
10
20
30
40
I
F
（MA ）
1
I
PPM
0.1
0.01
0.001
0.5
20880
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
20548
时间（μs ）
V
F
(V)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图。 4 - 典型正向电流I
F
与正向电压V
F
2.0版本， 23月， 12
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2
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2
0
-2
9
8
7
V
C- ESD
(V)
6
-4
-6
-8
- 10
- 12
V
R
(V)
5
4
3
2
1
0
0.01
0.1
1
10
100 1000 10 000
命中率。 IEC 61000-4-2
- 200 V
接触放电
- 14
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
20884
20881
I
R
(A)
T（ NS ）
图。 5 - 典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
图。 8 - 200 V - 在典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
16
14
12
10
8
正浪涌
100
80
60
测
ACC 。 IEC 61000-4-5
（ 8/20微秒 - 波形）
V
C
命中率。 IEC 61000-4-2
+ 8千伏
接触放电
6
4
2
0
-2
-4
-6
0
V
C- ESD
(V)
3
V
C
(V)
40
20
0
负浪涌
1
2
- 20
- 10 0
21422
10 20 30 40 50 60 70 80 90
20882
I
PP
(A)
T（ NS ）
图。 6 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
图。 9 - 在+ 8 kV的典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
16
14
12
命中率。 IEC 61000-4-2
+ 200 V
接触放电
20
0
- 20
- 40
V
C- ESD
(V)
10
8
6
4
2
0
-2
- 10 0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
V
C- ESD
(V)
- 60
- 80
- 100
- 120
- 140
- 160
- 10 0
命中率。 IEC 61000-4-2
- 8千伏
接触放电
10 20 30 40 50 60 70 80 90
20883
T（ NS ）
21423
T（ NS ）
图。 7 - 在+ 200 V典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
图。 10 - 8千伏 - 在典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
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300
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
200
100
0
- 100
- 200
- 300
0
21424
V
C- ESD
(V)
V
C- ESD
5
10
15
20
V
ESD
（千伏）
图。 11 - 典型的峰值。钳位电压ESD在接触放电
（符合IEC 61000-4-2 ）
包装尺寸
毫米（英寸）
LLP1006-2L
0.3 [0.012]
0.2 [0.008]
0.25 [0.010]
0.15 [0.006]
0.45 [0.018]
0.35 [0.014]
0.55 [0.022]
0.45 [0.018]
0.65 [0.026]
0.55 [0.022]
0.4 [0.016]
0.33 [0.013]
定向Identi科幻阳离子
1.05 [0.041]
0.95 [0.037]
足迹推荐：
0.6 [0.024]
0.5 [0.020]
SOLDER
抗蚀掩膜
1 [0.039]
0.2 [0.008]
0.125 [ 0.005 ]参考。
0.05 [0.002]
0 [0.000]
SOLDER
PAD
创建 - 日期： 13七月。 2007年
启5 - 日期： 2010年4月21日
文件编号： S8 -V - 3906.04-005 （ 4 ）
20812
0.05 [0.002]
0.25 [0.010]
0.5 [0.020]
厚
开放± 0.03
包的测量中间
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4
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引脚1 - 位置
LLP1713
顶视图
焊盘布局 - 视图从上
看过
底部
SIDE
引脚1 - 位置
LLP2513
顶视图
焊盘布局 - 视图从上
看过
底部
SIDE
引脚1 - 位置
LLP3313
顶视图
焊盘布局 - 视图从上
看过
底部
SIDE
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5
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