茂矽
V62C18164096
256K ×16 ， CMOS静态RAM
初步
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
高速： 85 ， 100纳秒
2超低CMOS待机电流
A（ MAX 。 ）
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
超低数据保持电流（V
CC
= 1.0V)
工作电压： 1.8V - 2.3V
套餐
- 48球CSP BGA （8毫米X 10毫米）
描述
该V62C18164096是4,194,304位静态
随机存取存储器组织为262,144
字由16位。输入和三态输出
TTL兼容，允许直接连接带
公共系统总线结构。
功能框图
A
0
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
1
输入
数据
电路
I / O
16
A
10
UBE
LBE
OE
WE
CE
1
CE
2
A
17
ROW
解码器
1024 x 4096
存储阵列
V
CC
GND
列I / O
列解码器
控制
电路
设备使用图
包装外形
工作温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
B
访问时间（纳秒）
85
100
L
动力
LL
温度
标志
空白
I
V62C18164096 1.2修订版2000年6月
1
茂矽
引脚说明
A
0
–A
17
地址输入
这18个地址输入选择256K x的1
16位的段在RAM中。
CE
1
，CE
2
芯片使能输入
CE
1
为低电平有效和CE
2
为高电平有效。两
芯片使必须是活动的，从读取或写入到
该设备。如果任一芯片使能是不活动的，则
装置的选择取消，并处于备用电源
模式。在I / O引脚将处于高阻抗
取消选择时的状态。
输出使能输入
OE
输出使能输入为低电平有效。与
芯片使能，当OE是低和WE高，数据
将出现在I / O引脚。在I / O引脚
处于高阻抗状态时， OE为高电平。
V62C18164096
UBE ， LBE字节使能
低电平有效输入。这些输入被用于使能
上或下一个数据字节。
WE
写使能输入
写使能输入为低电平有效控制
读取和写入操作。与芯片使能，
当我们为高电平， OE是低电平时，输出数据会
出席的I / O引脚;当我们为低，并
OE为高电平时，出现在我的数据输入/输出引脚会
写入到所选择的存储位置。
I / O
1
-I / O
16
数据输入和输出端口
这16个双向端口用于读取数据
从与将数据写入到RAM中。
V
CC
GND
电源
地
引脚配置（顶视图）
48 BGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
5
6
A
B
1
BLE
I/O9
2
OE
BHE
3
A0
A3
4
A1
A4
A6
A7
5
A2
6
CE
2
CE
1
I/O1
的I / O 2 -I / O3
I / O4 VCC
C I / O10 I / O11 A5
D
E
F
VSS I / O12 A17
VCC I / O13 NC
A16 I / O5 VSS
I / O15 I / O14 A14 A15 I / O6 I / O7
NC
A8
A12 A13
A9
WE
I/O8
NC
G I / O16
H
NC
A10 A11
注意：
NC表示没有连接。
顶视图
顶视图
V62C18164096 1.2修订版2000年6月
2
茂矽
产品编号信息
V
泽尔 - 华智
制成的
V62C18164096
62
C
18
16
4096
–
温度。
SRAM
家庭
操作
电压
密度
4096K
PWR 。
速度
PKG
空白= 0 ° C至70℃
I = -40 ° C至+ 85°C
85纳秒
100纳秒
B = BGA
62 =标准
C = CMOS工艺
18 = 1.8V – 2.3V
组织
16 = 16位
L =低功耗
LL =双低功耗
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
N
V
DQ
T
BIAS
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输入/输出电压的应用
在偏置温度
储存温度
广告
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.3
-10到+125
-55到+125
产业
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.3
-65到+135
-65到+150
单位
V
V
V
°
C
°
C
注意：
1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
电容*
T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.此参数是保证，而不是测试。
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
输出禁用
读
读
读
写
写
写
CE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE
2
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
UBE
X
X
H
X
L
L
H
L
L
H
LBE
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
I / O
9-16
手术
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
高Z
I / O
1-8
手术
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
注意：
X =无关，L =低，H =高
V62C18164096 1.2修订版2000年6月
3
茂矽
DC电气特性
（在所有温度范围内，V
CC
= 1.8V – 2.3V)
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
V62C18164096
参数
输入低电压
(1,2)
输入高电压
(1)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
分钟。
-0.3
1.6
典型值。
—
—
—
—
—
—
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
1
1
0.4
—
单位
V
V
A
A
V
V
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
V
CC
=最小，我
OL
= 2.1毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -0 。 1毫安
-1
-1
—
V
CC
– 0.4
符号
I
CC1
参数
平均工作电流， CE
1
= V
IL
，CE
2
= VCC - 0.2V ，输出开路，
V
CC
=最大。
TTL待机电流
CE
≥
V
IH
, V
CC
=最大值， F = 0
CMOS待机电流， CE
1
≥
V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V, V
CC
=最大值， F = 0
动力融为一体。
(3)
F =最大频率
F = 1 MHz的
L
LL
L
LL
25
2
0.4
0.3
5
2
IND 。
(3)
30
3
0.5
0.3
7
3
单位
mA
I
SB
mA
I
SB1
A
注意事项：
1.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试噪音过冲。
2. V
IL
（分钟） = -3.0V脉冲宽度< 20ns的。
3.最大价值。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
输出负载
0至1.6V
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
输出
会
稳定
会
改变
从H到L
会
改变
以L至H
更改：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
5纳秒
0.9V
见下文
交流测试负载和波形
可能改变
以L至H
TTL
C
L
*
DO NOT CARE ：
任何改变
许可
不
申请
*包括范围和夹具电容
C
L
= 30 pF的+ 1 TTL负载
V62C18164096 1.2修订版2000年6月
4
茂矽
数据保持特性
符号
V
DR
V62C18164096
参数
V
CC
数据保留
CE
1
≥
V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
≥
V
CC
– 0.2V,
或V
IN
≤
0.2V
数据保持电流
CE
1
≥
V
DR
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
≥
V
CC
– 0.2V,
或V
IN
≤
0.2V, V
DR
= 1.0V
Com'l
动力
分钟。
1.0
典型值。
(2)
—
马克斯。
2.3
单位
V
I
CCDR
L
LL
—
—
—
—
0
t
RC(1)
1
0.5
—
—
—
—
3
1.5
5
2
—
—
A
IND 。
L
LL
t
CDR
t
R
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间（见保留波形）
ns
ns
注意事项：
1. t
RC
=读周期时间
2. T
A
= +25°C.
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
数据保持方式
V
CC
1.8V
t
CDR
CE
1
1.6V
CE
1
≥
V
CC
– 0.2V
V
DR
≥
1V
t
R
1.6V
1.8V
V62C18164096 1.2修订版2000年6月
5
茂矽
V62C18164096
256K ×16 ， CMOS静态RAM
初步
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
高速： 85 ， 100纳秒
2超低CMOS待机电流
A（ MAX 。 ）
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
超低数据保持电流（V
CC
= 1.0V)
工作电压： 1.8V - 2.3V
套餐
- 48球CSP BGA （8毫米X 10毫米）
描述
该V62C18164096是4,194,304位静态
随机存取存储器组织为262,144
字由16位。输入和三态输出
TTL兼容，允许直接连接带
公共系统总线结构。
功能框图
A
0
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
1
输入
数据
电路
I / O
16
A
10
UBE
LBE
OE
WE
CE
1
CE
2
A
17
ROW
解码器
1024 x 4096
存储阵列
V
CC
GND
列I / O
列解码器
控制
电路
设备使用图
包装外形
工作温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
B
访问时间（纳秒）
85
100
L
动力
LL
温度
标志
空白
I
V62C18164096 1.2修订版2000年6月
1
茂矽
引脚说明
A
0
–A
17
地址输入
这18个地址输入选择256K x的1
16位的段在RAM中。
CE
1
，CE
2
芯片使能输入
CE
1
为低电平有效和CE
2
为高电平有效。两
芯片使必须是活动的，从读取或写入到
该设备。如果任一芯片使能是不活动的，则
装置的选择取消，并处于备用电源
模式。在I / O引脚将处于高阻抗
取消选择时的状态。
输出使能输入
OE
输出使能输入为低电平有效。与
芯片使能，当OE是低和WE高，数据
将出现在I / O引脚。在I / O引脚
处于高阻抗状态时， OE为高电平。
V62C18164096
UBE ， LBE字节使能
低电平有效输入。这些输入被用于使能
上或下一个数据字节。
WE
写使能输入
写使能输入为低电平有效控制
读取和写入操作。与芯片使能，
当我们为高电平， OE是低电平时，输出数据会
出席的I / O引脚;当我们为低，并
OE为高电平时，出现在我的数据输入/输出引脚会
写入到所选择的存储位置。
I / O
1
-I / O
16
数据输入和输出端口
这16个双向端口用于读取数据
从与将数据写入到RAM中。
V
CC
GND
电源
地
引脚配置（顶视图）
48 BGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
5
6
A
B
1
BLE
I/O9
2
OE
BHE
3
A0
A3
4
A1
A4
A6
A7
5
A2
6
CE
2
CE
1
I/O1
的I / O 2 -I / O3
I / O4 VCC
C I / O10 I / O11 A5
D
E
F
VSS I / O12 A17
VCC I / O13 NC
A16 I / O5 VSS
I / O15 I / O14 A14 A15 I / O6 I / O7
NC
A8
A12 A13
A9
WE
I/O8
NC
G I / O16
H
NC
A10 A11
注意：
NC表示没有连接。
顶视图
顶视图
V62C18164096 1.2修订版2000年6月
2
茂矽
产品编号信息
V
泽尔 - 华智
制成的
V62C18164096
62
C
18
16
4096
–
温度。
SRAM
家庭
操作
电压
密度
4096K
PWR 。
速度
PKG
空白= 0 ° C至70℃
I = -40 ° C至+ 85°C
85纳秒
100纳秒
B = BGA
62 =标准
C = CMOS工艺
18 = 1.8V – 2.3V
组织
16 = 16位
L =低功耗
LL =双低功耗
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
N
V
DQ
T
BIAS
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输入/输出电压的应用
在偏置温度
储存温度
广告
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.3
-10到+125
-55到+125
产业
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.3
-65到+135
-65到+150
单位
V
V
V
°
C
°
C
注意：
1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
电容*
T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.此参数是保证，而不是测试。
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
输出禁用
读
读
读
写
写
写
CE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE
2
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
UBE
X
X
H
X
L
L
H
L
L
H
LBE
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
I / O
9-16
手术
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
高Z
I / O
1-8
手术
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
注意：
X =无关，L =低，H =高
V62C18164096 1.2修订版2000年6月
3
茂矽
DC电气特性
（在所有温度范围内，V
CC
= 1.8V – 2.3V)
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
V62C18164096
参数
输入低电压
(1,2)
输入高电压
(1)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
分钟。
-0.3
1.6
典型值。
—
—
—
—
—
—
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
1
1
0.4
—
单位
V
V
A
A
V
V
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
V
CC
=最小，我
OL
= 2.1毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -0 。 1毫安
-1
-1
—
V
CC
– 0.4
符号
I
CC1
参数
平均工作电流， CE
1
= V
IL
，CE
2
= VCC - 0.2V ，输出开路，
V
CC
=最大。
TTL待机电流
CE
≥
V
IH
, V
CC
=最大值， F = 0
CMOS待机电流， CE
1
≥
V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V, V
CC
=最大值， F = 0
动力融为一体。
(3)
F =最大频率
F = 1 MHz的
L
LL
L
LL
25
2
0.4
0.3
5
2
IND 。
(3)
30
3
0.5
0.3
7
3
单位
mA
I
SB
mA
I
SB1
A
注意事项：
1.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试噪音过冲。
2. V
IL
（分钟） = -3.0V脉冲宽度< 20ns的。
3.最大价值。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
输出负载
0至1.6V
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
输出
会
稳定
会
改变
从H到L
会
改变
以L至H
更改：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
5纳秒
0.9V
见下文
交流测试负载和波形
可能改变
以L至H
TTL
C
L
*
DO NOT CARE ：
任何改变
许可
不
申请
*包括范围和夹具电容
C
L
= 30 pF的+ 1 TTL负载
V62C18164096 1.2修订版2000年6月
4
茂矽
数据保持特性
符号
V
DR
V62C18164096
参数
V
CC
数据保留
CE
1
≥
V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
≥
V
CC
– 0.2V,
或V
IN
≤
0.2V
数据保持电流
CE
1
≥
V
DR
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
≥
V
CC
– 0.2V,
或V
IN
≤
0.2V, V
DR
= 1.0V
Com'l
动力
分钟。
1.0
典型值。
(2)
—
马克斯。
2.3
单位
V
I
CCDR
L
LL
—
—
—
—
0
t
RC(1)
1
0.5
—
—
—
—
3
1.5
5
2
—
—
A
IND 。
L
LL
t
CDR
t
R
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间（见保留波形）
ns
ns
注意事项：
1. t
RC
=读周期时间
2. T
A
= +25°C.
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
数据保持方式
V
CC
1.8V
t
CDR
CE
1
1.6V
CE
1
≥
V
CC
– 0.2V
V
DR
≥
1V
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V62C18164096 1.2修订版2000年6月
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