茂矽
V53C808H
高性能
1M ×8位EDO页模式
CMOS动态RAM
可选的自刷新
35
35纳秒
18纳秒
14纳秒
70纳秒
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。扩展数据输出模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
特点
s
1M ×8位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
72兆赫
s
RAS访问时间： 35 ， 40 ， 45 ， 50纳秒
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS的刷新功能
s
可选的自刷新（ V53C808SH ）
s
刷新间隔： 1024次/ 16毫秒
s
可提供28引脚400密耳SOJ包装
s
+ 5V单
±
10 ％的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C808H是一种超高速1,048,576 X
8位CMOS动态随机存取存储器。该
V53C808H提供的特征的组合：页
模式与扩展数据输出的高速数据
带宽和低CMOS待机电流。
所有的输入和输出为TTL兼容。输入
输出电容显著降低到
使系统性能提高。页面模式
与扩展数据输出操作允许随机
高达1024 ×8位的一排中的DOM访问
循环时间快14纳秒。
该V53C808H非常适合图形， dig-
需求面实证信号处理和高性能的COM
思想促进体系。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
T
35
访问时间（纳秒）
40
45
50
动力
标准。
温度
标志
空白
V53C808H 1.5修订版1998年4月
1
茂矽
绝对最大额定值*
环境温度
在偏置................................. -10
°
C至+ 80
°
C
存储温度（塑料） -55 .....
°
C至+ 125
°
C
电压相对于V
SS
.................- 1.0 V至7.0 V
数据输出电流..................................... 50毫安
功耗.......................................... 1.4 W功率
*注意：
操作上面绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
V53C808H
T
A
= 25
°
C，V
CC
= 5 V
±
的10％中，f = 1 MHz的
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS ， CAS，WE ， OE
数据输入/输出
典型值。
3
4
5
马克斯。
4
5
7
单位
pF
pF
pF
电容*
*注意：
电容进行采样，而不是100 ％测试
框图
1M ×8
OE
WE
CAS
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
WE时钟
发电机
OE时钟
发电机
VCC
VSS
数据I / O总线
列解码器
Y0 -Y 9
I / O 1
I / O 2
I / O 3
感测放大器
1024 x 8
I / O
卜FF器
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
I / O 8
刷新
计数器
10
A0
A1
地址缓冲器
与预解码
X0 -X9
ROW
解码器
1024
A7
A9
内存
ARRAY
1024 x 1024 x8
808H-04
V53C808H 1.5修订版1998年4月
3
茂矽
AC特性
T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
= 5 V
±10%,
V
SS
= 0V ，除非另有说明
AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V
35
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
V53C808H
40
45
50
笔记
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH （R）的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
t
RSH （W）的
t
CWL
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WCR
t
RWL
参数
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间（读周期）
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间
参考CAS
读命令保持时间
参考RAS
RAS保持时间参考OE
从OE访问时间
从CAS访问时间（ EDO ）
从RAS访问时间
从列地址访问时间
CAS为低-Z输出
输出缓冲关断延迟时间
列地址保持时间从RAS
RAS到列地址的延迟时间
RAS或CAS保持时间在写周期
写命令到CAS交货期
写命令设置时间
写命令保持时间
把脉冲宽度
写命令保持时间从RAS
写命令到RAS交货期
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
35
70
25
35
7
16
0
0
6
0
4
14
5
0
23
75K
40
75
25
40
8
17
0
0
7
0
5
14
5
0
28
75K
45
80
25
45
9
18
0
0
8
0
6
15
5
0
32
75K
50
90
30
50
9
19
0
0
9
0
7
15
5
0
36
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
5
15
0
0
0
0
ns
5
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
8
12
12
35
18
0
0
28
11
12
12
0
5
5
28
12
17
6
8
12
12
40
20
0
0
30
12
12
12
0
5
5
30
12
20
6
9
13
13
45
22
0
0
35
13
13
13
0
6
6
35
13
23
7
10
14
14
50
24
0
0
40
14
14
14
0
7
7
40
14
26
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12, 13
11
6, 7
6, 8, 9
6, 7, 10
16
16
V53C808H 1.5修订版1998年4月
5
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