UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UTM2054
初步
功率MOSFET
N沟道增强
模式
描述
该
UTM2054
采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
特点
* R
DS ( ON)
= 35mΩ @V
GS
=10V
* R
DS ( ON)
= 45mΩ @V
GS
=4.5V
* R
DS ( ON)
= 110mΩ @V
GS
=2.5V
*超低栅极电荷(典型值11.5 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
=典型60 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
无铅:
UTM2054L
无卤: UTM2054G
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
正常
UTM2054-AB3-R
订购数量
无铅
UTM2054L-AB3-R
无卤
UTM2054G-AB3-R
包
SOT-89
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
带盘
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2008 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R502-289.a
UTM2054
参数
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
a
= 25 ℃,除非另有规定)
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
20
V
栅源电压
V
GSS
±16
V
连续
I
D
5
漏电流(V
GS
=10V)
A
脉冲
I
DM
20
二极管连续正向电流
I
S
3
A
功耗
P
D
1.47
W
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
注意:
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
a
= 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
(注)
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250A
V
DS
=16V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±16V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ,我
DS
=5A
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=3.5A
V
GS
= 2.5V ,我
DS
=2.5A
最小典型最大单位
20
V
1
μA
±100 nA的
0.9
35
45
110
450
100
60
2.5
7
15
19
6
11.5
3.8
5.2
0.7
10
25
26
7
15
1.5
40
54
130
V
m
0.6
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
G
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 10V ,R
L
=10, I
DS
=1A,
开启上升时间
t
R
V
根
= 4.5V ,R
G
=6
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=10V, V
GS
= 4.5V ,我
DS
=5 A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
DD
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压(注)
V
SD
I
SD
= 3A ,V
GS
=0V
注:脉冲宽度≦ 300μS ,占空比≦ 2 %
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
1.3
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
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