UTC 4053
UTC 4053三重2通道模拟多路复用器/多路解复用器
6
11
10
9
12
13
2
1
5
3
抑制
X
A
B
C
X0
Y
X1
Y0
Y1
Z
Z0
Z1
V
DD
= 16 PIN
V
SS
= 8 PIN
V
EE
= 7针
CMOS IC
控制
14
15
公
输出/输入
开关
IN / OUT
4
注意:控制输入参考V
SS
,模拟输入和输出参考V
EE
. V
EE
必须是
≦
V
SS
.
绝对最大额定值*
参数
直流电源电压(参考V
EE
, V
SS
≧
V
EE
)
符号
V
DD
评级
-0.5 ~ +18.0
-0.5 ~ V
DD
+0.5
±10
±25
500
-65 ~ +150
260
单位
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
输入或输出电压( DC或瞬态) (参考V
SS
V
in
, V
OUT
用于控制输入和V
EE
对于交换机I / O)
输入电流( DC或瞬态) ,每个控制引脚
I
in
通过开关电流
I
SW
功耗。每包**
P
D
储存温度
T
英镑
焊接温度( 8 - 第二焊接)
T
领导
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
**温度降额: “ DIP和SOP ”套餐: - 7.0毫瓦/
℃
从65
℃
~ 125
℃
电气特性
(Ta=25
℃
除非另有说明)。
参数
符号
测试条件
供电要求(电压参考V
EE
)
V
DD
– 3.0
≧
V
SS
≧
V
EE
电源电压范围
V
DD
民
3.0
TYP #
最大
18
单位
V
静态电流每包
I
DD
总电源电流(动态加
静态,每包)
I
D( AV )
控制输入: VIN = V
SS
或V
DD
开关I / O : V
EE
≦
V
I / O
≦
V
DD
,
和
ΔVswitch
≦
500mV*
V
DD
=5.0V
0.005
5.0
V
DD
=10V
0.010
10
V
DD
=15V
0.015
20
T
a
=25
℃
只有(信道
成分, (VIN - Vout)外部/罗恩,是
不包括在内)。
V
DD
=5.0V
( 0.07 μA /千赫)F + I
DD
典型
V
DD
=10V
( 0.20 μA /千赫)F + I
DD
V
DD
=15V
( 0.36 μA /千赫)F + I
DD
A
A
世界标准时间
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2
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CMOS IC
参数
符号
测试条件
民
TYP #
最大单位
控制输入 - INHIBIT参考V A, B,C (电压
SS
)
罗恩=每规格, Ioff =每个规格
V
DD
=5.0V
2.25
1.5
低 - 级输入电压
V
IL
V
V
DD
=10V
4.50
3.0
V
DD
=15V
6.75
4.0
罗恩=每规格, Ioff =每个规格
V
DD
=5.0V
3.5
2.75
高 - 级输入电压
V
IH
V
V
DD
=10V
7.0
5.50
V
DD
=15V
11
8.25
输入漏电流
IIN
VIN = 0或V
DD
, V
DD
=15V
±0.00001 ±0.1
A
输入电容
CIN
5.0
7.5
pF
交换机/ OUT和commons OUT / IN - X , Y,Z (电压参考V
EE
)
推荐的峰 - 峰值电压
打开或关闭通道
V
I / O
0
V
DD
V
PP
进出交换机
推荐静态或动态
通道上
ΔVswitch
0
600
mV
横跨开关**电压(图3)
输出失调电压
V
OO
VIN = 0V ,空载
10
V
ΔVswitch
≦
500mV*
VIN = V
IL
或V
IH
(对照) ,和
VIN = 0 V
DD
(转)
抗性
罗恩
V
DD
=5.0V
250
1050
V
DD
=10V
120
500
V
DD
=15V
80
280
V
DD
=5.0V
25
70
Δ
对任意两点间的电阻
ΔRON
V
DD
=10V
10
50
通道在同一个包
V
DD
=15V
10
45
VIN = V
IL
或V
IH
(控制)
关道泄漏电流
通道到通道或任何
IOFF
±0.05
±100
nA
(图8)
一个通道,V
DD
=15V
电容,开关I / O
C
I / O
抑制= V
DD
10
pF
电容,普通的O / I
C
O / I
抑制= V
DD
17
pF
电容,穿心
销不相邻
0.15
C
I / O
pF
(通道关闭)
相邻引脚
0.47
#Data标有“典型值”不被用于设计目的,但目的是作为IC的潜在的指示
性能。
*对于电压降的开关( ΔVswitch ) > 600毫伏( > 300 mV的高温) ,过度V
DD
电流可能
可以得出,即电流从开关可同时含有Ⅴ的
DD
并切换输入组件。的可靠性
设备将不会受到影响,除非最大额定值超出。 (请参见本数据手册的第二页。 )
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电气特性*
(C
L
= 50pF的,T
a
=25
℃
, V
EE
≦
V
SS
除非另有说明)。
参数
符号V
DD
– V
EE
VDC
传播延迟时间
5.0
(图4 )开关输入到
10
t
PLH ,
t
PHL
开关量输出(R
L
= 10 k)
15
5.0
t
PHZ ,
t
PLZ
抑制到输出
10
t
PZH ,
t
PZL
15
控制输入输出
5.0
t
PLH ,
t
PHL
10
15
二次谐波失真
10
CMOS IC
测试条件
MIN TYP #最大单位
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.17纳秒/ PF )C
L
+ 16.5纳秒
25
65
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.08纳秒/ PF )C
L
+ 4.0纳秒
8.0
20
ns
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.06纳秒/ PF )C
L
+ 3.0纳秒
6.0
15
275
550
(R
L
= 10kΩ的,V
EE
=V
SS
)输出“1”或“0”的
为高阻抗或高
140
280
ns
阻抗为“1”或“0”电平
110
220
300
600
R
L
= 10 kΩ的,V
EE
= V
SS
120
240
ns
80
160
R
L
= 10KΩ , F = 1 kHz时, VIN = 5 V
PP
0.07
%
R
L
= 1kΩ的, VIN = 1/2 (V
DD
–V
EE
) p–p,
带宽(图5)
BW
10
17
兆赫
C
L
= 50pF的, 20日志( VOUT / VIN ) = -3dB )
关通道穿心
R
L
= 1kΩ的, VIN = 1/2 (V
DD
– V
EE
) p–p
10
-50
dB
衰减(图5)
散热片= 55 MHz的
声道分离
R
L
= 1千欧, VIN = 1/2 (V
DD
–V
EE
) p–p
10
-50
dB
(图6)
鱼翅= 3.0 MHz的
串扰,控制输入
R
1
= 1千欧,R
L
= 10 kΩ的控制
10
75
mV
常见的O / I (图7 )
t
TLH
= t
THL
= 20纳秒,抑制= V
SS
)
*给出的公式只在25的典型特征
℃
.
#数据标有“典型值”不劳被用于设计用途,但在意欲作为集成电路的潜力的指示
性能。
V
DD
IN / OUT
V
DD
V
DD
输出/输入
V
EE
V
DD
水平
转换
控制
IN / OUT
输出/输入
V
EE
控制
图1.开关电路原理图
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