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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第223页 > UPA801T
数据表
NPN硅射频晶体管晶体管
PA801TC
NPN硅外延型晶体管
（带内置2
×
2SC5006)
扁平引脚6引脚薄型超超Minimold
描述
该
PA801TC具有内置的低电压的两个晶体管被设计为放大的低噪声在VHF频段
到UHF频带。
特点
低噪音： NF = 1.2 dB典型值。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
高增益： | S
21e
|
2
= 9.0分贝TYP 。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
扁平引脚6引脚薄型超超minimold包
内置2个晶体管（ 2
×
2SC5006)
订购信息
产品型号
包
扁平引线6针
瘦型超
超级Minimold
QUANTITY
松散产品
（ 50 PCS ）
供给方式
压纹带8mm宽。
引脚6 （ Q1基极） ，引脚5 （ Q2基极） ，引脚4 （ Q2发射极）的脸
带的穿孔侧。
PA801TC
PA801TC-T1
编带产品
（ 3 KP /卷）
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。 （样品订购部件号：
PA801TC 。样本股数量为50个。 ）
绝对最大额定值（T
A
= +25
°
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
记
评级
20
12
3
100
200在1元
230的2个元素
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
结温
储存温度
T
j
T
英镑
C
C
记
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米玻璃环氧基板。
小心静电敏感器件
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC为代表的可用性检查
和附加信息。
一号文件P14548EJ1V1DS00 （第1版）
发布日期2000年2月 CP （ K）
日本印刷
1999
PA801TC
电气特性（T
A
= +25
°
C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
|S
21e
|
2
NF
条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
注1
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
注2
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
分钟。
–
–
70
3.0
–
7.0
–
典型值。
–
–
–
4.5
0.7
9.0
1.2
马克斯。
1.0
1.0
250
–
1.5
–
2.5
GHz的
pF
dB
dB
单位
A
A
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
2.
测量3针桥，发射器和外壳应连接到守卫大桥的脚。
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
70
70至140
GB
71
125至250
2
数据表P14548EJ1V1DS00
PA801TC
典型特征（T
A
= +25
°
C)
总功耗对比
环境温度
20
总功耗P
T
（ mW）的
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
230
200
每
元素
2个元素共
自由的空气
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE
= 3 V
10
100
0
0
50
100
150
0
0
0.5
基极至发射极电压V
BE
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1.0
环境温度T
A
(°C)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
20
18
集电极电流I
C
（MA ）
1 000
I
B
= 160
A
直流电流增益
FE
V
CE
= 3 V
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
I
B
= 140
A
I
B
= 120
A
I
B
= 100
A
I
B
= 80
A
I
B
= 60
A
I
B
= 40
A
I
B
= 20
A
5
6
100
10
0.1
1
10
100
集电极到发射极电压V
CE
(V)
增益带宽积主场迎战
集电极电流
10.00
插入功率增益
S
21e
2
（ dB）的
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
集电极电流I
C
（MA ）
插入功率增益与
集电极电流
14.00
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
1.00
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
数据表P14548EJ1V1DS00
3
PA801TC
噪声系数与集电极电流
6.00
5.00
噪声系数NF （ dB）的
插入功率增益
S
21e
2
（ dB）的
插入功率增益与频率
25
V
CE
= 3 V
I
C
= 7毫安
20
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
4.00
3.00
2.00
1.00
0.00
15
10
5
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
反馈电容主场迎战
集电极 - 基极电压
100
0
0.1
1.0
频率f（ GHz）的
10.0
1
反馈电容C
re
（PF ）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
F = 1 MHz的
10
集电极基极电压V
CB
(V)
100
4
数据表P14548EJ1V1DS00
PA801TC
S参数Q1
V
CE
= 3 V，I
C
= 1毫安
频率
GHz的
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
S
11
MAG 。
0.935
0.917
0.885
0.852
0.824
0.799
0.781
0.766
0.760
0.759
0.756
0.752
0.756
0.755
0.762
0.764
0.770
0.771
0.775
0.780
0.783
0.787
0.791
0.790
0.790
0.790
0.791
0.797
0.804
0.812
ANG 。
–30.6
–58.7
–83.8
–107.8
–128.9
–148.1
–165.3
178.7
163.9
150.0
136.9
124.4
112.6
100.9
90.0
79.3
69.1
58.7
49.3
39.4
29.9
20.9
11.9
2.8
–6.0
–14.2
–22.1
–30.1
–38.1
–46.0
MAG 。
4.001
3.602
3.244
2.910
2.622
2.351
2.118
1.928
1.761
1.625
1.506
1.405
1.311
1.233
1.157
1.094
1.038
0.981
0.934
0.885
0.846
0.803
0.770
0.732
0.698
0.669
0.641
0.619
0.601
0.574
S
21
ANG 。
157.5
137.5
119.5
101.9
86.4
71.6
58.4
45.7
33.9
22.6
11.6
1.1
–9.2
–19.3
–29.1
–38.9
–48.3
–57.7
–66.4
–75.1
–84.0
–93.0
–101.0
–109.1
–116.8
–124.3
–131.7
–138.9
–146.4
–153.7
MAG 。
0.033
0.082
0.109
0.129
0.140
0.149
0.154
0.153
0.152
0.150
0.149
0.148
0.141
0.133
0.129
0.122
0.119
0.113
0.105
0.103
0.098
0.099
0.097
0.101
0.106
0.110
0.116
0.125
0.133
0.148
S
12
ANG 。
52.0
54.2
38.9
21.3
6.9
–3.0
–15.2
–24.2
–34.4
–42.1
–51.0
–58.9
–65.3
–72.1
–76.6
–84.1
–88.3
–91.8
–95.5
–96.9
–99.6
–101.5
–100.6
–101.3
–102.6
–104.2
–105.4
–109.3
–110.7
–117.1
MAG 。
0.979
0.938
0.894
0.834
0.785
0.746
0.708
0.680
0.662
0.647
0.633
0.620
0.614
0.605
0.599
0.593
0.592
0.589
0.585
0.585
0.585
0.580
0.580
0.581
0.579
0.580
0.583
0.584
0.585
0.590
S
22
ANG 。
–12.9
–25.9
–37.9
–48.3
–57.6
–66.3
–74.4
–82.4
–90.4
–98.4
–106.7
–114.7
–123.0
–131.2
–139.6
–148.1
–157.1
–165.9
–174.6
176.4
167.0
157.7
147.9
138.2
128.5
118.5
108.7
98.7
88.8
78.7
V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安
频率
GHz的
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
S
11
MAG 。
0.857
0.803
0.754
0.711
0.687
0.680
0.663
0.658
0.658
0.656
0.663
0.658
0.670
0.672
0.679
0.684
0.690
0.695
0.700
0.701
0.711
0.713
0.723
0.725
0.729
0.732
0.728
0.739
0.746
0.756
ANG 。
–42.7
–78.7
–108.0
–133.4
–154.4
–172.0
172.2
157.8
144.8
132.2
120.8
109.9
99.2
88.7
79.0
69.2
60.0
50.4
41.6
32.5
23.4
14.9
6.6
–1.7
–10.3
–18.0
–25.4
–33.1
–40.7
–48.1
MAG 。
9.861
8.253
6.931
5.798
4.995
4.317
3.797
3.376
3.038
2.769
2.543
2.347
2.178
2.037
1.906
1.801
1.702
1.609
1.524
1.448
1.384
1.314
1.261
1.204
1.151
1.105
1.067
1.029
1.004
0.958
S
21
ANG 。
150.3
127.1
107.8
90.7
76.6
63.2
51.6
40.7
30.1
20.0
10.1
0.6
–8.8
–18.0
–27.2
–36.4
–45.2
–53.9
–62.6
–71.2
–79.6
–88.2
–96.2
–104.4
–112.3
–120.1
–127.1
–135.4
–143.2
–150.7
MAG 。
0.038
0.072
0.087
0.093
0.103
0.110
0.104
0.110
0.109
0.108
0.111
0.112
0.111
0.110
0.114
0.118
0.119
0.121
0.124
0.128
0.130
0.134
0.139
0.146
0.150
0.158
0.164
0.171
0.177
0.186
S
12
ANG 。
65.3
39.2
27.5
18.6
7.4
–2.7
–11.0
–17.9
–22.5
–28.4
–34.1
–40.1
–44.2
–48.1
–52.5
–57.6
–61.6
–66.0
–70.1
–74.6
–79.2
–82.6
–86.5
–92.3
–96.8
–102.0
–106.7
–112.3
–116.4
–122.7
MAG 。
0.945
0.826
0.719
0.622
0.555
0.501
0.467
0.435
0.417
0.400
0.382
0.374
0.364
0.359
0.350
0.342
0.339
0.335
0.331
0.329
0.328
0.324
0.323
0.323
0.324
0.326
0.329
0.335
0.337
0.344
S
22
ANG 。
–21.7
–39.0
–52.7
–62.5
–71.8
–79.9
–87.0
–93.9
–101.6
–108.5
–116.4
–123.9
–131.8
–139.7
–148.5
–156.6
–165.2
–173.8
177.1
168.2
159.0
149.8
139.7
130.4
119.9
110.3
100.2
90.5
80.2
70.1
数据表P14548EJ1V1DS00
5
数据表
NPN硅射频晶体管晶体管
PA801TC
NPN硅外延型晶体管
（带内置2
×
2SC5006)
扁平引脚6引脚薄型超超Minimold
描述
该
PA801TC具有内置的低电压的两个晶体管被设计为放大的低噪声在VHF频段
到UHF频带。
特点
低噪音： NF = 1.2 dB典型值。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
高增益： | S
21e
|
2
= 9.0分贝TYP 。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
扁平引脚6引脚薄型超超minimold包
内置2个晶体管（ 2
×
2SC5006)
订购信息
产品型号
包
扁平引线6针
瘦型超
超级Minimold
QUANTITY
松散产品
（ 50 PCS ）
供给方式
压纹带8mm宽。
引脚6 （ Q1基极） ，引脚5 （ Q2基极） ，引脚4 （ Q2发射极）的脸
带的穿孔侧。
PA801TC
PA801TC-T1
编带产品
（ 3 KP /卷）
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。 （样品订购部件号：
PA801TC 。样本股数量为50个。 ）
绝对最大额定值（T
A
= +25
°
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
记
评级
20
12
3
100
200在1元
230的2个元素
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
结温
储存温度
T
j
T
英镑
C
C
记
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米玻璃环氧基板。
小心静电敏感器件
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC为代表的可用性检查
和附加信息。
一号文件P14548EJ1V1DS00 （第1版）
发布日期2000年2月 CP （ K）
日本印刷
1999
PA801TC
电气特性（T
A
= +25
°
C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
|S
21e
|
2
NF
条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
注1
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
注2
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
分钟。
–
–
70
3.0
–
7.0
–
典型值。
–
–
–
4.5
0.7
9.0
1.2
马克斯。
1.0
1.0
250
–
1.5
–
2.5
GHz的
pF
dB
dB
单位
A
A
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
2.
测量3针桥，发射器和外壳应连接到守卫大桥的脚。
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
70
70至140
GB
71
125至250
2
数据表P14548EJ1V1DS00
PA801TC
典型特征（T
A
= +25
°
C)
总功耗对比
环境温度
20
总功耗P
T
（ mW）的
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
230
200
每
元素
2个元素共
自由的空气
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE
= 3 V
10
100
0
0
50
100
150
0
0
0.5
基极至发射极电压V
BE
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1.0
环境温度T
A
(°C)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
20
18
集电极电流I
C
（MA ）
1 000
I
B
= 160
A
直流电流增益
FE
V
CE
= 3 V
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
I
B
= 140
A
I
B
= 120
A
I
B
= 100
A
I
B
= 80
A
I
B
= 60
A
I
B
= 40
A
I
B
= 20
A
5
6
100
10
0.1
1
10
100
集电极到发射极电压V
CE
(V)
增益带宽积主场迎战
集电极电流
10.00
插入功率增益
S
21e
2
（ dB）的
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
集电极电流I
C
（MA ）
插入功率增益与
集电极电流
14.00
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
1.00
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
数据表P14548EJ1V1DS00
3
PA801TC
噪声系数与集电极电流
6.00
5.00
噪声系数NF （ dB）的
插入功率增益
S
21e
2
（ dB）的
插入功率增益与频率
25
V
CE
= 3 V
I
C
= 7毫安
20
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
4.00
3.00
2.00
1.00
0.00
15
10
5
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
反馈电容主场迎战
集电极 - 基极电压
100
0
0.1
1.0
频率f（ GHz）的
10.0
1
反馈电容C
re
（PF ）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
F = 1 MHz的
10
集电极基极电压V
CB
(V)
100
4
数据表P14548EJ1V1DS00
PA801TC
S参数Q1
V
CE
= 3 V，I
C
= 1毫安
频率
GHz的
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
S
11
MAG 。
0.935
0.917
0.885
0.852
0.824
0.799
0.781
0.766
0.760
0.759
0.756
0.752
0.756
0.755
0.762
0.764
0.770
0.771
0.775
0.780
0.783
0.787
0.791
0.790
0.790
0.790
0.791
0.797
0.804
0.812
ANG 。
–30.6
–58.7
–83.8
–107.8
–128.9
–148.1
–165.3
178.7
163.9
150.0
136.9
124.4
112.6
100.9
90.0
79.3
69.1
58.7
49.3
39.4
29.9
20.9
11.9
2.8
–6.0
–14.2
–22.1
–30.1
–38.1
–46.0
MAG 。
4.001
3.602
3.244
2.910
2.622
2.351
2.118
1.928
1.761
1.625
1.506
1.405
1.311
1.233
1.157
1.094
1.038
0.981
0.934
0.885
0.846
0.803
0.770
0.732
0.698
0.669
0.641
0.619
0.601
0.574
S
21
ANG 。
157.5
137.5
119.5
101.9
86.4
71.6
58.4
45.7
33.9
22.6
11.6
1.1
–9.2
–19.3
–29.1
–38.9
–48.3
–57.7
–66.4
–75.1
–84.0
–93.0
–101.0
–109.1
–116.8
–124.3
–131.7
–138.9
–146.4
–153.7
MAG 。
0.033
0.082
0.109
0.129
0.140
0.149
0.154
0.153
0.152
0.150
0.149
0.148
0.141
0.133
0.129
0.122
0.119
0.113
0.105
0.103
0.098
0.099
0.097
0.101
0.106
0.110
0.116
0.125
0.133
0.148
S
12
ANG 。
52.0
54.2
38.9
21.3
6.9
–3.0
–15.2
–24.2
–34.4
–42.1
–51.0
–58.9
–65.3
–72.1
–76.6
–84.1
–88.3
–91.8
–95.5
–96.9
–99.6
–101.5
–100.6
–101.3
–102.6
–104.2
–105.4
–109.3
–110.7
–117.1
MAG 。
0.979
0.938
0.894
0.834
0.785
0.746
0.708
0.680
0.662
0.647
0.633
0.620
0.614
0.605
0.599
0.593
0.592
0.589
0.585
0.585
0.585
0.580
0.580
0.581
0.579
0.580
0.583
0.584
0.585
0.590
S
22
ANG 。
–12.9
–25.9
–37.9
–48.3
–57.6
–66.3
–74.4
–82.4
–90.4
–98.4
–106.7
–114.7
–123.0
–131.2
–139.6
–148.1
–157.1
–165.9
–174.6
176.4
167.0
157.7
147.9
138.2
128.5
118.5
108.7
98.7
88.8
78.7
V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安
频率
GHz的
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
S
11
MAG 。
0.857
0.803
0.754
0.711
0.687
0.680
0.663
0.658
0.658
0.656
0.663
0.658
0.670
0.672
0.679
0.684
0.690
0.695
0.700
0.701
0.711
0.713
0.723
0.725
0.729
0.732
0.728
0.739
0.746
0.756
ANG 。
–42.7
–78.7
–108.0
–133.4
–154.4
–172.0
172.2
157.8
144.8
132.2
120.8
109.9
99.2
88.7
79.0
69.2
60.0
50.4
41.6
32.5
23.4
14.9
6.6
–1.7
–10.3
–18.0
–25.4
–33.1
–40.7
–48.1
MAG 。
9.861
8.253
6.931
5.798
4.995
4.317
3.797
3.376
3.038
2.769
2.543
2.347
2.178
2.037
1.906
1.801
1.702
1.609
1.524
1.448
1.384
1.314
1.261
1.204
1.151
1.105
1.067
1.029
1.004
0.958
S
21
ANG 。
150.3
127.1
107.8
90.7
76.6
63.2
51.6
40.7
30.1
20.0
10.1
0.6
–8.8
–18.0
–27.2
–36.4
–45.2
–53.9
–62.6
–71.2
–79.6
–88.2
–96.2
–104.4
–112.3
–120.1
–127.1
–135.4
–143.2
–150.7
MAG 。
0.038
0.072
0.087
0.093
0.103
0.110
0.104
0.110
0.109
0.108
0.111
0.112
0.111
0.110
0.114
0.118
0.119
0.121
0.124
0.128
0.130
0.134
0.139
0.146
0.150
0.158
0.164
0.171
0.177
0.186
S
12
ANG 。
65.3
39.2
27.5
18.6
7.4
–2.7
–11.0
–17.9
–22.5
–28.4
–34.1
–40.1
–44.2
–48.1
–52.5
–57.6
–61.6
–66.0
–70.1
–74.6
–79.2
–82.6
–86.5
–92.3
–96.8
–102.0
–106.7
–112.3
–116.4
–122.7
MAG 。
0.945
0.826
0.719
0.622
0.555
0.501
0.467
0.435
0.417
0.400
0.382
0.374
0.364
0.359
0.350
0.342
0.339
0.335
0.331
0.329
0.328
0.324
0.323
0.323
0.324
0.326
0.329
0.335
0.337
0.344
S
22
ANG 。
–21.7
–39.0
–52.7
–62.5
–71.8
–79.9
–87.0
–93.9
–101.6
–108.5
–116.4
–123.9
–131.8
–139.7
–148.5
–156.6
–165.2
–173.8
177.1
168.2
159.0
149.8
139.7
130.4
119.9
110.3
100.2
90.5
80.2
70.1
数据表P14548EJ1V1DS00
5
NPN硅高
高频三极管
特点
小型封装形式：
在2毫米×1.25毫米封装2 NE856模
低噪声系数：
NF = 1.2 dB典型值在1 GHz
高增益：
|S
21E
|
2
= 9.0分贝典型值在1 GHz
高集电极电流：
100mA
0.65
2.0
±
0.2
1
UPA801T
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形S06
（ TOP VIEW ）
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
6
0.2 （所有信息）
描述
NEC的UPA801T是两个NPN高频硅外延
晶体管封装在一个超小型6引脚表面贴装封装。
各晶体管被独立地安装并容易config-
置的对无论是双晶体管或级联操作。高
f
T
低电压偏置和小尺寸使该器件非常
适用于寻呼机和其它手持无线应用。
1.3
2
5
3
4
0.9
±
0.1
0.7
0.15
- 0.05
引脚输出
0 ~ 0.1
1.集晶体管1
2.发射极晶体管1
3.三极管集电极2
4.发射极晶体管2
5.基晶体管2
6.基晶体管1
注意：
销3是确定与在所述封装的底部的圆。
+0.10
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
f
T
CRE
2
|S
21E
|
2
NF
h
FE1
/h
FE2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
正向电流增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
反馈电容在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
h
FE
比例：H
FE1
= Q的较小值
1
或Q
2
h
FE2
=值越大，功率因数Q
1
或Q
2
GHz的
pF
dB
dB
0.85
7
单位
A
A
70
3.0
120
4.5
0.7
9
1.2
2.5
1.5
民
UPA801T
S06
典型值
最大
1.0
1.0
250
注： 1.Pulsed测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
2.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。
对于磁带和卷轴版本使用的零件号UPA801T -T1 ， 3K每卷。
.
美国加州东部实验室
UPA801T
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
1模
2模具
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
评级
20
12
3
100
110
200
150
-65到+150
T
J
T
英镑
注： 1.操作超过这些参数中的任何一个的可
造成永久性损坏。
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
总功耗对比
环境温度
20
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 3 V
总功率耗散，P
T
（ mW）的
em
en
ts
Pe
in
rE
LEM
To
t
al
en
集电极电流，I
C
（MA ）
200
2
El
t
10
100
0
50
100
150
0
0.5
1.0
环境温度，T
A
(°C)
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
25
l
B
=160
A
140
A
200
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 3 V
集电极电流，I
C
（MA ）
120
A
15
100
A
80
A
10
60
A
40
A
5
20
A
直流电流增益，H
FE
10
20
100
50
20
10
0
5
0.5
1
5
10
50
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
UPA801T
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
增益带宽积主场迎战
集电极电流
20
15
插入功率增益与
集电极电流
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
10
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
10
5
5
2
1
0.5
1
5
10
50
0
0.5
1
5
10
50
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
噪声系数与
集电极电流
6
24
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
插入功率增益与
频率
V
CE
= 3 V
LC = 7毫安
20
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
噪声系数（dB ）
4
16
12
2
8
4
0
0.5
1.0
5.0
10
50
100
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
集电极电流，I
C
（MA ）
频率f （ GHz）的
FEED BACK电容与
集电极 - 基极电压
5.0
F = 1 MHz的
反馈电容，C
RE
（PF ）
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
1
2
5
10
20
50
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
UPA801T
典型的散射参数
(T
A
= 25°C)
UPA801T
V
CE
= 3 V，I
C
= 1毫安，Z
0
= 50
频率
（千兆赫）
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
MAG
.967
.930
.884
.842
.801
.771
.742
.722
.706
.696
.689
.685
.681
.681
.683
.684
.684
.686
.689
.690
S
11
昂
-22.9
-45.8
-67.1
-86.9
-103.1
-117.0
-130.0
-141.2
-151.1
-159.9
-167.7
-174.9
178.7
172.6
166.8
161.4
156.1
151.4
146.6
142.1
MAG
1.935
1.968
1.938
1.827
1.748
1.576
1.498
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1.326
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1.169
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1.030
.979
.925
.884
.842
.804
.773
.738
S
21
昂
159.9
143.1
129.1
117.2
106.7
97.4
89.2
81.9
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69.6
64.5
59.6
55.3
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47.2
43.6
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37.3
34.6
32.3
MAG
.045
.083
.108
.125
.134
.137
.137
.134
.129
.124
.118
.112
.106
.103
.100
.102
.107
.115
.127
.141
S
12
昂
74.0
60.1
48.9
39.4
32.6
27.1
22.9
20.0
18.5
17.8
18.1
19.8
23.5
28.0
33.6
40.4
47.5
53.5
57.9
62.1
MAG
.978
.931
.870
.822
.779
.749
.722
.702
.690
.680
.671
.666
.660
.658
.654
.651
.651
.649
.646
.646
S
22
昂
-9.2
-17.4
-23.2
-28.0
-31.9
-35.3
-38.4
-41.3
-44.4
-47.4
-50.4
-53.6
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-60.4
-64.0
-67.6
-71.5
-75.1
-79.2
-83.0
V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安，Z
0
= 50
频率
（千兆赫）
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
MAG
.899
.808
.723
.660
.610
.583
.560
.547
.538
.535
.534
.533
.533
.534
.538
.542
.545
.548
.552
.556
S
11
昂
-30.5
-60.0
-86.7
-106.2
-125.9
-138.6
-150.0
-159.4
-167.4
-174.4
179.3
173.4
168.3
163.2
158.7
154.3
150.0
146.1
142.0
138.3
MAG
5.578
5.327
4.877
4.341
3.883
3.388
3.046
2.741
2.498
2.287
2.111
1.965
1.830
1.721
1.620
1.544
1.464
1.396
1.336
1,280
S
21
昂
153.7
134.4
119.6
108.1
98.5
90.9
84.3
78.5
73.4
68.9
64.6
60.2
56.3
52.7
49.2
45.7
42.7
39.5
36.6
33.6
MAG
.042
.069
.084
.093
.098
.102
.106
.108
.112
.116
.120
.125
.131
.139
.146
.155
.164
.174
.187
.199
S
12
昂
69.0
54.5
46.0
41.1
38.8
37.4
37.8
38.1
39.5
41.0
43.0
45.1
46.7
48.3
49.8
51.3
52.4
53.0
53.7
54.1
MAG
.923
.793
.679
.604
.550
.613
.487
.468
.455
.444
.435
.429
.424
.422
.417
.414
.415
.412
.411
.411
S
22
昂
-17.3
-29.2
-36.4
-39.5
-42.0
-44.2
-45.9
-47.9
-49.9
-52.3
-54.7
57.2
-59.9
-62.8
-65.7
-68.8
-72.0
-75.3
-78.8
-82.3
UPA801T
典型的散射参数
(T
A
= 25°C)
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安，Z
0
= 50
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0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
MAG
.819
.701
.608
.549
.511
.494
.481
.475
.472
.471
.473
.474
.474
.477
.481
.484
.489
.490
.495
.501
S
11
昂
-38.9
-73.4
-102.3
-123.6
-139.6
-151.0
-160.8
-168.6
-175.7
178.2
172.8
167.6
162.9
158.4
154.4
150.3
146.5
142.9
139.3
136.0
MAG
8.934
8.007
6.898
5.819
4.970
4.255
3.750
3.328
3.004
2.734
2.522
2.355
2.176
2..038
1.921
1.818
1.726
1.647
1.578
1.505
S
21
昂
148.0
127.6
112.6
101.8
93.5
86.9
81.4
76.3
72.0
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64.0
60.2
56.7
53.2
49.8
46.7
43.9
40.6
37.6
35.0
MAG
.038
.060
.072
.079
.086
.093
.099
.107
.113
.122
.130
.139
.148
.158
.168
.177
.190
.200
.212
.223
S
12
昂
65.8
53.1
47.6
45.2
45.7
46.5
47.2
48.9
49.7
50.9
51.6
52.3
53.1
53.3
53.7
53.3
53.3
53.0
52.7
52.0
MAG
.868
.687
.560
.483
.434
.402
.379
.361
.350
.340
.332
.328
.322
.319
.315
.313
.312
.312
.309
.309
S
22
昂
-23.6
-36.7
-42.4
-45.4
-47.2
-48.6
-49.9
-51.5
-53.4
-55.4
-57.3
59.7
-62.3
-65.2
-68.2
-70.9
-73.9
-77.2
-80.8
-84.0
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安，Z
0
= 50
频率
（千兆赫）
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
MAG
.750
.618
.528
.483
.459
.447
.441
.439
.437
.437
.440
.443
.444
.449
.450
.455
.459
.462
.466
.470
S
11
昂
-45.7
-84.9
-114.5
-134.3
-148.5
-158.8
-167.4
-174.4
179.2
173.7
168.6
163.9
159.6
155.5
151.6
147.9
144.3
140.9
137.5
134.4
MAG
11.858
10.093
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3.283
2.978
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2.357
2.216
2.077
1.972
1.868
1.789
1.702
1.635
S
21
昂
144.0
122.3
107.7
97.9
90.5
84.6
79.7
75.2
71.1
67.2
63.7
60.0
66.6
53.4
50.3
47.4
44.3
41.3
38.4
36.1
MAG
.035
.053
.054
.073
.081
.089
.098
.107
.117
.126
.136
.147
.158
.169
.180
.192
.202
.214
.226
.238
S
12
昂
63.3
53.2
50.6
50.6
50.7
52.3
53.5
54.2
54.9
55.6
55.8
55.3
55.4
55.3
54.7
64.5
53.9
53.0
52.3
51.5
MAG
.816
.609
.481
.411
.365
.337
.337
.300
.290
.281
.275
.270
.267
.264
.259
.258
.256
.255
.253
.253
S
22
昂
-28.5
-41.8
-46.7
-49.1
-50.5
-51.5
-51.5
-54.2
-55.9
-57.9
-59.8
-52.3
-64.7
-67.5
-70.5
-73.3
-76.3
-79.6
-83.0
-86.4
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产品型号
UPA801T-T1-A
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磁带&卷轴
为了我们的客户，
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4月1日
st
2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
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瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站： http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出：
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犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” ：
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统（如人工生命支持设备或系统） ，外科手术植入，或保健
介入治疗（如切除等） ，并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
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“标准” ：
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
（注1 ） “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
（注2 ） “瑞萨电子的产品（S ） ”，是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
初步数据表
硅晶体管
PA801T
高频率的低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
（带内置6 -PIN 2个元素） MINI模具
该
PA801T还内置了2个低电压晶体管被设计
以放大的低噪声在VHF频带到UHF频带。
封装图纸
（单位：毫米）
2.1±0.1
1.25±0.1
特点
- 低噪声
0.65 0.65
1.3
高增益
|S
21e
|
2
= 9.0分贝TYP 。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
一个小型模具包领养
内置2个晶体管（ 2
×
2SC4226)
2.0±0.2
2
3
产品型号
QUANTITY
松散产品
（ 50 PCS ）
包装方式
压纹带8mm宽。引脚6 （ Q1
基地） ，引脚5 （ Q2基极） ，引脚4 （ Q2发射极）
面对带的穿孔侧。
PA801T
引脚配置（顶视图）
PA801T-T1
编带产品
（ 3 KPCS /卷）
6
Q
1
5
0~0.1
4
备注
如果您需要评估样品，请联系NEC
销售代表。 （单位样本数量为50个。 ）
1
2
Q
2
3
绝对最大额定值（T
A
= 25
°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
等级
20
12
3
100
在1单元150
200的2个元素
记
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
引脚连接
4.发射器（ Q2 ）
1.收集器（ Q1 ）
5.基地（ Q2 ）
2.发射器（ Q1 ）
6.基地（ Q1 ）
3.收集器（ Q2 ）
结温
储存温度
T
j
T
英镑
C
C
记
110毫瓦不得超过1元。
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文件编号ID- 3635
（外径号ID- 9142 ）
发布日期1995年P月
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–0
+0.1
订购信息
0.9±0.1
0.7
4
5
0.2
–0
1
6
NF = 1.2 dB典型值。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
+0.1
X Y
1995
PA801T
电气特性（T
A
= 25
°C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
h
FE
比
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
|S
21
|
2
NF
h
FE1
/h
FE2
条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
注1
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
注2
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
其中较小的值
h
FE
h的
FE
1 = Q1, Q2
其中较大的值
h
FE
h的
FE
2 = Q1, Q2
0.85
7
70
3.0
4.5
0.7
9
1.2
2.5
1.5
分钟。
典型值。
马克斯。
1
1
250
GHz的
pF
dB
dB
单位
A
A
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
2.
测量3针桥，发射器和外壳应连接到守卫大桥的脚。
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
R24
70至140
GB
R25
125至250
典型特征（T
A
= 25
°C)
P
T
– T
A
特征
20
V
CE
= 3 V
I
C
– V
BE
特征
总功耗P
T
（ mW）的
2
200
en
ts
Pe
in
rE
LEM
To
en
t
ta
l
集电极电流I
C
（MA ）
El
em
10
100
0
50
100
150
0
0.5
基极至发射极电压V
BE
(V)
h
FE
– I
C
特征
1.0
环境温度T
A
(°C)
I
C
– V
CE
特征
25
I
B
=
160
A
140
A
120
A
100
A
80
A
10
5
60
A
40
A
20
A
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
10
10
0.5
200
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
（MA ）
15
直流电流增益
FE
20
100
50
20
0
1
5
10
50
集电极电流I
C
（MA ）
2
PA801T
f
T
– I
C
特征
20
增益带宽乘积F
T
（ GH
Z
)
L S
21e
l
2
– I
C
特征
15
V
CE
= 3 V
F = 1.0 GH
Z
插入功率增益升S
21e
l
2
（ dB）的
V
CE
= 3 V
F = 1.0 GH
Z
10
10
5
5
2
1
0.5
1
5
10
集电极电流I
C
（MA ）
50
0
0.5
1
5
10
集电极电流I
C
（MA ）
50
100
NF - 我
C
特征
6
插入功率增益升S
21e
l
2
（ dB）的
V
CE
= 3 V
F = 1 GH
Z
L S
21e
l
2
- f特性
24
20
16
12
8
4
0
0.1
V
CE
= 3V
I
C
= 7毫安
噪声系数（dB ）
4
2
0
0.5
1.0
5.0
10
50
100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
集电极电流I
C
（MA ）
频率f（ GH
Z
)
C
re
– V
CB
特征
5.0
反馈电容C
re
（PF ）
F = 1 MH
Z
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
1
2
5
10
20
50
集电极基极电压V
CB
(V)
3
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