UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT75N03
初步
功率MOSFET
75A ， 30V N通道
功率MOSFET
描述
在UTC
UT75N03
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
1
TO- 251
特点
* R
DS （ ON）
< 7MΩ @V
GS
=10V
* R
DS （ ON）
<10mΩ @V
GS
=4.5V
1
TO-220
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT75N03L-TA3-T
UT75N03G-TA3-T
UT75N03L-TM3-T
UT75N03G-TM3-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-251
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R502-327.c
UT75N03
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
75
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
225
A
单脉冲雪崩电流（注3 ）
I
AS
100
A
单脉冲雪崩能量（注3 ）
E
AS
228
mJ
TO-220
75
功率耗散（T
C
= 25°С)
P
D
W
TO-251
89
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +175
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
3， L = 20μH ，我
AS
= 100A ，V
DD
= 24V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°С
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220
TO-251
TO-220
TO-251
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
110
2.0
1.4
单位
° C / W
° C / W
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2 3
QW-R502-327.C
UT75N03
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
前锋
栅极 - 源极漏电流
反向
基本特征
（注）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
民
30
1
100
-100
1
5
7
3298
1400
287
20
12
113
40
48
10
27
38
23
198
78
55
3
7
10
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 15V ，我
D
= 60A ，V
GS
=10V,
开启上升时间
t
R
R
根
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=75A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性和最大额定值
二极管的正向电压（注）
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
=75A
最大体二极管连续电流
I
S
注：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
1.5
75
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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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3 3
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