UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT3N01Z
N沟道MOSFET硅
通用开关
设备应用
描述
该
UT3N01Z
UTC采用先进的技术，提供优异的
R
DS （ ON）
低栅极电荷和操作具有低栅极电压。这
装置的一般目的，是为切换装置的应用程序。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 3.7 @V
GS
= 4 V
*超低栅极电荷（典型值1.58 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型2.3 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
*无卤
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
UT3N01ZG-AL3-R
UT3N01ZG-AN3-R
包
SOT-323
SOT-523
引脚分配
1
2
3
S
G
D
S
G
D
填料
带盘
带盘
记号
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2009 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-285.A
UT3N01Z
绝对最大额定值
(T
a
= 25°C)
参数
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
V
30
栅源电压
V
±10
DC
A
0.15
漏电流
I
D
脉冲（注2 ）
A
0.6
功耗
P
D
150
mW
储存温度
T
英镑
°C
-55 ~ +150
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度为10μs ≦ ，占空比≦ 1 ％
电气特性
(T
a
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
截止阈值电压
静态漏源导通电阻
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
V
DS
=30V,V
GS
=0V
V
GS
=±8V, V
DS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=100A
V
GS
= 4V ，我
D
=80mA
V
GS
= 2.5V ，我
D
=40mA
V
GS
= 1.5V ，我
D
=10mA
民
30
1
±10
0.4
2.9
3.7
6.4
7.0
5.9
2.3
1.58
0.26
0.31
19
65
155
120
0.87
1.2
1.3
3.7
5.2
12.8
典型值
最大单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
V
DS
=10V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=10V, V
GS
= 10V ，我
D
=150mA
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
请参阅特定网络版测试电路
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 150毫安，V
GS
=0V
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QW-R502-285.A
UT3N01Z
开关时间测试电路
功率MOSFET
V
OUT
V
IN
G
D
R
L
=187.5
I
D
=80mA
V
DD
=15V
4V
0V
R
G
=50
脉冲宽度为10μs =
占空比= 1 ％
D.U.T.
S
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QW-R502-285.A
UT3N01Z
典型特征
漏极电流与漏源
击穿电压
功率MOSFET
1200
1000
漏电流，我
D
(A)
800
600
400
200
0
0
300
250
漏电流，我
D
(A)
200
150
100
50
0
漏电流与
栅极阈值电压
10
20
30
40
50
60
0
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
漏源导通电阻
特征
100
80
60
40
20
0
0
V
GS
=1.5V
I
D
=10mA
50
100
150
200
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
V
GS
=4V
I
D
=80mA
160
140
漏电流，我
D
（MA ）
漏电流，我
D
（MA ）
120
100
80
60
40
20
0
0
0.4 0.6
0.8 1.0 1.2
栅极阈值电压，V
TH
(V)
漏电流与
源极到漏极电压
0.2
V
GS
=2.5V
I
D
=40mA
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
源极到漏极电压，V
SD
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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