UTRON
修订版1.7
特点
访问时间：35 /55 / 70ns的（最大）
低功耗：
操作： 40/35/30 mA（典型值）
待机： 2.5μA （典型值） L-版
0.5μA （典型值） LL-版
电源电压范围： 2.7V至3.6V
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2V （分钟）
封装： 32引脚600密耳PDIP
32引脚450密耳SOP
32针8x20毫米的TSOP -1
32引脚8x13.4毫米STSOP
UT62L1024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT62L1024是1,048,576位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器，具有
如131,072字由8位。它是使用制造
高性能，高可靠性的CMOS
技术。
易内存扩展，通过使用规定
2芯片使能输入。 （
CE
1
， CE2 ）是
特别适合好电池后备
非易失性存储器应用。
该UT62L1024从一个单一的2.7V工作
3.6V电源和所有输入和输出
完全TTL兼容。
功能框图
2048
×
512
内存
ARRAY
A0-A16
解码器
VCC
VSS
I/O1-I/O8
I / O数据
电路
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882传真： 886-3-5777919
P80033
1
UTRON
修订版1.7
引脚配置
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
32
31
30
29
VCC
A15
CE2
WE
A11
A9
A8
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
UT62L1024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
32
31
30
29
28
27
26
OE
A10
CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A13
A8
A9
A11
OE
A10
PDIP / SOP
引脚说明
符号
A0 - A16
I / O1 - I / O8
CE
1
,CE2
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入1,2
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882传真： 886-3-5777919
UT62L1024
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
UT62L1024
25
24
23
22
21
20
19
18
17
CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
TSOP -I / STSOP
P80033
2
UTRON
修订版1.7
绝对最大额定值*
参数
相对于VSS端电压
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
UT62L1024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
等级
-0.5到+4.6
0至+70
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备或高于任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响
器件的可靠性。
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
读
写
CE
1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O操作
高 - z
高-Z
高 - z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,
I
SB1
I
SB
,
I
SB1
I
CC ,
I
CC1
I
CC ,
I
CC1
I
CC ,
I
CC1
注：H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = 0
℃
+70
℃
)
参数
符号测试条件
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
IL
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
输出漏电流I
OL
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC
CE
1
=V
IH
或CE2 = V
IL
or
输出高电压
输出低电压
平均开工
电源Courrent
V
OH
V
OL
I
CC
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
I
OH
= - 1毫安
I
OL
= 4毫安
周期时间=最小。 100 ％的关税，
CE
1
=V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
I / O
= 0毫安
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，
.
CE
1
≦
0.2V,CE2
≧
V
CC
-0.2V,
I
I / O
= 0毫安
CE
1
=V
IH
或CE2 = V
IL
CE
1
≧
V
CC
-0.2V或
.CE2
≦
0.2V
-L
-
LL
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
2.0
-
V
CC
+0.5 V
- 0.5
-
0.6
V
-1
-
1
A
-1
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
35
30
-
-
2.5
0.5
1
-
0.4
60
50
40
5
1.0
100
20*
40
10*
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
35
55
70
I
CC1
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB1
*这些参数仅在50 ℃参考
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882传真： 886-3-5777919
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电容
(Ta=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
UT62L1024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
-
-
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.4V至2.4V
5ns
1.5V
C
L
= 50pF的，我
OH
/I
OL
=-1mA/2mA
AC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ，TA = 0
℃
+70
℃
)
（ 1 ）读周期
参数
符号
UT62L1024-35 UT62L1024-55 UT62L1024-70
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
读周期时间
t
RC
35
-
55
-
70
-
ns
地址访问时间
t
AA
-
35
-
55
-
70
ns
芯片使能存取时间
t
ACE1
, t
ACE2
-
35
-
55
-
70
ns
输出启用访问时间
t
OE
-
25
-
30
-
35
ns
芯片使能在低Z输出
t
CLZ1
*, t
CLZ2
* 10
-
10
-
10
-
ns
输出使能到输出低-Z吨
OLZ
*
5
-
5
-
5
-
ns
芯片禁用输出高阻
t
CHZ1
*, t
CHZ2
*
-
25
-
30
-
35
ns
输出禁止到输出的高阻吨
OHZ
*
-
25
-
30
-
35
ns
从地址变更吨输出保持
OH
5
-
5
-
5
-
ns
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
t
WC
t
AW
t
CW1
, t
CW2
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
UT62L1024-35 UT62L1024-55 UT62L1024-70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。
35
30
30
0
25
0
20
0
5
-
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
分钟。
55
50
50
0
40
0
25
0
5
-
MAX 。 MIN 。
-
70
-
60
-
60
-
0
-
45
-
0
-
30
-
0
-
5
20
-
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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时序波形
读周期1 （地址控制）
(1,2,4)
t
RC
UT62L1024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
1
， CE2和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
RC
地址
CE1
t
ACE1
t
AA
CE2
t
ACE2
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
DOUT
高-Z
t
OE
t
OLZ
t
OH
t
OHZ
t
CHZ1
t
CHZ2
高-Z
数据有效
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.设备不断选择
OE
,
CE
1
=V
IL
和CE2 = V
IH 。
3.地址必须是之前还是一致有效
CE
1
4.
OE
是低的。
低
和CE2高的转变;否则吨
AA
是限制参数。
5. t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1
, t
CHZ2
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ1
小于吨
CLZ1
, t
CHZ2
小于吨
CLZ2
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
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特点
访问时间：35 /55 / 70ns的（最大）
低功耗：
操作： 40/35/30 mA（典型值）
待机： 2.5μA （典型值） L-版
0.5μA （典型值） LL-版
电源电压范围： 2.7V至3.6V
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2V （分钟）
封装： 32引脚600密耳PDIP
32引脚450密耳SOP
32针8x20毫米的TSOP -1
32引脚8x13.4毫米STSOP
UT62L1024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT62L1024是1,048,576位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器，具有
如131,072字由8位。它是使用制造
高性能，高可靠性的CMOS
技术。
易内存扩展，通过使用规定
2芯片使能输入。 （
CE
1
， CE2 ）是
特别适合好电池后备
非易失性存储器应用。
该UT62L1024从一个单一的2.7V工作
3.6V电源和所有输入和输出
完全TTL兼容。
功能框图
2048
×
512
内存
ARRAY
A0-A16
解码器
VCC
VSS
I/O1-I/O8
I / O数据
电路
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
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修订版1.7
引脚配置
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
32
31
30
29
VCC
A15
CE2
WE
A11
A9
A8
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
UT62L1024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
32
31
30
29
28
27
26
OE
A10
CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A13
A8
A9
A11
OE
A10
PDIP / SOP
引脚说明
符号
A0 - A16
I / O1 - I / O8
CE
1
,CE2
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入1,2
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
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UT62L1024
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
UT62L1024
25
24
23
22
21
20
19
18
17
CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
TSOP -I / STSOP
P80033
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绝对最大额定值*
参数
相对于VSS端电压
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
UT62L1024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
等级
-0.5到+4.6
0至+70
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备或高于任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响
器件的可靠性。
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
读
写
CE
1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O操作
高 - z
高-Z
高 - z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,
I
SB1
I
SB
,
I
SB1
I
CC ,
I
CC1
I
CC ,
I
CC1
I
CC ,
I
CC1
注：H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = 0
℃
+70
℃
)
参数
符号测试条件
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
IL
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
输出漏电流I
OL
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC
CE
1
=V
IH
或CE2 = V
IL
or
输出高电压
输出低电压
平均开工
电源Courrent
V
OH
V
OL
I
CC
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
I
OH
= - 1毫安
I
OL
= 4毫安
周期时间=最小。 100 ％的关税，
CE
1
=V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
I / O
= 0毫安
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，
.
CE
1
≦
0.2V,CE2
≧
V
CC
-0.2V,
I
I / O
= 0毫安
CE
1
=V
IH
或CE2 = V
IL
CE
1
≧
V
CC
-0.2V或
.CE2
≦
0.2V
-L
-
LL
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
2.0
-
V
CC
+0.5 V
- 0.5
-
0.6
V
-1
-
1
A
-1
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
35
30
-
-
2.5
0.5
1
-
0.4
60
50
40
5
1.0
100
20*
40
10*
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
35
55
70
I
CC1
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB1
*这些参数仅在50 ℃参考
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电容
(Ta=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
UT62L1024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
-
-
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.4V至2.4V
5ns
1.5V
C
L
= 50pF的，我
OH
/I
OL
=-1mA/2mA
AC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ，TA = 0
℃
+70
℃
)
（ 1 ）读周期
参数
符号
UT62L1024-35 UT62L1024-55 UT62L1024-70
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
读周期时间
t
RC
35
-
55
-
70
-
ns
地址访问时间
t
AA
-
35
-
55
-
70
ns
芯片使能存取时间
t
ACE1
, t
ACE2
-
35
-
55
-
70
ns
输出启用访问时间
t
OE
-
25
-
30
-
35
ns
芯片使能在低Z输出
t
CLZ1
*, t
CLZ2
* 10
-
10
-
10
-
ns
输出使能到输出低-Z吨
OLZ
*
5
-
5
-
5
-
ns
芯片禁用输出高阻
t
CHZ1
*, t
CHZ2
*
-
25
-
30
-
35
ns
输出禁止到输出的高阻吨
OHZ
*
-
25
-
30
-
35
ns
从地址变更吨输出保持
OH
5
-
5
-
5
-
ns
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
t
WC
t
AW
t
CW1
, t
CW2
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
UT62L1024-35 UT62L1024-55 UT62L1024-70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。
35
30
30
0
25
0
20
0
5
-
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
分钟。
55
50
50
0
40
0
25
0
5
-
MAX 。 MIN 。
-
70
-
60
-
60
-
0
-
45
-
0
-
30
-
0
-
5
20
-
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882传真： 886-3-5777919
P80033
4
UTRON
修订版1.7
时序波形
读周期1 （地址控制）
(1,2,4)
t
RC
UT62L1024
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
1
， CE2和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
RC
地址
CE1
t
ACE1
t
AA
CE2
t
ACE2
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
DOUT
高-Z
t
OE
t
OLZ
t
OH
t
OHZ
t
CHZ1
t
CHZ2
高-Z
数据有效
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.设备不断选择
OE
,
CE
1
=V
IL
和CE2 = V
IH 。
3.地址必须是之前还是一致有效
CE
1
4.
OE
是低的。
低
和CE2高的转变;否则吨
AA
是限制参数。
5. t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1
, t
CHZ2
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ1
小于吨
CLZ1
, t
CHZ2
小于吨
CLZ2
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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