*
e-5
-
-,--5
.-- 3
---
=
- = =
-a==
=-
- -
an
AMP
公司
射频MOSFET功率晶体管， IOOW ， 28V
100 - 500兆赫
特点
l
l
l
l
l
UF281 OOV
v2.00
N沟道增强
&lode设备
手术
DMOS结构
宽带较低的电容
高饱和输出功率
低
噪音
数字比竞争器件
在25 ° C绝对最大额定值
我的参数
漏源电压
栅极 - 源
电压
漏源
当前
（符号
V DS
V
GS
“ Ds的
1
等级
65
20
12
250
200
-55到+150
0.7
（单位
V
V
A
动力
耗散
JunctionTemperature
储存温度
热阻
PD
TJ
牛逼SIC
8 IP
W
“C
“C
“ CRW
电动
_____.._~~
参数
漏源
漏源
栅极 - 源
特性在25℃
符号
击穿
民
最大
单位
免得条件
电压
BV ,,,
I
DSS
“ GSS
65
,
2.0
1.5
-
-
3.0
)
3.0
6.0
-
135
90
24
]
I
V
mA
fl
五， 。 = O.O五
I&
V,,=28.0
,
1 V ,, = 2OV ，
I
5.0毫安
LeakageCurrent
漏电流
V ，V ,, = O.O V'
VDS = o.o V
栅极阈值
电压
ForwardTransconductance
输入电容
输出电容
反向
电容
动力
收益
漏EF网络效率
.
负载不匹配公差
- 每边
V
GSIW
GM
15S
屁股
V
S
pF
PF
pF
dB
%
-
V ,, = lO.O
V, 1,,=300.0
V, 1,,=3000.0
mA
毫安， AV ,, = L
.O V， 80后的我们脉冲“
V,,=10.0
V,,=28.0
V,,=28.0
V,,=28.0
V,,=28.0
V,,=28.0
V,,=28.0
V，F = L .O兆赫“
V，F = L .O兆赫“
V，F = L .O兆赫“
V, 1,,=600.0
毫安，P ,, $ OO.O
W， F = SOO兆赫
C
RSS
GP
10
50
-
-
3O ：L
V, 1,,=600.0
毫安，
P ,,, = lOO.O W· F = 500 MHZ
W， F = 500 MHz的
VSWR -T
-
五， LDD = 800.0毫安， PbbylOO.0
规格如有变更， Wiihout通知。
M / A - COM公司
射频MOSFET功率晶体管，
lOOW ， 28V
UF281 OOV
v2.00
典型的宽带
性能
曲线
效率
80
与频率
120
厕所
电源输出
P&O
与电源电压
P ,, = LO W I ,, = 600 MA（推挽式设备）
W I ,, = 600毫安F&O0兆赫
0
100
200
300
频率
（兆赫）
400
500
14
16
20
24
26
22
电源电压（ V）
功率输出VS电源输入
V ,, = 28 V I ,, = 600 MA（推挽式设备）
2
4
6
8
10
12
输入功率（ W）
特定网络阳离子
如有更改，恕不另行通知。
M / A - COM ，
公司
射频MOSFET功率晶体管， IOOW ， 28V
UF281OOV
v2.00
典型的设备阻抗
7
频率（MHz）
100
300
500
5 ， （欧姆）
4.5 - j 6.0
2.25 - j 1.75
1.5 + j 5.5
V ,, = 28 V，I ,, = 690毫安，P ,,, = lOO.O瓦
,,,, （欧姆）
14.5+j 0.5
7.5 + J 1 .O
3.5 - j 3.5
,I
,,是指该器件从栅极到栅极的串联等效输入阻抗。
is.tQe从排水测量的最佳串联等效负载阻抗流失。
LOAD
RF测试夹具
0
0
0
零件
Cl.c6
c2.Q
c4
C5
c6.c7
C％ CLO
Cl1
Cl2
RL .R4
朗姆酒
Ll
K
Tl
LlS.1
CHlP电容。 2.OpF ATC B
贴片电容。 5OOCPF
芯片CAPAC ！ 37pF ATC B
贴片电容。 25OpF ATC B
CHIP CAPACTTOR 。 .015uF
CHIP CAPACTTOR 。 5KvF ATC B
芯片
CAPAClTOR 。 O.BpF ATC B
ELECTROLtllC
CAPACITCR ， 5ouF 50伏
电阻。 27欧姆25 WA- I-F
RESISTOR 22K OHM 25 WATT
电感器。 5圈的NO。 18 AWG ON“ .LO
电感器。 10圈数控。 22 AWG ON R4
， ： ，平衡 - 不平衡变压器
“ .OBS X 3 '长
50 0的“M半刚性同轴电缆
72
，我平衡 - 不平衡变压器。 25 C + iM时的半刚性同轴电缆
' .070 ' ×2.5 '长
T3
13平衡 - 不平衡变压器。 10 OHM半RIGIG COAX
“ .070.X 2.5 '长
14
， ： ，平衡 - 不平衡变压器。 50 OHM的半刚性同轴电缆
“ .OW X 4 '长
91
板
JlJ2
J3J4JS
散热器
uF261oov
罗杰斯5870 .Ml'lliICK
连接器TYPE -N
香蕉插座
铝翅片， DIN 7305OlB2-03
特定网络阳离子
主题
更改，恕不另行通知。
WA- COM公司
9-295
UF28100V
射频功率MOSFET晶体管
100W ， 100-500兆赫， 28V
特点
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
N沟道增强型器件
DMOS结构
对于宽带运营更低的电容
高饱和输出功率
更低的噪声系数比同类产品
绝对最大额定值在25°
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
功耗
结温
储存温度
热阻
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
D
T
J
T
英镑
θ
JC
等级
65
20
12*
250
200
-55到+150
0.7
单位
V
V
A
W
°C
°C
° C / W
典型的设备阻抗
F（兆赫）
100
300
500
Z
IN
()
4.5-j6.0
2.25-j1.75
1.5+j5.5
Z
负载
()
14.5+j0.5
7.5j1.0
3.5+j3.5
V
DD
= 28V ，我
DQ
= 600马，P
OUT
=100.0 W
Z
IN
是该装置的串联等效输入阻抗
从门到门。
Z
负载
是最佳的串联等效负载阻抗为
从排水地漏测。
在25 ° C电气特性
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向电容
功率增益
漏EF网络效率
回波损耗
负载不匹配公差
1
*每方
M / A - COM技术解决方案保留更改产品（ S）或信息的权利
化包含此恕不另行通知。 M / A - COM不作任何担保，声明或保证
关于其产品适用于任何特定用途，也不M / A - COM承担任何
任何由此产生的任何产品（S ）或信息的使用或应用的法律责任。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
G
M
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
P
D
R
L
VSWR -T
民
65
-
-
2.0
1.5
-
-
-
10
50
10
-
最大
-
3.0
3.0
6.0
-
135
90
24
-
-
-
30:1
单位
V
mA
A
V
S
pF
pF
pF
dB
%
dB
-
测试条件
V
GS
= 0.0 V，I
DS
= 15.0毫安
V
GS
= 28.0 V , V
GS
= 0.0 V
V
GS
= 20.0 V , V
DS
= 0.0 V
V
DS
= 10.0 V，I
DS
= 300.0毫安
V
DS
= 10.0 V，I
DS
3000.0毫安，
Δ
V
GS
= 1.0V, 80
μs
脉冲
V
DS
= 28.0 V， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 28.0 V， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 28.0 V， F = 1.0 MHz的
V
DD
= 28.0 V，I
DQ
= 600.0毫安，P
OUT
= 100.0 W F = 500 MHz的
V
DD
= 28.0 V，I
DQ
= 600.0毫安，P
OUT
= 100.0 W F = 500 MHz的
V
DD
= 28.0 V，I
DQ
= 600.0毫安，P
OUT
= 100.0 W F = 500 MHz的
V
DD
= 28.0 V，I
DQ
= 600.0毫安，P
OUT
= 100.0 W F = 500 MHz的
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑开发信息。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或
原型测试。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM正在开发的信息。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械
大纲已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产数量难以保证。
发布日期：
在满负荷生产，现成的样品，标准交货时间申请。
UF28100V
射频功率MOSFET晶体管
100W ， 100-500兆赫， 28V
典型的宽带性能曲线
效率
VS
频率
P
IN
= 10W我
DD
= 600 MA（推挽设备）
POPWER输出功率（W ）
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
电源输出
VS
电源电压
P
IN
= 10 W I
DQ
= 600毫安F = 500 MHz的
80
70
60
50
40
100
120
100
80
60
40
20
0
14
效率（％）
200
300
400
500
16
20
24
28
32
频率（MHz）
电源电压（ V）
电源输出
VS
电源输入
V
DD
= 28 V I
DQ
= 600 MA（推挽设备）
120
输出功率（ W）
100
80
60
40
20
0
0
1
2
4
6
8
10
12
输入功率（ W）
300MHz
200MHz
400MHz
500MHz
2
M / A - COM技术解决方案保留更改产品（ S）或信息的权利
化包含此恕不另行通知。 M / A - COM不作任何担保，声明或保证
关于其产品适用于任何特定用途，也不M / A - COM承担任何
任何由此产生的任何产品（S ）或信息的使用或应用的法律责任。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑开发信息。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或
原型测试。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM正在开发的信息。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械
大纲已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产数量难以保证。
发布日期：
在满负荷生产，现成的样品，标准交货时间申请。
UF28100V
射频功率MOSFET晶体管
100W ， 100-500兆赫， 28V
测试夹具示意图
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
测试夹具装配
3
M / A - COM技术解决方案保留更改产品（ S）或信息的权利
化包含此恕不另行通知。 M / A - COM不作任何担保，声明或保证
关于其产品适用于任何特定用途，也不M / A - COM承担任何
任何由此产生的任何产品（S ）或信息的使用或应用的法律责任。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑开发信息。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或
原型测试。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM正在开发的信息。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械
大纲已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产数量难以保证。
发布日期：
在满负荷生产，现成的样品，标准交货时间申请。
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