UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4392
30V N沟道功率
MOSFET
描述
该
UT4392
UTC采用先进技术提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。此装置适用于在这种应用中被使用：
高端DC / DC转换器，笔记本电脑和服务器。
功率MOSFET
特点
* V
DS
(V)=30V
* I
D
= 12.5 A（V
GS
=10V)
*高密度电池设计超低导通电阻
* R
DS （ ON）
<11.5m@V
GS
=10V
* R
DS （ ON）
<16.5m@V
GS
=4.5V
无铅：
无卤：
UT4392L
UT4392G
符号
D
D
D
D
G
S
S
S
订购信息
正常
UT4392-S08-R
订购数量
无铅电镀
UT4392L-S08-R
无卤
UT4392G-S08-R
包
SOP-8
引脚分配
填料
1 2 3 4 5 6 7 8
S S S摹D D D D带卷轴
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2009 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R502-312.A
UT4392
绝对最大额定值
(T
a
= 25C ，除非另有说明）。
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
12.5
A
漏电流脉冲
I
DM
50
A
功率耗散（T
a
=25°C)
P
D
3.0
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
符号
结到环境（PCB安装）
θ
JA
结到外壳
θ
JC
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最高结温。
2.表面安装在FR4板，T
≤
10秒。
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流（注1 ）
静态漏源导通电阻（注1 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
民
典型值
最大
50
25
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
a
= 25C ，除非另有说明）。
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=250 A
V
DS
=24 V, V
GS
=0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
=0 V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250 A
V
DS
≥
5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10 V，I
D
=12.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=10 A
最小典型最大单位
30
1.0
±100
1
30
1.8
9
13
2134
343
134
26
6
5
17
3.5
40
6
0.85
1.3
2.7
3
V
A
nA
V
A
11.5 m
16.5 m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15 V, V
GS
=0 V,
输出电容
C
OSS
F = 1.0MHz的， （注2 ）
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
=10 V,
门源电荷
Q
GS
I
D
= 12.5A ， （注2 ）
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
=15V,I
D
= 1 A，V
根
=10 V
R
G
=6
,
R
L
=15
,
（注3）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 2.7 A，V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
I
S
（注4,5 ）
注：1.脉冲测试： PW
≤300μS,
占空比
≤2%
2.辅助设计ONLY，不受生产测试。
3.开关时间基本上是独立的工作温度。
4.脉冲宽度有限的最高结温。
5.表面安装在FR4板，T
≤
10秒。
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QW-R502-312.A
UT4392
典型特征
漏极电流与源极到漏极电压
3.0
2.5
漏电流，我
D
(A)
漏电流，我
D
(A)
2.0
1.5
1
0.5
0
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
50
100
V
GS
=10V
I
D
=12.5A
功率MOSFET
漏源导通电阻
特征
V
GS
=4.5V
I
D
=10A
150
200
源极到漏极电压，V
SD
(V)
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
漏极电流与漏源
击穿电压
400
漏电流，我
D
(A)
350
300
250
200
150
100
50
漏极电流与栅极阈值电压
300
250
漏电流，我
D
(A)
200
150
100
50
0
0
1.0
1.5
栅极阈值电压，V
TH
(V)
0.5
2.0
0
0
30
40
10
20
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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