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US5881
CMOS多功能开关
特点和优点
斩波稳定放大器级
新的微型封装/超薄,高可靠性封装
操作降到3.5V
CMOS最佳的稳定性,质量和成本
应用
固态开关
限位开关
电流限制
断续器
电流检测
订购信息
产品型号
US5881
US5881
温度后缀
温度范围
E
SO或UA
-40
o
C至85
o
C扩展
L
SO或UA
-40
o
C至150
o
C汽车
*联系工厂或销售代表的传统的温度选择
工作原理图
描述
该US5881是一个单极霍尔效应传感器IC FAB-
从混合信号CMOS技术ricated 。它IN-
公司债券先进的斩波稳定技
niques提供准确而稳定的磁
开关点。有许多应用程序为这个
传感器除了上面列出的那些。 DE-的
标志,规格和性能已经
对于固态开关应用进行了优化。
输出晶体管将B上(B切换
OP
)在
e
足够强的南磁极的存在
磁场面向封装的侧面明显
年龄。类似地,输出将被关闭(乙
RP
)
在一个较弱的南场的存在,并保持
断为“0”字段。采用SOT -23器件逆转
从UA封装。采用SOT -23输出晶体管
器将在(B切换
OP
)中的一个存在
足够强的北极磁场分
遭离弃到标记的面。
V
DD
产量
电压
调节器
断路器
GND
UA封装
引脚1 - V
D D
引脚2 - GND
引脚3 - 输出
SO封装
引脚1 - V
D D
2脚 - 输出
引脚3 - GND
注意:
这是一个静态感应装置;请遵守ESD precau -
系统蒸发散。倒V
DD
保护不被包括在内。对于反向电压
保护,串联伏100Ωresistor
DD
值得推荐。
US5881 CMOS多功能开关
3901005881版本5.0
24/July/01
第1页
US5881
CMOS多功能开关
US5881电气规格
参数
电源电压
电源电流
饱和电压
输出漏
输出上升时间
输出下降时间
符号测试条件
V
DD
操作
I
DD
V
DS ( ON)
I
关闭
t
r
t
f
B<B
RP
I
OUT
= 20毫安, B>B
OP
B<B
RP
, V
OUT
= 20V
V
DD
= 12V ,R
L
= 1.1kΩ ,C
L
= 20pF的
V
DD
= 12V ,R
L
= 1.1kΩ ,C
L
= 20pF的
3.5
1.5
典型值
2.5
0.4
0.01
0.04
0.18
最大
24
4.0
0.5
5.0
单位
V
mA
V
ìA
ìs
ìs
US5881磁规格
参数
工作点
3
放点
迟滞
符号测试条件
B
OP
B
RP
B
HYS
15
9.5
2.0
典型值
25
20
4.3
最大
30
-
5.5
单位
mT
mT
mT
注意事项:
1.1 MT = 10高斯。
2. SOT-23装置从UA包逆转。采用SOT -23输出晶体管将被切换
上(BOP)在足够强的北极磁场的存在下进行的
markedface 。
3.在-40℃ ,最高B
OP
= 35公吨。
绝对最大额定值
电源电压(工作) ,V
DD
电源电流(故障) ,我
DD
输出电压V
OUT
输出电流(故障) ,我
OUT
功耗,P
D
工作温度范围,T
A
存储温度范围,T
S
最高结温,T
J
ESD敏感度(所有引脚)
24V
50mA
24V
50mA
100mW
-40 ° C至150℃
-65 ℃150 ℃的
175°C
+/- 4kV的
迈来芯公司保留随时更改,恕不另行通知以下所有产品在提高可靠性,功能或设计的权利。迈来芯做
不承担因使用本文所述的任何产品或电路的任何产品或应用而产生的任何责任。
US5881 CMOS多功能开关
3901005881版本5.0
24/July/01
第2页
US5881
CMOS多功能开关
性能图
典型的磁开关点
典型的磁开关点
与电源电压
电源电压
35
典型的磁开关点
与温度的关系
35
5881
5881
B
OP
30
磁通密度(MT )
30
B
OP
25
25
磁通密度(MT )
B
RP
20
B
RP
20
15
10
15
5
B
HYS
10
0
5
10
15
20
25
0
-40
0
40
80
120
150
电源电压( V)
温度(℃ )
最低&最大磁
开关范围与温度
35
输出电压
输出电压与磁通密度
通量密度
30
5881
5881
B
OP
最大
30
磁通密度(MT )
24
V
DD
B
OP
输出电压(V)
25
18
20
12
15
6
10
B
RP
V
OUT
B
RP
5
-40
0
40
80
120
160
0
-20
-10
0
10
20
30
40
温度(℃ )
磁通密度(MT )
US5881 CMOS多功能开关
3901005881版本5.0
24/July/01
第3页
US5881
CMOS多功能开关
性能图
典型电源电流
电源电压
5
典型的饱和电压
温度
V
DD
= 12 V,I
OUT
= 20mA下
5881
500
5881
4
T
A
=
-40
o
C
400
V
DS ( ON)
电源电流(mA )
3
T
A
=
25
o
C
V
DS ( ON)
(毫伏)
20
25
30
300
2
T
A
=
125
o
C
200
1
100
0
0
5
10
15
0
-40
0
40
80
120
160
200
电源电压( V)
温度(
o
C)
功耗
温度
500
波峰焊参数
所有器件
所有器件
280
封装功耗( MW)
400
260
300
焊接温度(
o
C)
200
UA封装
R
θ
JA
=206
o
C / W
240
200
220
100
SO封装
R
θJA
=575
o
C / W
0
-40
0
40
80
120
160
200
0
5
10
15
20
25
30
温度
(
o
C)
时间波峰焊(秒)
US5881 CMOS多功能开关
3901005881版本5.0
24/July/01
第4页
US5881
CMOS多功能开关
独特的功能
CMOS霍尔IC技术
在斩波稳定放大器采用开关钙
pacitor技术来消除放大器的失调
电压,其中,在双极型器件,是一个主要来源
对温度敏感的漂移。 CMOS使得这AD-
vanced技术成为可能。
CMOS芯片也比双极小得多
芯片,使非常复杂的电路是
放置在更小的空间。小芯片尺寸也contrib-
茨降低身体的压力和更少的功率变
消费。
应用点评
如果反向电源保护需要,可以使用一个电阻
在一系列与V
DD
引脚。该电阻将限制
电源电流(故障) ,我
DD
,到50毫安。对于严重
EMC的条件下,使用下面的应用电路。
安装
考虑霍尔IC的温度系数,
磁性元件,以及空气间隙的续航时间的变化。转播
服务期间,波峰焊温度限制。
应用实例
两线制电流可选
偏置电路
V
V
DD
D1
Z1
C1
供应
电压
4.7 nF的
R
L
1.2K
OUT
C2
4.7nF
VSS
汽车及严重
环境的保护电路
R
1
100
DD
I
IN
I
DD
R
L
IOUT
霍尔IC
R
b
HALL
IC
该电阻器R
b
和R
L
可用于偏置输入电流,我
IN
。请参阅
部分规格的限制值。该电路将在得到帮助
精确的ON和OFF电流的期望。
B
RP
= Ioff = (V
DD
/ RB + I
DD
)
B
OP
= =离子(的Ioff + V
DD
/ R
L
)
US5881 CMOS多功能开关
3901005881版本5.0
24/July/01
第5页
US5881
单极霍尔开关 - 低灵敏度
特点和优点
宽工作电压范围为3.5V至24V
低灵敏度
CMOS技术
斩波稳定放大器级
低电流消耗
开漏输出
薄型SOT23 3L和扁平TO- 92 3L
既符合RoHS标准的封装
应用实例
汽车,消费和工业
固态开关
断续器
电流检测器
接近检测
订购信息
产品型号
US5881
US5881
US5881
US5881
温度代码
E( -40 ° 85 °
C
C)
E( -40 ° 85 °
C
C)
L( -40°至150℃ )
C
L( -40°至150℃ )
C
封装代码
SE ( TSOT -3L )
UA ( TO-92 )
SE ( TSOT -3L )
UA ( TO-92 )
1功能框图
2概述
迈来芯US5881是一个单极霍尔效应
开关设计在混合信号CMOS
技术。
该器件集成了稳压器,霍尔
与动态偏移取消系统传感器,
施密特触发器和开漏输出驱动器,所有的
在单个封装中。
由于其宽的工作电压范围和
温度范围扩展的选择,它是
适用于汽车和固态用
交换机的应用程序。
该装置递送至薄型小外形
晶体管( TSOT )表面贴装工艺和
在塑料单列直插( TO- 92平)的吞吐量
孔安装。
这两个3引脚封装均符合RoHS标准。
3901005881
修订版007
分页: 11 1
数据表
Feb/06
US5881
单极霍尔开关 - 低灵敏度
目录
1功能框图........................................................................................................ 1
2一般Description........................................................................................................ 1
3术语表.......................................................................................................... 3
4绝对最大额定值.............................................. ............................................. 3
5引脚定义和说明............................................. ...................................... 3
6通用电气规格.............................................. .................................... 4
7磁性规格............................................... .................................................. 4
8输出行为与磁极............................................ .......................... 4
9详细概述.............................................. ........................................... 5
10个独特的Features............................................................................................................五
11性能图............................................... .................................................. 6 ...
11.1典型的磁开关点VS V
DD
....................................................................................................6
11.2磁开关点与温度............................................ .................................................. 6 ...
11.3典型电源电流与V
DD
.................................................................................................................6
11.4典型的饱和电压Vc温度( VDD = 12V ; IOUT = 20mA)的................................... .................. 6
12应用Information................................................................................................ 7
12.1典型的三线应用电路
....................................................................................................7
12.2两线制
......................................................................................................................................7
12.3汽车和苛刻,噪声环境三线制电路
............................................................7
13应用评论............................................... .................................................. 7
14关于迈来芯产品与制造标准信息
不同的焊接工艺............................................... ............................................ 8
15 ESD注意事项........................................................................................................... 8
16包Information..................................................................................................... 9
16.1 SE套餐(TSOT-3L)...........................................................................................................................9
16.2 UA封装( TO- 92平)
.......................................................................................................................10
17 Disclaimer.................................................................................................................... 11
3901005881
修订版007
第11 2
数据表
Feb/06
US5881
单极霍尔开关 - 低灵敏度
3术语表
毫特斯拉( mT)表示,高斯
RoHS指令
TSOT
ESD
BLDC
磁通密度的单位:
1mT的= 10高斯
有害物质限制
薄小外形晶体管( TSOT封装) - 也称为与迈来芯
包代码“SE”
静电放电
无刷直流
4绝对最大额定值
参数
符号
电源电压
V
DD
电源电流
I
DD
输出电压
V
OUT
输出电流
I
OUT
存储温度范围
T
S
最高结温
T
J
表1 :绝对最大额定值
价值
28
50
28
50
-50-150
165
单位
V
mA
V
mA
°C
°C
超过绝对最大额定值可能会造成永久性的损害。暴露在绝对最大
长时间在额定条件下可能影响器件的可靠性。
工作温度范围
温度后缀“E”
温度后缀“L”
符号
T
A
T
A
价值
-40到85
-40至150
单位
°C
°C
5引脚定义和描述
SE PIN
UA引脚
名字
1
1
VDD
2
3
OUT
3
2
GND
表2 :引脚定义和描述
TYPE
供应
产量
功能
电源电压引脚
开漏输出引脚
接地引脚
SE包
UA封装
3901005881
修订版007
第11 3
数据表
Feb/06
US5881
单极霍尔开关 - 低灵敏度
6通用电气规格
DC操作参数T
A
= 25℃ ,V
DD
= 12V (除非另有规定)
参数
符号
电源电压
V
DD
电源电流
I
DD
输出饱和电压
V
DSON
输出漏电流
I
关闭
输出上升时间
t
r
输出下降时间
t
f
最大开关频率
F
SW
SE封装热阻
R
TH
UA封装热阻
R
TH
表3 :电气规格
测试条件
操作
B < B
RP
I
OUT
= 20mA时, B > B
OP
B < B
RP ,
V
OUT
= 24V
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 20pF的
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 20pF的
单层(1S) JEDEC的板
3.5
1.5
典型值
2.5
0.4
0.01
0.25
0.25
10
301
200
最大
24
5
0.5
10
单位
V
mA
V
A
s
s
千赫
° C / W
° C / W
o
7磁性产品规格
DC操作参数T
A
= 25℃ ,V
DD
= 12V (除非另有规定)
参数
符号
工作点
B
OP
放点
B
RP
迟滞
B
HYST
表4 :磁性产品规格
测试条件
15
9.5
2
典型值
25
20
4.3
最大
30
-
5.5
单位
mT
mT
mT
o
8输出行为与磁极
DC操作参数T
A
= -40 ℃至150℃ ,V
DD
= 3.5V至24V (除非另有说明)
参数
测试条件( SE )
南极
B > B
OP
空或弱磁场
B 0或B < B
RP
北极
B > B
OP
表5 :输出行为与磁极
OUT ( SE ) OUT ( UA )
o
o
北极
南极
OUT =低(V
DSON
)
UA封装
OUT =低(V
DSON
)
SE包
3901005881
修订版007
第11 4
数据表
Feb/06
US5881
单极霍尔开关 - 低灵敏度
9详细概述
基于混合信号CMOS技术, Melexis的US5881是一个霍尔效应器件具有低的磁
敏感性。其灵敏度能高精度地在位置感测通过使用小的空气间隙。
在斩波稳定放大器采用开关电容技术来抑制偏移一般观察
霍尔传感器和放大器。该CMOS技术使得这种先进的技术可以和
有助于更小的芯片尺寸和更低的功耗比双极技术。小芯片尺寸是
也是一个重要因素,以最小化物理应力的效果。
这种组合导致了更稳定的磁特性和实现了更快,更精确的设计。
从3.5V的宽工作电压至24V, “L”和“E”的工作温度范围和低的电流
消费使该器件特别适用于汽车固态开关应用。
的输出信号是开漏型。这样的输出可以与TTL或CMOS逻辑简单的连接使用
一个上拉电阻的上拉电压和器件的输出之间并列。
10个独特的特点
在US5881具有磁单极开关特性。因此,它的操作只与一个
磁极。
在UA封装南极活动:
应用磁南极比B更高
OP
面对
包装的品牌侧开关输出低电平。
在SE封装北极活动:
应用磁北极比B更高
OP
面对
包装的品牌侧开关输出低电平。
去除磁场(B → 0 )切换输出高电平。
面对品牌侧利用相反磁极的
不影响输出状态。
单极开关特性
磁滞B
HYST
保持B
OP
和B
RP
由一个极小值分开。这种滞后防止
输出振荡接近的切换点。
3901005881
修订版007
第11个5
数据表
Feb/06
US5881
CMOS多功能开关
特点和优点
斩波稳定放大器级
新的微型封装/超薄,高可靠性封装
操作降到3.5V
CMOS最佳的稳定性,质量和成本
应用
固态开关
限位开关
电流限制
断续器
电流检测
订购信息
产品型号
US5881
US5881
温度后缀
温度范围
E
SO或UA
-40
o
C至85
o
C扩展
L
SO或UA
-40
o
C至150
o
C汽车
*联系工厂或销售代表的传统的温度选择
工作原理图
描述
该US5881是一个单极霍尔效应传感器IC FAB-
从混合信号CMOS技术ricated 。它IN-
公司债券先进的斩波稳定技
niques提供准确而稳定的磁
开关点。有许多应用程序为这个
传感器除了上面列出的那些。 DE-的
标志,规格和性能已经
对于固态开关应用进行了优化。
输出晶体管将B上(B切换
OP
)在
e
足够强的南磁极的存在
磁场面向封装的侧面明显
年龄。类似地,输出将被关闭(乙
RP
)
在一个较弱的南场的存在,并保持
断为“0”字段。采用SOT -23器件逆转
从UA封装。采用SOT -23输出晶体管
器将在(B切换
OP
)中的一个存在
足够强的北极磁场分
遭离弃到标记的面。
V
DD
产量
电压
调节器
断路器
GND
UA封装
引脚1 - V
D D
引脚2 - GND
引脚3 - 输出
SO封装
引脚1 - V
D D
2脚 - 输出
引脚3 - GND
注意:
这是一个静态感应装置;请遵守ESD precau -
系统蒸发散。倒V
DD
保护不被包括在内。对于反向电压
保护,串联伏100Ωresistor
DD
值得推荐。
US5881 CMOS多功能开关
3901005881版本5.0
24/July/01
第1页
US5881
CMOS多功能开关
US5881电气规格
参数
电源电压
电源电流
饱和电压
输出漏
输出上升时间
输出下降时间
符号测试条件
V
DD
操作
I
DD
V
DS ( ON)
I
关闭
t
r
t
f
B<B
RP
I
OUT
= 20毫安, B>B
OP
B<B
RP
, V
OUT
= 20V
V
DD
= 12V ,R
L
= 1.1kΩ ,C
L
= 20pF的
V
DD
= 12V ,R
L
= 1.1kΩ ,C
L
= 20pF的
3.5
1.5
典型值
2.5
0.4
0.01
0.04
0.18
最大
24
4.0
0.5
5.0
单位
V
mA
V
ìA
ìs
ìs
US5881磁规格
参数
工作点
3
放点
迟滞
符号测试条件
B
OP
B
RP
B
HYS
15
9.5
2.0
典型值
25
20
4.3
最大
30
-
5.5
单位
mT
mT
mT
注意事项:
1.1 MT = 10高斯。
2. SOT-23装置从UA包逆转。采用SOT -23输出晶体管将被切换
上(BOP)在足够强的北极磁场的存在下进行的
markedface 。
3.在-40℃ ,最高B
OP
= 35公吨。
绝对最大额定值
电源电压(工作) ,V
DD
电源电流(故障) ,我
DD
输出电压V
OUT
输出电流(故障) ,我
OUT
功耗,P
D
工作温度范围,T
A
存储温度范围,T
S
最高结温,T
J
ESD敏感度(所有引脚)
24V
50mA
24V
50mA
100mW
-40 ° C至150℃
-65 ℃150 ℃的
175°C
+/- 4kV的
迈来芯公司保留随时更改,恕不另行通知以下所有产品在提高可靠性,功能或设计的权利。迈来芯做
不承担因使用本文所述的任何产品或电路的任何产品或应用而产生的任何责任。
US5881 CMOS多功能开关
3901005881版本5.0
24/July/01
第2页
US5881
CMOS多功能开关
性能图
典型的磁开关点
典型的磁开关点
与电源电压
电源电压
35
典型的磁开关点
与温度的关系
35
5881
5881
B
OP
30
磁通密度(MT )
30
B
OP
25
25
磁通密度(MT )
B
RP
20
B
RP
20
15
10
15
5
B
HYS
10
0
5
10
15
20
25
0
-40
0
40
80
120
150
电源电压( V)
温度(℃ )
最低&最大磁
开关范围与温度
35
输出电压
输出电压与磁通密度
通量密度
30
5881
5881
B
OP
最大
30
磁通密度(MT )
24
V
DD
B
OP
输出电压(V)
25
18
20
12
15
6
10
B
RP
V
OUT
B
RP
5
-40
0
40
80
120
160
0
-20
-10
0
10
20
30
40
温度(℃ )
磁通密度(MT )
US5881 CMOS多功能开关
3901005881版本5.0
24/July/01
第3页
US5881
CMOS多功能开关
性能图
典型电源电流
电源电压
5
典型的饱和电压
温度
V
DD
= 12 V,I
OUT
= 20mA下
5881
500
5881
4
T
A
=
-40
o
C
400
V
DS ( ON)
电源电流(mA )
3
T
A
=
25
o
C
V
DS ( ON)
(毫伏)
20
25
30
300
2
T
A
=
125
o
C
200
1
100
0
0
5
10
15
0
-40
0
40
80
120
160
200
电源电压( V)
温度(
o
C)
功耗
温度
500
波峰焊参数
所有器件
所有器件
280
封装功耗( MW)
400
260
300
焊接温度(
o
C)
200
UA封装
R
θ
JA
=206
o
C / W
240
200
220
100
SO封装
R
θJA
=575
o
C / W
0
-40
0
40
80
120
160
200
0
5
10
15
20
25
30
温度
(
o
C)
时间波峰焊(秒)
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US5881
CMOS多功能开关
独特的功能
CMOS霍尔IC技术
在斩波稳定放大器采用开关钙
pacitor技术来消除放大器的失调
电压,其中,在双极型器件,是一个主要来源
对温度敏感的漂移。 CMOS使得这AD-
vanced技术成为可能。
CMOS芯片也比双极小得多
芯片,使非常复杂的电路是
放置在更小的空间。小芯片尺寸也contrib-
茨降低身体的压力和更少的功率变
消费。
应用点评
如果反向电源保护需要,可以使用一个电阻
在一系列与V
DD
引脚。该电阻将限制
电源电流(故障) ,我
DD
,到50毫安。对于严重
EMC的条件下,使用下面的应用电路。
安装
考虑霍尔IC的温度系数,
磁性元件,以及空气间隙的续航时间的变化。转播
服务期间,波峰焊温度限制。
应用实例
两线制电流可选
偏置电路
V
V
DD
D1
Z1
C1
供应
电压
4.7 nF的
R
L
1.2K
OUT
C2
4.7nF
VSS
汽车及严重
环境的保护电路
R
1
100
DD
I
IN
I
DD
R
L
IOUT
霍尔IC
R
b
HALL
IC
该电阻器R
b
和R
L
可用于偏置输入电流,我
IN
。请参阅
部分规格的限制值。该电路将在得到帮助
精确的ON和OFF电流的期望。
B
RP
= Ioff = (V
DD
/ RB + I
DD
)
B
OP
= =离子(的Ioff + V
DD
/ R
L
)
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