UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UT4232
初步
功率MOSFET
N沟道增强
MODE POWER MOSFET
描述
该
UT4232
UTC采用先进技术提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和能与低闸操作
电压。此装置适用于应用,如高侧
DC / DC转换器,笔记本电脑和服务器。
特点
* V
DS
(V)=30V
* I
D
= 7A (V
GS
= 10V)
* R
DS ( ON)
<22m@V
GS
=10V
* R
DS ( ON)
<32m@V
GS
=4.5V
*无卤
符号
订购信息
订购数量
UT4232G-S08-R
包
SOP-8
填料
带盘
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2009 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-337.a
UT4232
引脚配置
初步
功率MOSFET
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QW-R502-337.a
UT4232
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流( TA = 25 ℃) (注2 )
I
D
7.8
A
漏电流脉冲(注3 )
I
DM
30
A
功耗( TA = 25 ° C)
2
W
P
D
减免上述Ta>25 ℃,
0.016
W / ℃,
结温
T
J
+150
°C
结温和存储温度范围
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注: 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.表面安装1
2
FR4板, t≤10sec铜垫;安装在最小的时候135 ° C / W
3.脉冲宽度限制T
J(下最大)
热数据
参数
符号
民
典型值
最大
结到环境
θ
JA
62.5
2
注:表面安装在1 FR4板, t≤10sec铜垫;安装在最小的时候135 ° C / W
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
符号
BV
DSS
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
=250 A
民
30
0.02
1
±100
1
3
22
32
720
230
200
10
7
22
8
13
3
9
1150
典型值
最大单位
V
V /°C的
A
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
ΔBV
DSS
/ΔT
J
参考至25℃ ,我
D
=1mA
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
V
DS
=30 V,V
GS
=0 V
V
GS
=±20 V, V
DS
=0 V
V
S
= V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 10 V,I
D
=7 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
=5 A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0 V , F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D(上)
V
GS
=10V,V
DS
= 15V ,R
D
=15,
开启上升时间
t
R
R
G
=3.3, I
D
=1 A
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=4.5 V, V
DS
= 24 V,I
D
=7 A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 1.7 A,V
GS
=0 V
反向恢复时间
t
RR
I
S
= 7 A,V
GS
= 0 V ,的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
21
1.2
16
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QW-R502-337.a
UT4232
初步
功率MOSFET
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其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠,可恕不另行通知。
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