UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4101
P沟道
增强型
描述
在UTC
UT4101
是P沟道增强型功率
MOSFET ，设计了高密度的细胞，具有开关速度快，
低导通电阻，优异的热和电性能和
操作与低栅极电压。
这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT4101L-AE2-R
UT4101G-AE2-R
UT4101L-AE3-R
UT4101G-AE3-R
包
SOT-23-3
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
S
G
D
填料
带盘
带盘
记号
41A
L：无铅
G：无卤
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2010 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-164.C
UT4101
绝对最大额定值
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
等级
单位
漏源电压
V
DS
-20
V
栅源电压
V
GS
±8.0
V
连续漏电流（注3 ）
I
D
-2.4
A
漏电流脉冲（注1,2 ）
I
DM
-7.5
A
功耗
P
D
1.25
W
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
符号
民
典型值
最大
100
单位
℃/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻（注2 ）
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
栅极电荷
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=-250A
V
DS
=-16 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±8.0 V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
=-1.6 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
=-1.3 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
=-0.9 A
V
DS
=-10
f=1MHz
V,
V
GS
=0V,
-0.40 -0.72
70
90
112
675
100
75
7.5
12.6
30.2
21.0
7.5
1.2
2.2
-0.82
-1.2
-2.4
12.8
1008
15
8.5
nC
民
-20
-1.0
±100
-1.5
85
120
210
典型值
最大单位
V
A
nA
V
m
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
pF
V
GS
=-4.5V,V
DS
=-10V,R
G
=6.0
,
I
D
=-1.6A
V
DS
=-10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
=-1.6A
ns
门源电荷
Q
GS
V
DS
= -10 V，I
D
=-1.6A
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
=-2.4 A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
V
GS
= 0V ，二
SD
/dt=100A/μs,
反向恢复时间
t
RR
I
S
=-1.6A
反向恢复电荷
Q
RR
注：1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
V
A
ns
nC
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QW-R502-164.C
UT4101
漏极至源极电阻
（归一化）中，R
DS （ ON）
漏极至源极开 -
电阻R
DS （ ON）
(mΩ)
漏电流， -I
D
(A)
典型特征
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漏极至源极开 -
电阻R
DS （ ON）
(mΩ)
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漏电流， -I
D
(A)
漏， -I
DSS
（ nA的）
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功率MOSFET
QW-R502-164.C
UT4101
典型特征（续）
功率MOSFET
栅极 - 源极电压， -V
GS
(V)
漏极至源极电压， -V
DS
(V)
电容C （PF ）
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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源极电流， -I
S
(A)
时间t （ NS ）
4 4
QW-R502-164.C
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