UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UT136N03
初步
功率MOSFET
N沟道
增强型
描述
该
UT136N03
采用先进沟道技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作
低栅极电压。此装置适合于用作负载
开关或PWM应用。
特点
* V
DS
(V)= 30 V
* I
D
=136 A
* R
DS ( ON)
= 4.5mΩ@V
GS
=10 V
* R
DS ( ON)
= 5.6mΩ@V
GS
=4.5 V
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT136N03L-TA3-R
UT136N03G-TA3-T
UT136N03L-TQ2-T
UT136N03G-TQ2-T
UT136N03L-TQ2-R
UT136N03G-TQ2-R
包
TO-220
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
带盘
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QW-R502-459.a
2010 Unisonic技术有限公司
UT136N03
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
136
A
漏电流脉冲(注1)
I
DM
400
A
单脉冲雪崩能量(注4 )
E
AS
875
mJ
功耗
P
D
100
W
结温
T
J
+175
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +175
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
1.4
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(Note2)
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
=250 A
V
DS
=30 V,V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 10 V,I
D
=40 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
=40 A
民
30
1
±100
1
3.6
3
4.5
5.6
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
m
动力参数
(Note3)
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
(Note3)
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 5V ,我
D
=16A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D(上)
开启上升时间
t
R
V
DD
= 15V ,我
D
= 1A ,R
根
=6
V
GS
=10 V
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 20 A,V
GS
=0 V
漏源二极管的正向电流
I
S
注:1,脉冲宽度有限的最高结温
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
3.设计保证,不受生产测试。
4, L = 0.5mH ,我
AS
= 35A ,V
DD
= 25V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
= 25°C.
3800
800
600
60
20.8
22
25.7
10
128
34
72
pF
nC
50
20
200
70
1.5
90
ns
V
A
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UT136N03
测试电路和波形
初步
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
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