UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT2321
p沟道增强
模式场效应
晶体管
描述
该
UT2321
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
<55mΩ @V
GS
=-4.5V
* R
DS （ ON）
<80mΩ @V
GS
=-2.5V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT2321L-AE3-R
UT2321G-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
231
L：无铅
G：无卤
1 4
QW-R502-249.D
www.unisonic.com.tw
2009 Unisonic技术有限公司
UT2321
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-20
V
栅源电压
V
GSS
±12
V
连续漏电流（注2 ）
I
D
-3.8
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
-15.2
A
功耗
P
D
1.25
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
民
典型值
最大
100
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
前锋
栅极 - 源极漏电流
反向
基本特征（注）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
=12V, V
DS
=0V
V
GS
=-12V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.4A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
民
-20
-1
100
-100
-0.4
45
65
1500
270
185
14.8
2.8
4.4
13
8
65
29
19
-1.0
55
80
典型值
最大单位
V
A
nA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-10 V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=-10V, V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.4A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= -10V ，我
D
= -1A ，V
GS
=-4.5V,
R
根
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
漏源二极管的特性和最大额定值
二极管的正向电压（注）
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
=-0.42A
最大体二极管连续
I
S
当前
注：脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％ 。
24
24
256
72
-1.2
-0.42
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R502-249.D
UT2321
典型特征
功率MOSFET
漏电流，我
D
(A)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R502-249.D
UT2321
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R502-249.D
QQ：2881677436 复制
