UTRON
修订版1.1
256K x 16位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT62L25616 （ I）是4,194,304位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器组织成
262,144字由16位。
该UT62L25616 （ I）从单一的2.7V工作
3.6V的电源和所有输入和输出都充分
TTL兼容。
该UT62L25616 （ I）是专为低功耗系统
应用程序。它特别适合于在使用中
高密度的高速系统的应用程序。
UT62L25616(I)
特点
快速访问时间： 55/70/100 NS
CMOS低功耗运行
工作电流45 /35 / 25毫安（ICC最大值）
待机电流： 20微安（典型值）， L-版
3微安（典型值）， LL-版
单2.7V 3.6V电源
工作温度：
工业： -40
℃
~85
℃
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （最小值）
数据字节的控制：
LB
(I/O1~I/O8)
UB （ I / O9 I / O16 ）
封装： 44引脚400mil TSOP
Ⅱ
48引脚6mm × 8毫米TFBGA
引脚说明
符号
A0 - A17
I / O1 - I / O16
CE
WE
OE
LB
UB
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
无连接
功能框图
A0
A1
A2
A3
A4
A8
A13
A14
A15
A16
A17
I/O1
I/O16
ROW
解码器
.
存储阵列
VCC
VSS
.
.
2048行×128列×16位
.
.
.
.
I / O
控制
.
.
.
.
.
.
.
.
列I / O
CE
WE
OE
逻辑
控制
列解码器
LB
UB
A9 A10 A11 A12 A5 A6 A7
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80054
1
UTRON
修订版1.1
256K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L25616(I)
引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
1
2
3
4
44
43
42
41
A5
A6
A7
OE
UB
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I/O9
I/O10
OE
UB
I/O11
I/O12
I/O13
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
NC
I/O1
I/O3
VCC
VSS
I/O7
I/O8
NC
UT62L25616(I)
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
A12
VSS
VCC
I/O15
I/O16
I/O14
NC
A8
WE
A11
NC
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
TFBGA
TSOP II
真值表
模式
待机
产量
关闭
读
CE
OE
X
X
H
X
L
L
L
X
X
X
WE
LB
UB
X
H
X
H
H
L
L
H
L
L
写
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
H
X
H
H
H
L
L
L
X
H
X
H
L
H
L
L
H
L
I / O操作
I/O1-I/O8
I/O9-I/O16
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
高 - z
D
IN
D
IN
D
IN
电源电流
I
SB
, I
SB1
I
SB
, I
SB1
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
注意：
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
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1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
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修订版1.1
256K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L25616(I)
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
产业
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5到4.6
-40到85
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = -40
℃
85
℃
(I))
参数
符号
测试条件
电源电压
V
CC
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
输出漏电流
I
LO
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC;
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2.1毫安
工作电源
I
CC
循环时间=分钟，100％占空比，
电源电流
I / O = 0毫安， CE = V
IL
;
平均手术
当前
Icc1
Icc2
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
I
SB
I
SB1
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
2.7 3.0
3.6
V
2.0
-
V
CC
+0.3
V
-0.2
-
0.6
V
-1
-
1
A
-1
-
1
A
2.2
-
-
V
-
-
0.4
V
55 -
30
45
mA
70 -
25
35
mA
100 -
20
25
mA
-
4
5
mA
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税， I / O = 0毫安，
CE
≦
0.2V ，其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
周期时间= 500ns的， 100 ％的关税， I / O = 0毫安，
-
8
10
mA
CE
≦
0.2V ，其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
-
0.3
0.5
mA
CE = V
IH ，
其它引脚= V
IL
或V
IH
,
CE = V
CC
-0.2V,
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
-L
-LL
-
-
20
3
80
25
A
A
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256K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L25616(I)
电容
(TA=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 30pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 2.1毫安
AC电气特性
（ VCC = 2.7V 3.6V ， TA = -40
℃
85
℃
(I))
（ 1 ）读周期
符号UT62L25616 （ I） -55 UT62L25616 （ I） -70 UT62L25616 （ I） -100单位
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
读周期时间
t
RC
55
-
70
-
100
-
ns
地址访问时间
t
AA
-
55
-
70
-
100
ns
芯片使能存取时间
t
ACE
-
55
-
70
-
100
ns
输出启用访问时间
t
OE
-
30
-
35
-
50
ns
芯片使能在低Z输出
t
CLZ *
10
-
10
-
10
-
ns
输出使能到输出中低Z
t
OLZ *
5
-
5
-
5
-
ns
芯片禁用高Z输出
t
CHZ *
-
20
-
25
-
30
ns
输出禁止到输出中高Z
t
OHZ *
-
20
-
25
-
30
ns
从地址变更输出保持
t
OH
5
-
5
-
5
-
ns
t
BA
-
55
-
70
-
100
ns
LB
,
UB
存取时间
t
HZB
-
25
-
30
-
40
ns
LB
,
UB
到输出高阻态
t
LZB
0
-
0
-
0
-
ns
LB
,
UB
以低Z输出
（ 2 ）写周期
符号UT62L25616 （ I） -55 UT62L25616 （ I） -70 UT62L25616 （ I） -100单位
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
写周期时间
t
WC
55
-
70
-
100
-
ns
地址有效到写结束
t
AW
50
-
60
-
80
-
ns
芯片使能写操作的结束
t
CW
50
-
60
-
80
-
ns
地址建立时间
t
AS
0
-
0
-
0
-
ns
把脉冲宽度
t
WP
45
-
55
-
70
-
ns
写恢复时间
t
WR
0
-
0
-
0
-
ns
数据写入时间重叠
t
DW
25
-
30
-
40
-
ns
从写入时间结束数据保持
t
DH
0
-
0
-
0
-
ns
输出写入结束活动
t
OW *
5
-
5
-
5
-
ns
写在高Z输出
t
WHZ *
-
30
-
30
-
40
ns
t
BW
45
-
60
-
80
-
ns
LB
,
UB
有效到结束写入的
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
参数
参数
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1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
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修订版1.1
256K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L25616(I)
时序波形
读周期1
（地址控制）
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
地址
RC
CE
t
AA
t
ACE
t
t
BA
LB ， UB
BLZ
OE
t
t
DOUT
高-Z
CLZ
OE
t
t
t
OH
CHZ
OHZ
t
OLZ
高-Z
数据有效
t
BHZ
注意事项：
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择CE = V
IL 。
1.
3.地址必须是之前还是一致通过CE过渡有效;否则吨
AA
是限制参数。
4. OE为低。
5. t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±500mV
从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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修订版1.1
256K x 16位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT62L25616 （ I）是4,194,304位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器组织成
262,144字由16位。
该UT62L25616 （ I）从单一的2.7V工作
3.6V的电源和所有输入和输出都充分
TTL兼容。
该UT62L25616 （ I）是专为低功耗系统
应用程序。它特别适合于在使用中
高密度的高速系统的应用程序。
UT62L25616(I)
特点
快速访问时间： 55/70/100 NS
CMOS低功耗运行
工作电流45 /35 / 25毫安（ICC最大值）
待机电流： 20微安（典型值）， L-版
3微安（典型值）， LL-版
单2.7V 3.6V电源
工作温度：
工业： -40
℃
~85
℃
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （最小值）
数据字节的控制：
LB
(I/O1~I/O8)
UB （ I / O9 I / O16 ）
封装： 44引脚400mil TSOP
Ⅱ
48引脚6mm × 8毫米TFBGA
引脚说明
符号
A0 - A17
I / O1 - I / O16
CE
WE
OE
LB
UB
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
无连接
功能框图
A0
A1
A2
A3
A4
A8
A13
A14
A15
A16
A17
I/O1
I/O16
ROW
解码器
.
存储阵列
VCC
VSS
.
.
2048行×128列×16位
.
.
.
.
I / O
控制
.
.
.
.
.
.
.
.
列I / O
CE
WE
OE
逻辑
控制
列解码器
LB
UB
A9 A10 A11 A12 A5 A6 A7
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修订版1.1
256K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L25616(I)
引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
1
2
3
4
44
43
42
41
A5
A6
A7
OE
UB
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I/O9
I/O10
OE
UB
I/O11
I/O12
I/O13
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
NC
I/O1
I/O3
VCC
VSS
I/O7
I/O8
NC
UT62L25616(I)
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
A12
VSS
VCC
I/O15
I/O16
I/O14
NC
A8
WE
A11
NC
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
TFBGA
TSOP II
真值表
模式
待机
产量
关闭
读
CE
OE
X
X
H
X
L
L
L
X
X
X
WE
LB
UB
X
H
X
H
H
L
L
H
L
L
写
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
H
X
H
H
H
L
L
L
X
H
X
H
L
H
L
L
H
L
I / O操作
I/O1-I/O8
I/O9-I/O16
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
高 - z
D
IN
D
IN
D
IN
电源电流
I
SB
, I
SB1
I
SB
, I
SB1
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
注意：
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
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256K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L25616(I)
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
产业
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5到4.6
-40到85
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = -40
℃
85
℃
(I))
参数
符号
测试条件
电源电压
V
CC
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
输出漏电流
I
LO
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC;
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2.1毫安
工作电源
I
CC
循环时间=分钟，100％占空比，
电源电流
I / O = 0毫安， CE = V
IL
;
平均手术
当前
Icc1
Icc2
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
I
SB
I
SB1
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
2.7 3.0
3.6
V
2.0
-
V
CC
+0.3
V
-0.2
-
0.6
V
-1
-
1
A
-1
-
1
A
2.2
-
-
V
-
-
0.4
V
55 -
30
45
mA
70 -
25
35
mA
100 -
20
25
mA
-
4
5
mA
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税， I / O = 0毫安，
CE
≦
0.2V ，其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
周期时间= 500ns的， 100 ％的关税， I / O = 0毫安，
-
8
10
mA
CE
≦
0.2V ，其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
-
0.3
0.5
mA
CE = V
IH ，
其它引脚= V
IL
或V
IH
,
CE = V
CC
-0.2V,
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
-L
-LL
-
-
20
3
80
25
A
A
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1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
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UTRON
修订版1.1
256K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L25616(I)
电容
(TA=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 30pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 2.1毫安
AC电气特性
（ VCC = 2.7V 3.6V ， TA = -40
℃
85
℃
(I))
（ 1 ）读周期
符号UT62L25616 （ I） -55 UT62L25616 （ I） -70 UT62L25616 （ I） -100单位
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
读周期时间
t
RC
55
-
70
-
100
-
ns
地址访问时间
t
AA
-
55
-
70
-
100
ns
芯片使能存取时间
t
ACE
-
55
-
70
-
100
ns
输出启用访问时间
t
OE
-
30
-
35
-
50
ns
芯片使能在低Z输出
t
CLZ *
10
-
10
-
10
-
ns
输出使能到输出中低Z
t
OLZ *
5
-
5
-
5
-
ns
芯片禁用高Z输出
t
CHZ *
-
20
-
25
-
30
ns
输出禁止到输出中高Z
t
OHZ *
-
20
-
25
-
30
ns
从地址变更输出保持
t
OH
5
-
5
-
5
-
ns
t
BA
-
55
-
70
-
100
ns
LB
,
UB
存取时间
t
HZB
-
25
-
30
-
40
ns
LB
,
UB
到输出高阻态
t
LZB
0
-
0
-
0
-
ns
LB
,
UB
以低Z输出
（ 2 ）写周期
符号UT62L25616 （ I） -55 UT62L25616 （ I） -70 UT62L25616 （ I） -100单位
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
写周期时间
t
WC
55
-
70
-
100
-
ns
地址有效到写结束
t
AW
50
-
60
-
80
-
ns
芯片使能写操作的结束
t
CW
50
-
60
-
80
-
ns
地址建立时间
t
AS
0
-
0
-
0
-
ns
把脉冲宽度
t
WP
45
-
55
-
70
-
ns
写恢复时间
t
WR
0
-
0
-
0
-
ns
数据写入时间重叠
t
DW
25
-
30
-
40
-
ns
从写入时间结束数据保持
t
DH
0
-
0
-
0
-
ns
输出写入结束活动
t
OW *
5
-
5
-
5
-
ns
写在高Z输出
t
WHZ *
-
30
-
30
-
40
ns
t
BW
45
-
60
-
80
-
ns
LB
,
UB
有效到结束写入的
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
参数
参数
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256K x 16位低功耗CMOS SRAM
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时序波形
读周期1
（地址控制）
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
地址
RC
CE
t
AA
t
ACE
t
t
BA
LB ， UB
BLZ
OE
t
t
DOUT
高-Z
CLZ
OE
t
t
t
OH
CHZ
OHZ
t
OLZ
高-Z
数据有效
t
BHZ
注意事项：
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择CE = V
IL 。
1.
3.地址必须是之前还是一致通过CE过渡有效;否则吨
AA
是限制参数。
4. OE为低。
5. t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±500mV
从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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