8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
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传真： （ 480 ） 947-1503
USB50403
THRU
USB50424
说明（500瓦特）的
这4针1线
单向
超低电容
阵列
在需要从董事会层面保护应用设计使用
因静电放电（ ESD ）所定义的电压瞬变
通过IEC 1000-4-2 ，电快速符合IEC 1000-4-4瞬变（ EFT ）和
二次雷电的影响。
这些阵列可用于保护1离散利用线引脚（1,4信号
和2,3-接地）。该S0T - 143产品提供板级保护
静电等引起的浪涌电压，可
损坏敏感电路。
这些瞬态电压抑制器（ TVS）二极管阵列保护3.3伏组件，如
DRAM的， SRAM的， CMOS ， HCMOS ， HSIC和低电压接口多达24Volts 。
TVSarray 系列
特点
3.3保护起来，通过24V的组件
保护1号线双向
提供电隔离保护
SOT -143封装
超低电容3 pF的
机械
模压SOT -143表面贴装
重量： 0.035克（近似值）
机身打上标记设备
CODE
针＃1 DOT之上定义
包
最大额定值
工作温度： -55 ℃ + 150℃
存储温度： -55
0
C至+150
0
C
峰值脉冲功率： 500瓦（ 8/20
微秒，
图1）
脉冲重复率： <.01 ％
0
0
包装
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
7寸盘3000件
电气特性@ 25
0
C除非另有说明
站
关闭
电压
V
WM
伏
最大
USB50403
USB50405
USB50412
USB50415
USB50424
AA
AB
AC
AD
AE
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
8
10.8
19
25
44
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
（图2）
伏
最大
11
13
26
32
57
站在关
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
20
1
1
1
电容
中（f = 1 MHz）的
@0V
C
pF
最大
3
3
3
3
3
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
1
8
11
28
部分
数
设备
记号
注意：
瞬态电压抑制（ TVS ）产品通常是基于其关断电压选择
V
WM
。产品选择的电压应该等于或大于连续峰值工作电压
所述要保护的电路。
MSC1372.PDF
ISO 9001认证
修订版D 2000年9月19日
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