EMD6 / UMD6N / IMD6A
晶体管
通用
（双数字晶体管）
EMD6 / UMD6N / IMD6A
!
特点
1）无论是DTA143T芯片和DTC143T芯片中的EMT的
或者城市轨道交通或SMT封装。
2 ）安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 ）晶体管元件是独立的，从而消除
干扰。
4 ）安装成本和面积可减少一半。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMD6
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： EMT6
缩写符号： D6
!
结构
一个PNP和NPN数字晶体管
（每个内置电阻单）
(4)
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.9
(3)
EMD6N
0.2
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
2.0
(6)
(5)
1.25
2.1
以下特性同时适用于DTR
1
和
DTR
2
然而，该“
”
签署DTR
2
对于PNP值
型已被省略。
0.15
0.1Min.
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
缩写符号： D6
!
等效电路
EMD6 / UMD6N
(3) (2)
R
1
(1)
IMD6A
IMD6A
(5)
(2)
(4) (5)
R
1
0.3
(6)
(6)
(4)
DTR
1
DTR
2
R
1
=4.7k
(4)
R
1
(5)
DTR
2
R
1
(2)
DTR
1
1.6
0.15
(6)
(3)
R
1
=4.7k
(1)
2.8
0.3to0.6
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
收藏家EMD6 ， UMD6N
动力
散热IMD6A
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
150
55+150
C
C
单位
V
V
V
mA
mW
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
缩写符号： D6
1
2
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
(3)
(1)
(1)
(2)
UMD6N
公司Bauelemente
双NPN + PNP数字晶体管
（内置电阻）
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
DTA143T （ PNP ）和DTC143T （ NPN ）晶体管
是内置的一个包。
晶体管元件是独立的，从而消除
干扰。
安装成本和面积可减少一半。
SOT-363
A
E
L
等效电路
F
DG
B
C
K
H
J
REF 。
A
B
C
D
E
F
MARKING：D6
毫米
分钟。
马克斯。
2.00
2.20
2.15
2.45
1.15
1.35
0.90
1.10
1.20
1.40
0.15
0.35
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.15
8°
0.650典型。
绝对最大额定值在Ta = 25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结&储存温度
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
价值
50
50
5
100
150
150, -55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
绝对最大额定值和电气特性在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输入阻抗
跃迁频率
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
分钟。
50
50
5
-
-
-
100
3.29
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
4.7
250
马克斯。
-
-
-
0.5
0.5
0.3
600
6.11
-
单位
V
V
A
A
V
测试条件
I
C
= 50A
I
C
= 1毫安
I
E
= 50A
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
K
兆赫
V
CE
= 10V ，我
E
= -5mA ，
f=100MHz
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
30月- 2010版本A
第1页2
UMD6N
公司Bauelemente
双NPN + PNP数字晶体管
（内置电阻）
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
30月- 2010版本A
第2页2
UMD6N
数字晶体管（ NPN + PNP ）
SOT-363
特点
DTA143T （PNP）和DTC143T （NPN）晶体管被内置在一个包中。
晶体管元件是独立的，从而消除干扰。
安装成本和面积可减少一半。
外部电路
1
标记： D6
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
集电极 - 基
发射极 - 基
电压
电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（Ta = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输入阻抗
跃迁频率
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
100
3.29
4.7
250
分钟。
50
50
5
0.5
0.5
0.3
600
6.11
K
兆赫
V
CE
= 10V ，我
E
=-5mA,f=100MHz
典型值
马克斯。
单位
V
V
V
μA
μA
V
I
C
=50μA
I
C
=1mA
I
E
=50μA
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
=5mA,I
B
=0.25mA
V
CE
=5V,I
C
=1mA
条件
1
金隅
半导体
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日期：2011年/ 05
EMD6 / UMD6N / IMD6A
lAbsolute
最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度范围
EMD6 / UMD6N
IMD6A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*2
数据表
DTr1(NPN)
50
50
5
100
DTr2(PNP)
-50
-50
-5
-100
*4
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
150 （ TOTAL ）
*3
300 （ TOTAL ）
150
-55
to
+150
T
j
T
英镑
lElectrical
特性（Ta
= 25 ° C） <For DTR1 （ NPN ） >
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T *1
条件
I
C
= 50毫安
I
C
= 1毫安
I
E
= 50毫安
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
/ I
B
= 5毫安/ 0.25毫安
分钟。
50
50
5
-
-
-
100
3.29
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
300
4.7
250
马克斯。
-
-
-
500
500
300
600
6.11
-
单位
V
nA
nA
mV
-
-
兆赫
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输入阻抗
跃迁频率
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
-
V
CE
= 10V ，我
E
=
-5mA
F = 100MHz的
lElectrical
特性（Ta
= 25 ° C） <For DTr2 （ PNP ） >
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
*1
条件
I
C
=
-50mA
I
C
=
-1mA
I
E
=
-50mA
V
CB
=
-50V
V
EB
=
-4V
I
C
/ I
B
=
-5mA
/
-0.25mA
分钟。
-50
-50
-5
-
-
-
100
3.29
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
300
4.7
250
马克斯。
-
-
-
-500
-500
-300
600
6.11
-
单位
V
nA
nA
mV
-
-
兆赫
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输入阻抗
跃迁频率
V
CE
=
-5V,
I
C
=
-1mA
-
V
CE
=
-10V,
I
E
= 5毫安
F = 100MHz的
*内置晶体管的特性1
* 2每个终端安装在参考足迹
*每个单元3 120MW不得超过。
*每单元4 200mW的不得超过。
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2013 ROHM有限公司保留所有权利。
2/7
2013.05 - Rev.B的
EMD6 / UMD6N / IMD6A
lElectrical
特性曲线（大
= 25 ° C） <For DTR1 （ NPN ） >
数据表
10
图1发射极接地传播
特征
V
CE
=5V
图2接地发射极输出
特征
100
Ta=25C
I
B
= 500μA
450μA
400μA
350μA
300μA
集电极电流：我
C
[马]
集电极电流：我
C
[马]
1
80
60
250μA
200μA
0.1
Ta=100C
25C
-40C
40
150μA
100μA
0.01
20
50μA
0A
0.001
0
0.5
1
1.5
2
0
0
5
10
基地发射极电压： V
BE
[V]
集电极到发射极
电压： V
CE
[V]
图3直流电流增益
与集电极电流
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
集电极饱和
电压： V
CE （ SAT ）
[V]
直流电流增益：H
FE
集电极电流：我
C
[A]
集电极电流：我
C
[A]
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3/7
2013.05 - Rev.B的
EMD6 / UMD6N / IMD6A
lElectrical
特性曲线（大
= 25 ° C） <For DTr2 （ PNP ） >
数据表
-10
图1发射极接地传播
特征
V
CE
=
-5V
-100
图2接地发射极输出
特征
Ta=25C
I
B
=
-500μA
-450μA
-400μA
-350μA
-300μA
-250μA
集电极电流：我
C
[马]
集电极电流：我
C
[马]
-1
-80
-60
-0.1
Ta=100C
25C
-40C
-40
-200μA
-150μA
-100μA
-50μA
-0.01
-20
-0.001
0
-0.5
-1
-1.5
-2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0A
基地发射极电压： V
BE
[V]
集电极到发射极
电压： V
CE
[V]
图3直流电流增益
与集电极电流
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
集电极饱和
电压： V
CE （ SAT ）
[V]
直流电流增益：H
FE
集电极电流：我
C
[A]
集电极电流：我
C
[A]
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4/7
2013.05 - Rev.B的
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