URSF05G49-1P,URSF05G49-3P,URSF05G49-5P
东芝晶闸管硅平面型
URSF05G49-1P,URSF05G49-3P,URSF05G49-5P
小功率开关和控制
应用
l
重复峰值断态电压： V
DRM
= 400V
重复峰值反向电压： V
RRM
= 400V
l
平均通态电流
: I
T（ AV ）
= 500毫安
l
减少零件和制造的产品数量
的过程，因为内置RGK的，R
GK
=
1k,
2.7kΩ ，一个5.1kΩ （典型值）。
单位：mm
最大额定值
特征
重复峰值断态电压
和重复峰值反向电压
非重复性峰值反向
电压（非Repetitive<5ms ，
TJ = 0 125°C ）
平均通态电流
（半正弦波）
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
符号
V
DRM
V
RRM
V
RSM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
评级
400
单位
V
500
V
500
800
9 （ 50赫兹）
10 （ 60赫兹）
0.4
10
0.1
0.01
3.5
5
125
40~125
40~125
mA
mA
A
A S
A / μs的
W
W
V
V
mA
°C
°C
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 0.2克
―
―
135B1A
等效电路
注1 ： di / dt的测试条件
i
G
= 5毫安，T
gw
=10s,
t
gr
≤250ns
1
2001-07-11
URSF05G49-1P,URSF05G49-3P,URSF05G49-5P
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
URSF05G491P
门极触发电流
URSF05G493P
URSF05G495P
URSF05G491P
保持电流
URSF05G493P
URSF05G495P
URSF05G491P
之间的电阻
门极和阴极
URSF05G493P
URSF05G495P
URSF05G491P
临界上升率
断态电压
开启时间
热阻
URSF05G493P
URSF05G495P
t
gt
R
号（j -a）的
V
D
=额定，我
G
= 5毫安
结到环境
dv / dt的
V
DRM
=额定，
指数上升
R
GK
―
I
H
I
TM
= 500毫安，V
D
= 6V
I
GT
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
V
D
= 6V ，R
L
= 100
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
I
TM
= 1A
民
―
―
―
250
100
50
―
―
―
700
1890
3570
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
700
250
160
―
―
―
1000
2700
5100
200
70
40
―
―
最大
10
1.5
0.8
1000
400
250
6
3
2
1300
3510
6630
―
―
―
1.5
70
s
C / W
V / μs的
mA
A
单位
A
V
V
注意：
热阻测试条件
使用0.6 × 30 × 30毫米氧化铝板
标志
数
TYPE
URSF05G491P
标志
PB
PC
PD
*1
URSF05G493P
URSF05G495P
2
2001-07-11
URSF05G49-1P,URSF05G49-3P,URSF05G49-5P
3
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URSF05G49-1P,URSF05G49-3P,URSF05G49-5P
4
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URSF05G49-1P,URSF05G49-3P,URSF05G49-5P
5
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东芝晶闸管硅平面型
URSF05G49-1P,URSF05G49-3P,URSF05G49-5P
小功率开关和控制
应用
l
重复峰值断态电压： V
DRM
= 400V
重复峰值反向电压： V
RRM
= 400V
l
平均通态电流
: I
T（ AV ）
= 500毫安
l
减少零件和制造的产品数量
的过程，因为内置RGK的，R
GK
=
1k,
2.7kΩ ，一个5.1kΩ （典型值）。
单位：mm
最大额定值
特征
重复峰值断态电压
和重复峰值反向电压
非重复性峰值反向
电压（非Repetitive<5ms ，
TJ = 0 125°C ）
平均通态电流
（半正弦波）
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
符号
V
DRM
V
RRM
V
RSM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
评级
400
单位
V
500
V
500
800
9 （ 50赫兹）
10 （ 60赫兹）
0.4
10
0.1
0.01
3.5
5
125
40~125
40~125
mA
mA
A
A S
A / μs的
W
W
V
V
mA
°C
°C
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 0.2克
―
―
135B1A
等效电路
注1 ： di / dt的测试条件
i
G
= 5毫安，T
gw
=10s,
t
gr
≤250ns
1
2001-07-11
URSF05G49-1P,URSF05G49-3P,URSF05G49-5P
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
URSF05G491P
门极触发电流
URSF05G493P
URSF05G495P
URSF05G491P
保持电流
URSF05G493P
URSF05G495P
URSF05G491P
之间的电阻
门极和阴极
URSF05G493P
URSF05G495P
URSF05G491P
临界上升率
断态电压
开启时间
热阻
URSF05G493P
URSF05G495P
t
gt
R
号（j -a）的
V
D
=额定，我
G
= 5毫安
结到环境
dv / dt的
V
DRM
=额定，
指数上升
R
GK
―
I
H
I
TM
= 500毫安，V
D
= 6V
I
GT
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
V
D
= 6V ，R
L
= 100
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
I
TM
= 1A
民
―
―
―
250
100
50
―
―
―
700
1890
3570
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
700
250
160
―
―
―
1000
2700
5100
200
70
40
―
―
最大
10
1.5
0.8
1000
400
250
6
3
2
1300
3510
6630
―
―
―
1.5
70
s
C / W
V / μs的
mA
A
单位
A
V
V
注意：
热阻测试条件
使用0.6 × 30 × 30毫米氧化铝板
标志
数
TYPE
URSF05G491P
标志
PB
PC
PD
*1
URSF05G493P
URSF05G495P
2
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3
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4
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URSF05G49-1P,URSF05G49-3P,URSF05G49-5P
5
2001-07-11
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