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数据表

MOS场效应

PA1763

开关

双N沟道功率MOS FET

工业用

描述

该

PA1763是N沟道MOS场效应晶体管

专为DC / DC转换器。

封装图（单位：mm ）

8

5

1 ： 1来源

2 ： 1门

7,8 ：汲极1

3 ： 2来源

4 ： 2门

5 ，6：排水2

6.0 ±0.3

4.4

+0.10

–0.05

特点

双片式

低导通电阻

R

DS(on)1

= 47.0 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 2.3 A)

R

DS(on)2

= 57.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 2.3 A)

R

DS(on)3

= 66.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 2.3 A)

低输入电容

C

国际空间站

= 870 pF的典型。

内置G -S保护二极管

小型表面贴装封装（ SOP8电）

1.8 MAX 。

5

1

4

5.37最大。

1.44

0.8

0.15

0.05分钟。

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78最大。

0.40

+0.10

–0.05

0.12 M

订购信息

产品型号

包

电源SOP8

PA1763G

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

P

T

I

AS

E

AS

T

ch

T

英镑

60

±20

±4.5

±18

1.7

2.0

4.5

60

150

-55到+ 150

V

A

W

A

mJ

°C

门

保护

二极管

来源

门

体

二极管

等效电路

（ 1/2电路）

漏

总功率耗散（ 1个单位）

总功率耗散（ 2个）

5

单雪崩电流

单雪崩能量

通道温度

储存温度

Note3

5

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1 %

2

2.

T

A

= 25 ℃，安装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板

3.

起始物为

ch

= 25 ° C，R

G

= 25

,

V

GS

= 20 V

→

0 V

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

G14056EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2000年1月NS CP （ K）

日本印刷

商标

5

表示主要修改点。

1999, 2000

PA1763

5

电气特性（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

特征

漏极至源极导通电阻

符号

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

栅极到源截止电压

正向转移导纳

漏极漏电流

门源漏电流

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

I

DSS

I

GSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

测试条件

V

GS

= 10 V，I

D

= 2.3 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 2.3 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 2.3 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 2.3 A

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

I

D

= 2.3 A

V

GS （ ON）

= 10 V

V

DD

= 30 V

R

G

= 10

I

D

= 4.5 A

V

DD

= 48 V

V

GS

= 10 V

I

F

= 4.5 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 4.5 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

870

150

80

11

40

50

12

20

3

5

0.80

30

40

1.5

3.0

分钟。

典型值。

37.0

45.0

49.0

2.0

6.0

10

±10

马克斯。

47.0

57.0

66.0

2.5

单位

m

V

S

A

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

50

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

R

G

= 10

V

GS

R

L

V

DD

I

D

90 %

I

D

V

GS

电波表

0

10 %

V

GS （ ON）

90 %

BV

DSS

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

V

GS

0

τ

= 1

s

占空比

≤

1 %

I

D

电波表

0

10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

10 %

t

f

起始物为

ch

5

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

PG 。

50

R

L

V

DD

2

数据表G14056EJ1V0DS00

PA1763

5

典型特征（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

正向传递特性

100

脉冲

V

DS

= 10 V

30

漏电流与

漏源极电压

脉冲

I

D

- 漏电流 - 一个

10

I

D

- 漏电流 - 一个

T

A

= 150 C

1

T

A

= 75 C

T

A

= 25 C

0.1

0.01

T

A

=

25

C

25

20

15

10

5

V

GS

= 4.0 V

V

GS

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

0.001

0

1.5

1

1.5

2

2.5 3

3.5 4

4.5

5

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

V

GS

-

门源电压 - V

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

|y

fs

| - 正向转移导纳 - S

100

V

DS

= 10 V

脉冲

T

A

=

25

C

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

正向转移导纳主场迎战

漏电流

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

200

脉冲

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

5

I

D

= 2.3 A

10

15

I

D

= 4.5 A

10

T

A

= 25 C

T

A

= 75 C

1

T

A

= 150 C

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通 - 通态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

0.12

0.1

V

GS

= 4.0 V

0.08

0.06

0.04

0.02

0

0.1

脉冲

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

75

50

25

V

DS

=10 V

I

D

= 1毫安

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

1

10

I

D

= 2.3 A

100

0

25

50

75 100 125 150 175

I

D

- 漏电流 - 一个

T

ch

- 通道温度 - C

数据表G14056EJ1V0DS00

3

PA1763

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

通道温度

100

脉冲

V

GS

= 4.0 V

90

80

V

GS

= 4.5 V

70

60

50

40

30

20

10

50

25 0

I

D

= 2.3 A

25 50 75 100 125 150 175 200

V

GS

= 10 V

源极到漏极二极管

正向电压

100

V

GS

= 10 V

10

V

GS

= 0 V

脉冲

1

0.1

0.01

0.00

0.50

1.00

1.50

T

ch

- 通道温度 - C

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

电容与漏极TO

源极电压

10000

1000

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

1000

C

国际空间站

开关特性

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

t

r

100

t

f

V

DS

= 30 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

t

D（关闭）

t

D（上）

100

C

OSS

10

C

RSS

10

1

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

I

D

- 漏电流 - 一个

反向恢复时间对比

漏电流

动态输入/输出特性

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 V

1000

I

D

= 6.0 A

10

V

DD

= 48 V

V

DD

= 30 V

V

DD

= 12 V

8

V

GS

6

4

2

V

DS

2

4

6

8

10 12

14 16 18 20

0

100

35.0

30.0

25.0

20.0

15.0

10.0

5.0

0

10

1

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

4

数据表G14056EJ1V0DS00

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

10000

60.0

55.0

50.0

45.0

40.0

12

PA1763

正向偏置的降额因子

安全工作区

总功耗对比

环境温度

P

T

- 总功率耗散 - W /包

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

20

40

60

80

2单元

1个单位

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

100

80

60

40

20

安装在陶瓷

基板

2

of

1200 mm

×

2.2 mm

0

20

40

60

80

100 120 140 160

T

A

- 环境温度 - C

T

A

- 环境温度 - C

正向偏置安全工作区

100

安装在陶瓷

基材

1200mm

2

×

2.2毫米， 1个单位

d

I

D（脉冲）

ITE

IM ）

)

L 0V

on

S(

= 1

R

GS

V

(

I

D（ DC）的

I

D

- 漏电流 - 一个

PW

10

PW

=1

00

PW

=1

=

1

00

s

Po

we

r

1

=1

m

s

0m

s

Di

ss

IPA

s

TIO

n

0.1

T

A

= 25 C

单脉冲

LIM

ITE

d

100

1

10

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

1000

R

th

（ CH -A ）

= 73.5C / W

100

10

1

0.1

安装在陶瓷

为1200mm基板

2

×

2.2 mm

单脉冲， 1个单位

0.01

100

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表G14056EJ1V0DS00

5