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UPS3540
5肖特基势垒整流器
描述
主要特点
WWW .
Microsemi的
.C
OM
在Microsemi的新Powermite3
SMT
包,这些高效率超快
整流器提供的功率处理
功能以前仅见于
更大的包。他们是理想
对于在运行的应用程序SMD
高的频率。
除了它的大小的优点,
Powermite3
包装的功能包括一个完整的
金属底部,消除了
的助焊剂滞留期间可能
组件,以及独特的锁定卡充当
一个整体的散热器。它的创新设计
使该器件非常适用于使用
自动插入设备。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
绝对最大额定值在25°
(除非另有规定编)
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷@ T
c
=90 C
储存温度
工作温度
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS)
I
o
I
FSM
T英镑
牛逼运
价值
单位
!
高功率表面贴装
封装。
!
保护环片施工
瞬态保护。
!
硅肖特基整流器无
反向电压恢复。
!
内部散热器锁定片
!
低正向电压。
!
全金属底消除
通量截留
!
兼容自动
插入设备
!
低调,最大高度
16毫米磁带1毫米提供
reel- 5000单位/ 13 “卷轴。
40
28
5
100
-55到+150
-55到+125
V
V
A
A
C
C
应用/优势
!
开关和电源调节
耗材。
!
电荷泵电路。
!
降低反向恢复损耗
由于低我
RM
.
!
小脚印
190 ×300密耳
1 : 1实际尺寸
热特性
(除非另有规定编)
热阻
结至底部
(1)当用2盎司铜图案安装在PC板上。
RJA (1)
3.2
° C /瓦
UPS560
UPS560
版权
2003
牧师0 , 2003-02-13
Microsemi的
第1页
UPS3540
5肖特基势垒整流器
电气参数@ 25 ° C(除非另有说明)
WWW .
Microsemi的
.C
OM
参数
正向电压(注1 )
符号
条件
I
F
= 5 A,T
j
= 25 C
I
F
= 5 A,T
j
= 125 C
I
F
= 10 A,T
j
= 25 C
I
F
= 10 A,T
j
= 125 C
I
R
- 0.5毫安
V
R
= 40 V ,T
j
= 25C
V
R
= 40 V ,T
j
=125 C
V
R
= 4 V ; F = 1 MH
Z
典型值。
0.47
0.45
0.62
0.59
最大
0.54
单位
V
Fm
反向击穿电压
(注1 )
反向电流(注1)
I
rm
电容
C
T
V
V
BR
40
0.030
2.5
250
0.5
20
V
mA
pF
注:用于减少自1持续时间短的测试脉冲 - 热效应
版权
2003
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5肖特基势垒整流器
WWW .
Microsemi的
.C
OM
注:1。吨
A
= T
焊接点,
R
θJS
= 3.2 ℃/ W,R
θSA
= 0° C / W 。
2.设备安装在GETEK基板, 2" X 2" , 2盎司铜,双面,阴极
焊盘尺寸0.075" X 1.0" ,阳极板尺寸0.25" X 1.0" 。
θJA
在范围内
15-30 ° C / W 。
3.设备安装在FRA- 4基板, 2" X 2" , 2盎司铜,单面焊盘布局
R
θJA
在60范围 - 75 ° C / W 。
ELECTRICALS
ELECTRICALS
版权
2003
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5肖特基势垒整流器
WWW .
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OM
16毫米胶带
13英寸卷轴
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机械
机械
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在Microsemi的新Powermite3
SMT
包,这些高效率超快
整流器提供的功率处理
功能以前仅见于
更大的包。他们是理想
对于在运行的应用程序SMD
高的频率。
除了它的大小的优点,
Powermite3
包装的功能包括一个完整的
金属底部,消除了
的助焊剂滞留期间可能
组件,以及独特的锁定卡充当
一个整体的散热器。它的创新设计
使该器件非常适用于使用
自动插入设备。
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绝对最大额定值在25°
(除非另有规定编)
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷@ T
c
=90 C
储存温度
工作温度
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS)
I
o
I
FSM
T英镑
牛逼运
价值
单位
!
高功率表面贴装
封装。
!
保护环片施工
瞬态保护。
!
硅肖特基整流器无
反向电压恢复。
!
内部散热器锁定片
!
低正向电压。
!
全金属底消除
通量截留
!
兼容自动
插入设备
!
低调,最大高度
16毫米磁带1毫米提供
reel- 5000单位/ 13 “卷轴。
40
28
5
100
-55到+150
-55到+125
V
V
A
A
C
C
应用/优势
!
开关和电源调节
耗材。
!
电荷泵电路。
!
降低反向恢复损耗
由于低我
RM
.
!
小脚印
190 ×300密耳
1 : 1实际尺寸
热特性
(除非另有规定编)
热阻
结至底部
(1)当用2盎司铜图案安装在PC板上。
RJA (1)
3.2
° C /瓦
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电气参数@ 25 ° C(除非另有说明)
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参数
正向电压(注1 )
符号
条件
I
F
= 5 A,T
j
= 25 C
I
F
= 5 A,T
j
= 125 C
I
F
= 10 A,T
j
= 25 C
I
F
= 10 A,T
j
= 125 C
I
R
- 0.5毫安
V
R
= 40 V ,T
j
= 25C
V
R
= 40 V ,T
j
=125 C
V
R
= 4 V ; F = 1 MH
Z
典型值。
0.47
0.45
0.62
0.59
最大
0.54
单位
V
Fm
反向击穿电压
(注1 )
反向电流(注1)
I
rm
电容
C
T
V
V
BR
40
0.030
2.5
250
0.5
20
V
mA
pF
注:用于减少自1持续时间短的测试脉冲 - 热效应
版权
2003
牧师0 , 2003-02-13
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.C
OM
注:1。吨
A
= T
焊接点,
R
θJS
= 3.2 ℃/ W,R
θSA
= 0° C / W 。
2.设备安装在GETEK基板, 2" X 2" , 2盎司铜,双面,阴极
焊盘尺寸0.075" X 1.0" ,阳极板尺寸0.25" X 1.0" 。
θJA
在范围内
15-30 ° C / W 。
3.设备安装在FRA- 4基板, 2" X 2" , 2盎司铜,单面焊盘布局
R
θJA
在60范围 - 75 ° C / W 。
ELECTRICALS
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16毫米胶带
13英寸卷轴
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描述
主要特点
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在Microsemi的新Powermite3
SMT
包,这些高效率超快
整流器提供的功率处理
功能以前仅见于
更大的包。他们是理想
对于在运行的应用程序SMD
高的频率。
除了它的大小的优点,
Powermite3
包装的功能包括一个完整的
金属底部,消除了
的助焊剂滞留期间可能
组件,以及独特的锁定卡充当
一个整体的散热器。它的创新设计
使该器件非常适用于使用
自动插入设备。
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绝对最大额定值在25°
(除非另有规定编)
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷@ T
c
=90 C
储存温度
工作温度
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS)
I
o
I
FSM
T英镑
牛逼运
价值
单位
!
高功率表面贴装
封装。
!
保护环片施工
瞬态保护。
!
硅肖特基整流器无
反向电压恢复。
!
内部散热器锁定片
!
低正向电压。
!
全金属底消除
通量截留
!
兼容自动
插入设备
!
低调,最大高度
16毫米磁带1毫米提供
reel- 5000单位/ 13 “卷轴。
40
28
5
100
-55到+150
-55到+125
V
V
A
A
C
C
应用/优势
!
开关和电源调节
耗材。
!
电荷泵电路。
!
降低反向恢复损耗
由于低我
RM
.
!
小脚印
190 ×300密耳
1 : 1实际尺寸
热特性
(除非另有规定编)
热阻
结至底部
(1)当用2盎司铜图案安装在PC板上。
RJA (1)
3.2
° C /瓦
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电气参数@ 25 ° C(除非另有说明)
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OM
参数
正向电压(注1 )
符号
条件
I
F
= 5 A,T
j
= 25 C
I
F
= 5 A,T
j
= 125 C
I
F
= 10 A,T
j
= 25 C
I
F
= 10 A,T
j
= 125 C
I
R
- 0.5毫安
V
R
= 40 V ,T
j
= 25C
V
R
= 40 V ,T
j
=125 C
V
R
= 4 V ; F = 1 MH
Z
典型值。
0.47
0.45
0.62
0.59
最大
0.54
单位
V
Fm
反向击穿电压
(注1 )
反向电流(注1)
I
rm
电容
C
T
V
V
BR
40
0.030
2.5
250
0.5
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注:用于减少自1持续时间短的测试脉冲 - 热效应
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OM
注:1。吨
A
= T
焊接点,
R
θJS
= 3.2 ℃/ W,R
θSA
= 0° C / W 。
2.设备安装在GETEK基板, 2" X 2" , 2盎司铜,双面,阴极
焊盘尺寸0.075" X 1.0" ,阳极板尺寸0.25" X 1.0" 。
θJA
在范围内
15-30 ° C / W 。
3.设备安装在FRA- 4基板, 2" X 2" , 2盎司铜,单面焊盘布局
R
θJA
在60范围 - 75 ° C / W 。
ELECTRICALS
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16毫米胶带
13英寸卷轴
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主要特点
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OM
在Microsemi的新Powermite3
SMT
包,这些高效率超快
整流器提供的功率处理
功能以前仅见于
更大的包。他们是理想
对于在运行的应用程序SMD
高的频率。
除了它的大小的优点,
Powermite3
包装的功能包括一个完整的
金属底部,消除了
的助焊剂滞留期间可能
组件,以及独特的锁定卡充当
一个整体的散热器。它的创新设计
使该器件非常适用于使用
自动插入设备。
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绝对最大额定值在25°
(除非另有规定编)
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷@ T
c
=90 C
储存温度
工作温度
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS)
I
o
I
FSM
T英镑
牛逼运
价值
单位
!
高功率表面贴装
封装。
!
保护环片施工
瞬态保护。
!
硅肖特基整流器无
反向电压恢复。
!
内部散热器锁定片
!
低正向电压。
!
全金属底消除
通量截留
!
兼容自动
插入设备
!
低调,最大高度
16毫米磁带1毫米提供
reel- 5000单位/ 13 “卷轴。
40
28
5
100
-55到+150
-55到+125
V
V
A
A
C
C
应用/优势
!
开关和电源调节
耗材。
!
电荷泵电路。
!
降低反向恢复损耗
由于低我
RM
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!
小脚印
190 ×300密耳
1 : 1实际尺寸
热特性
(除非另有规定编)
热阻
结至底部
(1)当用2盎司铜图案安装在PC板上。
RJA (1)
3.2
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参数
正向电压(注1 )
符号
条件
I
F
= 5 A,T
j
= 25 C
I
F
= 5 A,T
j
= 125 C
I
F
= 10 A,T
j
= 25 C
I
F
= 10 A,T
j
= 125 C
I
R
- 0.5毫安
V
R
= 40 V ,T
j
= 25C
V
R
= 40 V ,T
j
=125 C
V
R
= 4 V ; F = 1 MH
Z
典型值。
0.47
0.45
0.62
0.59
最大
0.54
单位
V
Fm
反向击穿电压
(注1 )
反向电流(注1)
I
rm
电容
C
T
V
V
BR
40
0.030
2.5
250
0.5
20
V
mA
pF
注:用于减少自1持续时间短的测试脉冲 - 热效应
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注:1。吨
A
= T
焊接点,
R
θJS
= 3.2 ℃/ W,R
θSA
= 0° C / W 。
2.设备安装在GETEK基板, 2" X 2" , 2盎司铜,双面,阴极
焊盘尺寸0.075" X 1.0" ,阳极板尺寸0.25" X 1.0" 。
θJA
在范围内
15-30 ° C / W 。
3.设备安装在FRA- 4基板, 2" X 2" , 2盎司铜,单面焊盘布局
R
θJA
在60范围 - 75 ° C / W 。
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主要特点
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Microsemi的
.C
OM
在Microsemi的新Powermite3
SMT
包,这些高效率超快
整流器提供的功率处理
功能以前仅见于
更大的包。他们是理想
对于在运行的应用程序SMD
高的频率。
除了它的大小的优点,
Powermite3
包装的功能包括一个完整的
金属底部,消除了
的助焊剂滞留期间可能
组件,以及独特的锁定卡充当
一个整体的散热器。它的创新设计
使该器件非常适用于使用
自动插入设备。
重要提示:
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绝对最大额定值在25°
(除非另有规定编)
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷@ T
c
=90 C
储存温度
工作温度
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS)
I
o
I
FSM
T英镑
牛逼运
价值
单位
!
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封装。
!
保护环片施工
瞬态保护。
!
硅肖特基整流器无
反向电压恢复。
!
内部散热器锁定片
!
低正向电压。
!
全金属底消除
通量截留
!
兼容自动
插入设备
!
低调,最大高度
16毫米磁带1毫米提供
reel- 5000单位/ 13 “卷轴。
40
28
5
100
-55到+150
-55到+125
V
V
A
A
C
C
应用/优势
!
开关和电源调节
耗材。
!
电荷泵电路。
!
降低反向恢复损耗
由于低我
RM
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!
小脚印
190 ×300密耳
1 : 1实际尺寸
热特性
(除非另有规定编)
热阻
结至底部
(1)当用2盎司铜图案安装在PC板上。
RJA (1)
3.2
° C /瓦
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正向电压(注1 )
符号
条件
I
F
= 5 A,T
j
= 25 C
I
F
= 5 A,T
j
= 125 C
I
F
= 10 A,T
j
= 25 C
I
F
= 10 A,T
j
= 125 C
I
R
- 0.5毫安
V
R
= 40 V ,T
j
= 25C
V
R
= 40 V ,T
j
=125 C
V
R
= 4 V ; F = 1 MH
Z
典型值。
0.47
0.45
0.62
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最大
0.54
单位
V
Fm
反向击穿电压
(注1 )
反向电流(注1)
I
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电容
C
T
V
V
BR
40
0.030
2.5
250
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注:用于减少自1持续时间短的测试脉冲 - 热效应
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A
= T
焊接点,
R
θJS
= 3.2 ℃/ W,R
θSA
= 0° C / W 。
2.设备安装在GETEK基板, 2" X 2" , 2盎司铜,双面,阴极
焊盘尺寸0.075" X 1.0" ,阳极板尺寸0.25" X 1.0" 。
θJA
在范围内
15-30 ° C / W 。
3.设备安装在FRA- 4基板, 2" X 2" , 2盎司铜,单面焊盘布局
R
θJA
在60范围 - 75 ° C / W 。
ELECTRICALS
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版权
2003
牧师0 , 2003-02-13
Microsemi的
第3页
UPS3540
5肖特基势垒整流器
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.C
OM
16毫米胶带
13英寸卷轴
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机械
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