UM3302
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
概述
该UM3302是最高性能的沟
N沟道和P沟道MOSFET的极端高细胞
密度，从而提供优异的导通电阻和栅
充的大部分同步降压转换器的
应用程序。
该UM3302符合RoHS和绿色产品
要求100 ％保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 ％保证EAS
绿色设备可用
D1
产品综述
BVDSS
30V
-30V
应用
RDSON
10.5mΩ
25m
ID
9.5A
-6.5A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
CCFL背照式逆变器
双SOP8引脚配置
D1 D2
D2
绝对最大额定值
S2
S1 G1
参数
漏源电压
栅源电压
G2
等级
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
EAS
I
AS
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
N沟道
30
±20
9.5
7.6
40
138
35
1.5
-55到150
-55到150
1
P沟道
-30
±20
-6.5
-5.2
-26
176
-38
1.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
A
W
℃
℃
连续漏电流， V
GS
@ 10V
1
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
雪崩电流
总功耗
4
存储温度范围
工作结温范围
2
单脉冲雪崩能量
3
热数据
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境
1
热阻结案件
1
典型值。
---
---
马克斯。
85
25
单位
℃/W
℃/W
冯A.02 D051011
1
UM3302
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
N沟道电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
V
GS
=V
DS
, I
D
=250uA
V
DS
=24V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=24V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=15V , V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
分钟。
30
---
---
---
1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=15V , V
GS
= 10V ，R
G
=3.3Ω
I
D
=10A
---
---
---
---
V
DS
=15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
0.027
8.5
12
1.5
-5.8
---
---
---
5.8
2.2
12.5
4.4
5
6.2
59
27.6
8.4
1317
163
131
马克斯。
---
---
10.5
15
2.5
---
1
5
±100
---
4.4
17.5
6.2
7.0
12.4
106
55
16.8
1845
228.2
183.4
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ 4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= 25V ，L = 0.1mH ，我
AS
=20A
分钟。
45
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
1,6
脉冲源电流
2,6
二极管的正向电压
2
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A ，T
J
=25℃
I
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
12.5
5
马克斯。
9.5
40
1.2
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=25V,V
GS
=10V,L=0.1mH,I
AS
=35A
4，功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100％的EAS检测保证。
6，数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
2
UM3302
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
P沟道电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= -5V ，我
D
=-6A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=-15V , V
GS
= -4.5V ，我
D
=-6A
分钟。
-30
---
---
---
-1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=-15V , V
GS
= -10V ，R
G
=3.3Ω,
I
D
=-6A
---
---
---
---
V
DS
=-15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
-0.022
20
34
-1.5
4.6
---
---
---
17
13
12.6
4.8
4.8
4.6
14.8
41
19.6
1345
194
158
马克斯。
---
---
25
42
-2.5
---
-1
-5
±100
---
26
17.6
6.7
6.7
9.2
26.6
82
39.2
1883
272
221
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ -4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= -25V ， L = 0.1mH ，我
AS
=-20A
分钟。
49
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
1,6
脉冲源电流
2,6
二极管的正向电压
2
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A ，T
J
=25℃
I
F
= -6A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
16.3
5.9
马克斯。
-6.5
-26
-1.2
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=-25V,V
GS
=-10V,L=0.1mH,I
AS
=-38A
4，功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100％的EAS检测保证。
6，数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
3
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