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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第14页 > UPD43257BCZ-85LL
数据表
MOS集成电路
PD43257B
256K - BIT的CMOS静态RAM
32K -字×8位
描述
PD43257B是一种高速,低功耗,以及262,144位( 32,768字由8位)的CMOS静态RAM 。
备用电池可用。和
PD43257B有两个芯片使能引脚( / CE1 , CE2 ),以扩大产能。
PD43257B是装在28引脚塑料DIP和28引脚塑料SOP 。
特点
32,768字由8位机构
快速存取时间: 70 , 85纳秒(MAX 。 )
低V
CC
数据保存: 2.0 V( MIN 。 )
两个芯片使能输入: / CE1 , CE2
产品型号
存取时间
NS ( MAX 。 )
工作电源工作环境
电压
V
温度
°C
0到70
在工作
MA( MAX 。 )
45
45
电源电流
在待机状态
在数据保留
A( MAX 。 )
50
15
A( MAX 。 )
3
2
PD43257B-xxL
PD43257B-xxLL
70, 85
4.5 5.5
T
A
40
°C,
V
CC
= 3.0 V
x版本
此数据表可以被施加到版本X.这版本等同于它的批号。在第五个字母X
在许多数字字符位置表示的版本X.
日本
D43257B
X
批号
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M10693EJ7V0DS00 (第7版)
发布日期2000年6月NS CP ( K)
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1992
PD43257B
订购信息
产品型号
存取时间
NS ( MAX 。 )
电源电流
A( MAX 。 )
在待机状态
50
在数据保留
3
备注
PD43257BCZ-70L
PD43257BCZ-85L
PD43257BCZ-70LL
PD43257BCZ-85LL
PD43257BGU-70L
PD43257BGU-85L
PD43257BGU-70LL
PD43257BGU-85LL
28引脚塑料DIP
(15.24 mm (600))
70
85
70
85
L型
15
2
LL版
28引脚塑料SOP
(11.43 mm (450))
70
85
70
85
50
3
L型
15
2
LL版
T
A
40
°C,
V
CC
= 3.0 V
2
数据表M10693EJ7V0DS00
PD43257B
引脚配置(标记侧)
/ xxx表示低电平有效的信号。
28引脚塑料DIP (15.24毫米( 600 ) )
[
PD43257BCZ - XXL ]
[
PD43257BCZ - xxLL ]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
CE2
A10
/CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
:地址输入
:数据输入/输出
:芯片使能1
:片选2
:写使能
:电源
:地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针标志。
数据表M10693EJ7V0DS00
3
PD43257B
28引脚塑料SOP ( 11.43毫米( 450 ) )
[
PD43257BGU - XXL ]
[
PD43257BGU - xxLL ]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
CE2
A10
/CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
:地址输入
:数据输入/输出
:芯片使能1
:片选2
:写使能
:电源
:地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针标志。
4
数据表M10693EJ7V0DS00
PD43257B
框图
A0
A14
地址
卜FF器
ROW
解码器
存储单元阵列
262,144位
I/O1
I/O8
输入数据
调节器
读出放大器/
开关电路
列解码器
输出数据
调节器
地址缓冲器
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
真值表
/CE1
H
×
L
L
CE2
×
L
H
H
/ WE
×
×
H
L
D
OUT
D
IN
I
CCA
模式
未选择
I / O
高阻抗
电源电流
I
SB
备注
×
: V
IH
或V
IL
数据表M10693EJ7V0DS00
5
数据表
MOS集成电路
μ
PD43257B
256K - BIT的CMOS静态RAM
32K -字×8位
描述
μ
PD43257B是一种高速,低功耗,以及262,144位( 32,768字由8位)的CMOS静态RAM 。
备用电池可用。和
μ
PD43257B有两个芯片使能引脚( / CE1 , CE2 ),以扩大产能。
μ
PD43257B是装在28引脚塑料DIP和28引脚塑料SOP 。
特点
32,768字由8位机构
快速存取时间: 70 , 85纳秒(MAX 。 )
低V
CC
数据保存: 2.0 V( MIN 。 )
两个芯片使能输入: / CE1 , CE2
产品型号
存取时间
NS ( MAX 。 )
工作电源工作环境
电压
V
温度
°C
0到70
在工作
MA( MAX 。 )
45
45
电源电流
在待机状态
在数据保留
μ
A( MAX 。 )
50
15
μ
A( MAX 。 )
3
2
μ
PD43257B-xxL
μ
PD43257B-xxLL
70, 85
4.5 5.5
T
A
40
°C,
V
CC
= 3.0 V
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件M10693EJ9V0DS00 (第9版)
发布日期2006年6月NS CP ( K)
日本印刷
1992
μ
PD43257B
订购信息
产品型号
存取时间
NS ( MAX 。 )
电源电流
μ
A( MAX 。 )
在待机状态
50
在数据保留
3
备注
μ
PD43257BCZ-70L
μ
PD43257BCZ-85L
μ
PD43257BCZ-70LL
μ
PD43257BCZ-85LL
μ
PD43257BGU-70L
μ
PD43257BGU-85L
μ
PD43257BGU-70LL
μ
PD43257BGU-85LL
μ
PD43257BGU-70L-A
μ
PD43257BGU-85L-A
μ
PD43257BGU-70LL-A
μ
PD43257BGU-85LL-A
28引脚塑料DIP
(15.24 mm (600))
70
85
70
85
L型
15
2
LL版
28引脚塑料SOP
(11.43 mm (450))
70
85
70
85
50
3
L型
15
2
LL版
28引脚塑料SOP
(11.43 mm (450))
70
85
70
85
50
3
L型
15
2
LL版
T
A
40
°C,
V
CC
= 3.0 V
备注
与-A的零件号的最终产品都是无铅产品。
2
数据表M10693EJ9V0DS
μ
PD43257B
引脚配置(标记侧)
/ xxx表示低电平有效的信号。
28引脚塑料DIP (15.24毫米( 600 ) )
[
μ
PD43257BCZ - XXL ]
[
μ
PD43257BCZ - xxLL ]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
CE2
A10
/CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
:地址输入
:数据输入/输出
:芯片使能1
:片选2
:写使能
:电源
:地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针标志。
数据表M10693EJ9V0DS
3
μ
PD43257B
28引脚塑料SOP ( 11.43毫米( 450 ) )
[
μ
PD43257BGU - XXL ]
[
μ
PD43257BGU - xxLL ]
[
μ
PD43257BGU - XXL -A]
[
μ
PD43257BGU - xxLL -A]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
CE2
A10
/CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
:地址输入
:数据输入/输出
:芯片使能1
:片选2
:写使能
:电源
:地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针标志。
4
数据表M10693EJ9V0DS
μ
PD43257B
框图
A0
A14
地址
卜FF器
ROW
解码器
存储单元阵列
262,144位
I/O1
I/O8
输入数据
调节器
读出放大器/
开关电路
列解码器
输出数据
调节器
地址缓冲器
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
真值表
/CE1
H
×
L
L
CE2
×
L
H
H
/ WE
×
×
H
L
D
OUT
D
IN
I
CCA
模式
未选择
I / O
高阻抗
电源电流
I
SB
备注
×
: V
IH
或V
IL
数据表M10693EJ9V0DS
5
数据表
MOS集成电路
PD43257B
256K - BIT的CMOS静态RAM
32K -字×8位
描述
PD43257B是一种高速,低功耗,以及262,144位( 32,768字由8位)的CMOS静态RAM 。
备用电池可用。和
PD43257B有两个芯片使能引脚( / CE1 , CE2 ),以扩大产能。
PD43257B是装在28引脚塑料DIP和28引脚塑料SOP 。
特点
32,768字由8位机构
快速存取时间: 70 , 85纳秒(MAX 。 )
低V
CC
数据保存: 2.0 V( MIN 。 )
两个芯片使能输入: / CE1 , CE2
产品型号
存取时间
NS ( MAX 。 )
工作电源工作环境
电压
V
温度
°C
0到70
在工作
MA( MAX 。 )
45
45
电源电流
在待机状态
在数据保留
A( MAX 。 )
50
15
A( MAX 。 )
3
2
PD43257B-xxL
PD43257B-xxLL
70, 85
4.5 5.5
T
A
40
°C,
V
CC
= 3.0 V
x版本
此数据表可以被施加到版本X.这版本等同于它的批号。在第五个字母X
在许多数字字符位置表示的版本X.
日本
D43257B
X
批号
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M10693EJ7V0DS00 (第7版)
发布日期2000年6月NS CP ( K)
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1992
PD43257B
订购信息
产品型号
存取时间
NS ( MAX 。 )
电源电流
A( MAX 。 )
在待机状态
50
在数据保留
3
备注
PD43257BCZ-70L
PD43257BCZ-85L
PD43257BCZ-70LL
PD43257BCZ-85LL
PD43257BGU-70L
PD43257BGU-85L
PD43257BGU-70LL
PD43257BGU-85LL
28引脚塑料DIP
(15.24 mm (600))
70
85
70
85
L型
15
2
LL版
28引脚塑料SOP
(11.43 mm (450))
70
85
70
85
50
3
L型
15
2
LL版
T
A
40
°C,
V
CC
= 3.0 V
2
数据表M10693EJ7V0DS00
PD43257B
引脚配置(标记侧)
/ xxx表示低电平有效的信号。
28引脚塑料DIP (15.24毫米( 600 ) )
[
PD43257BCZ - XXL ]
[
PD43257BCZ - xxLL ]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
CE2
A10
/CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
:地址输入
:数据输入/输出
:芯片使能1
:片选2
:写使能
:电源
:地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针标志。
数据表M10693EJ7V0DS00
3
PD43257B
28引脚塑料SOP ( 11.43毫米( 450 ) )
[
PD43257BGU - XXL ]
[
PD43257BGU - xxLL ]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
CE2
A10
/CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
:地址输入
:数据输入/输出
:芯片使能1
:片选2
:写使能
:电源
:地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针标志。
4
数据表M10693EJ7V0DS00
PD43257B
框图
A0
A14
地址
卜FF器
ROW
解码器
存储单元阵列
262,144位
I/O1
I/O8
输入数据
调节器
读出放大器/
开关电路
列解码器
输出数据
调节器
地址缓冲器
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
真值表
/CE1
H
×
L
L
CE2
×
L
H
H
/ WE
×
×
H
L
D
OUT
D
IN
I
CCA
模式
未选择
I / O
高阻抗
电源电流
I
SB
备注
×
: V
IH
或V
IL
数据表M10693EJ7V0DS00
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封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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