数据表
MOS集成电路
μ
PD43256B
256K - BIT的CMOS静态RAM
32K -字×8位
描述
该
μ
PD43256B是一种高速，低功耗，以及262,144位（ 32,768字由8位）的CMOS静态RAM 。
备用电池可用。 A和B版本是宽电压操作。
该
μ
PD43256B是装在28引脚塑料DIP ， 28引脚塑料SOP和28引脚塑料TSOP （ I） （ 8× 13.4毫米） 。
特点
32,768字由8位机构
快速访问时间： （ MAX ） 70 ， 85 ， 100 ， 120 ， 150纳秒
低电压操作（A版本： V
CC
= 3.0 5.5 V ，B版本： V
CC
= 2.75.5 V）的
低V
CC
数据保存： 2.0 V（ MIN 。 ）
/ OE输入，方便应用
产品型号
存取时间
NS （ MAX 。 ）
工作电源工作环境
电压
V
温度
°C
0到70
在工作
MA（ MAX 。 ）
45
电源电流
在待机状态
在数据保留
μ
A（ MAX 。 ）
50
15
μ
A（ MAX 。 ）
Note1
3
2
μ
PD43256B-xxL
μ
PD43256B-xxLL
μ
PD43256B-Axx
μ
PD43256B-Bxx
Note2
70, 85
4.5 5.5
85, 100
Note2
, 120
Note2
3.0到5.5
2.75.5
100, 120, 150
注意事项1 。
T
A
≤
40
°C,
V
CC
= 3.0 V
2.
访问时间： 85纳秒（MAX 。 ）（V
CC
= 4.5 5.5 V ）
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件M10770EJEV0DS00 （第14版）
发布日期2006年6月NS CP （ K）
日本印刷
1990, 1993, 1994
μ
PD43256B
(2/2)
产品型号
包
存取时间
NS （ MAX 。 ）
工作电源工作环境
电压
V
温度
°C
0到70
L型
备注
μ
PD43256BGU-70L-A
μ
PD43256BGU-85L-A
μ
PD43256BGU-70LL-A
μ
PD43256BGU-85LL-A
μ
PD43256BGU-A85-A
μ
PD43256BGU-A10-A
μ
PD43256BGU-A12-A
μ
PD43256BGU-B10-A
μ
PD43256BGU-B12-A
μ
PD43256BGW-70LL-9JL-A
μ
PD43256BGW-85LL-9JL-A
μ
PD43256BGW-A85-9JL-A
μ
PD43256BGW-A10-9JL-A
μ
PD43256BGW-A12-9JL-A
μ
PD43256BGW-B10-9JL-A
μ
PD43256BGW-B12-9JL-A
μ
PD43256BGW-B15-9JL-A
28引脚塑料SOP
(11.43 mm (450))
70
85
70
85
85
100
120
100
120
4.5 5.5
LL版
3.0到5.5
A版
2.75.5
B版本
28引脚塑料TSOP （ I）
（ 8x13.4 ） （通常弯曲）
70
85
85
100
120
100
120
150
70
85
85
100
120
100
120
150
4.5 5.5
LL版
3.0到5.5
A版
2.75.5
B版本
μ
PD43256BGW - 70LL - 9KL -A 28引脚塑料TSOP （ I）
μ
PD43256BGW - 85LL - 9KL -A （ 8x13.4 ） （反向弯曲）
μ
PD43256BGW-A85-9KL-A
μ
PD43256BGW-A10-9KL-A
μ
PD43256BGW-A12-9KL-A
μ
PD43256BGW-B10-9KL-A
μ
PD43256BGW-B12-9KL-A
μ
PD43256BGW-B15-9KL-A
备注
4.5 5.5
LL版
3.0到5.5
A版
2.75.5
B版本
与-A的零件号的最终产品都是无铅产品。
数据表M10770EJEV0DS
3
μ
PD43256B
引脚配置（标记侧）
/ xxx表示低电平有效的信号。
28引脚塑料DIP （15.24毫米（ 600 ） ）
[
μ
PD43256BCZ - XXL ]
[
μ
PD43256BCZ - xxLL ]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/ CS
/ WE
/ OE
V
CC
GND
：地址输入
：数据输入/输出
：片选
：写使能
：输出使能
：电源
：地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针索引标记。
4
数据表M10770EJEV0DS
μ
PD43256B
28引脚塑料SOP （ 11.43毫米（ 450 ） ）
[
μ
PD43256BGU - XXL ]
[
μ
PD43256BGU - xxLL ]
[
μ
PD43256BGU - AXX ]
[
μ
PD43256BGU - BXX ]
[
μ
PD43256BGU - XXL -A]
[
μ
PD43256BGU - xxLL -A]
[
μ
PD43256BGU - AXX -A]
[
μ
PD43256BGU - BXX -A]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/ CS
/ WE
/ OE
V
CC
GND
：地址输入
：数据输入/输出
：片选
：写使能
：输出使能
：电源
：地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针索引标记。
数据表M10770EJEV0DS
5
数据表
MOS集成电路
PD43256B
256K - BIT的CMOS静态RAM
32K -字×8位
描述
该
PD43256B是一种高速，低功耗，以及262,144位（ 32,768字由8位）的CMOS静态RAM 。
备用电池可用。 A和B版本是宽电压操作。
该
PD43256B是装在28引脚塑料DIP ， 28引脚塑料SOP和28引脚塑料TSOP （ I） （ 8× 13.4毫米） 。
特点
32,768字由8位机构
快速访问时间： （ MAX ） 70 ， 85 ， 100 ， 120 ， 150纳秒
低电压操作（A版本： V
CC
= 3.0 5.5 V ，B版本： V
CC
= 2.75.5 V）的
低V
CC
数据保存： 2.0 V（ MIN 。 ）
/ OE输入，方便应用
产品型号
存取时间
NS （ MAX 。 ）
工作电源工作环境
电压
V
温度
°C
0到70
在工作
MA（ MAX 。 ）
45
电源电流
在待机状态
在数据保留
A（ MAX 。 ）
50
15
A（ MAX 。 ）
Note1
3
2
PD43256B-xxL
PD43256B-xxLL
PD43256B-Axx
PD43256B-Bxx
Note2
70, 85
4.5 5.5
85, 100
Note2
, 120
Note2
100, 120, 150
3.0到5.5
2.75.5
注意事项1 。
T
A
≤
40
°C,
V
CC
= 3.0 V
2.
访问时间： 85纳秒（MAX 。 ）（V
CC
= 4.5 5.5 V ）
版本X和P
此数据表可以被施加到X版本和P.每个版本识别与它的批号。在字母X
在很多数第五个字符表示位置X版本，字母P ，版本P.
日本
D43256B
批号
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M10770EJCV0DS00 （第12版）
发布日期2000年6月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1990, 1993, 1994
PD43256B
引脚配置（标记侧）
/ xxx表示低电平有效的信号。
28引脚塑料DIP （15.24毫米（ 600 ） ）
[
PD43256BCZ - XXL ]
[
PD43256BCZ - xxLL ]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/ CS
/ WE
/ OE
V
CC
GND
：地址输入
：数据输入/输出
：片选
：写使能
：输出使能
：电源
：地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针索引标记。
数据表M10770EJCV0DS00
3
PD43256B
28引脚塑料SOP （ 11.43毫米（ 450 ） ）
[
PD43256BGU - XXL ]
[
PD43256BGU - xxLL ]
[
PD43256BGU - AXX ]
[
PD43256BGU - BXX ]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/ CS
/ WE
/ OE
V
CC
GND
：地址输入
：数据输入/输出
：片选
：写使能
：输出使能
：电源
：地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针索引标记。
4
数据表M10770EJCV0DS00
PD43256B
28引脚塑料TSOP （ I） （ 8x13.4 ）（普通弯曲）
[
PD43256BGW - xxLL - 9JL ]
[
PD43256BGW - AXX - 9JL ]
[
PD43256BGW - BXX - 9JL ]
/ OE
A11
A9
A8
A13
/ WE
V
CC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
GND
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
28引脚塑料TSOP （ I） （ 8x13.4 ） （反向弯曲）
[
PD43256BGW - xxLL - 9KL ]
[
PD43256BGW - AXX - 9KL ]
[
PD43256BGW - BXX - 9KL ]
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
GND
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
/ OE
A11
A9
A8
A13
/ WE
V
CC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/ CS
/ WE
/ OE
V
CC
GND
：地址输入
：数据输入/输出
：片选
：写使能
：输出使能
：电源
：地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针索引标记。
数据表M10770EJCV0DS00
5
数据表
MOS集成电路
PD43256B
256K - BIT的CMOS静态RAM
32K -字×8位
描述
该
PD43256B是一种高速，低功耗， 262 ， 144位（ 32,768字由8位）的CMOS静态RAM 。
备用电池是可用的（ L， LL ，A和B版本） 。 A和B版本是宽电压操作。
该
PD43256B是装在28引脚塑料DIP ， 28引脚塑料SOP和28引脚塑料TSOP （ I） 。
特点
32,768字由8位机构
快速存取时间： 70 ， 85 ， 100 ， 120 ， 150纳秒（MAX 。 ）
宽电压范围（A版本： V
CC
= 3.0 5.5 V ，B版本： V
CC
= 2.75.5 V）的
2 V数据保留
OE输入，方便应用
操作
电源电压
V
4.5 5.5
操作
温度
°C
0到70
待机
电源电流
A（ MAX 。 ）
50
15
3.0到5.5
2.75.5
数据保留
电源电流
注1
A（ MAX 。 ）
3
2
产品型号
存取时间
NS （ MAX 。 ）
70, 85
70, 85
85, 100
注2
, 120
注2
100, 120, 150
PD43256B-L
PD43256B-LL
PD43256B-A
PD43256B-B
注2
注意事项1 。
T
A
≤
40 C，V
CC
= 3 V
2.
访问时间： 85纳秒（MAX 。 ）（V
CC
= 4.5 5.5 V ）
版本X和P
此数据表可以被施加到X版本和P.每个版本识别与它的批号。在字母X
在一个批号的第五个字符表示位置X版本，字母P ，版本P.
日本
D43256B
批号
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件M10770EJ9V0DS00 （第9版）
发布日期1997 N可
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1990, 1993, 1994
QQ：2880707522 复制
